一种缓启动电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种缓启动电路，包括MOS管Q1、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，MOS管Q1的S极和G极分别通过电阻R3和电阻R2连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电压正极；电容C1和电阻R3并联；MOS管Q1的D极连接电容C2和电阻R4的一端以及次级侧电压负极，MOS管Q1的S极和电阻R4的另一端连接初级侧电压负极；电容C2的另一端连接电压正极。本实用新型专利技术通过一个MOS管来实现电压的缓慢上升，结构简单，成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种缓启动电路


[0001]本技术涉及开关电源
，尤其涉及一种缓启动电路。

技术介绍

[0002]在现有的缓启动电路中，大多采用控制器来实现缓启动目的，其结构较为复杂，成本高。

技术实现思路

[0003]本技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种缓启动电路，以简化结构，降低成本。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术实施例提出了一种缓启动电路，包括MOS管Q1、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，MOS管Q1的S极和G极分别通过电阻R3和电阻R2连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电压正极；电容C1和电阻R3并联；MOS管Q1的D极连接电容C2和电阻R4的一端以及次级侧电压负极，MOS管Q1的S极和电阻R4的另一端连接初级侧电压负极；电容C2的另一端连接电压正极。
[0005]进一步地，MOS管Q1为N型MOS管。
[0006]本技术的有益效果为：本技术通过一个MOS管来实现电压的缓慢上升，结构简单，成本低。
附图说明
[0007]图1是本技术实施例的缓启动电路的电路图。
具体实施方式
[0008]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。
[0009]本技术实施例中若有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后
……
）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0010]另外，在本技术中若涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
[0011]请参照图1，本技术实施例的缓启动电路包括MOS管Q1、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4。
[0012]MOS管Q1的S极和G极分别通过电阻R3和电阻R2连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电压正极。电容C1和电阻R3并联；MOS管Q1的D极连接电容C2和电阻R4的一端以及次级侧电压负极，MOS管Q1的S极和电阻R4的另一端连接初级侧电压负极。电容C2的另一端连
接电压正极。
[0013]作为一种实施方式，MOS管Q1为N型MOS管。
[0014]本技术的工作原理如下：请参照图1，VCC为电压正极，VIN_GND_1为初级侧电压负极，VIN_GND_2为次级侧电压负极。当VCC电压建立时，通过R1,C1，结点1的电压为低电平，Q1的V_GS电压达不到导通条件，Q1不导通，C2通过R4进行充电，电压缓慢上升。随着C1的电容充电，结点1的电压慢慢提升，当Q1的V_GS达到导通值，Q1导通，C2的电压通过R4和Q1的双重充电，快速上升。当结点1的电压达到Q1的饱和导通值时，Q1完全导通，且Q1的导通阻抗远小于R4，所以Q1导通后，R4不工作，导通回路为VCC，C2，Q2，VIN_GND_1.此电路工作目的就是使C2的电压进行缓慢上升。
[0015]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同范围限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缓启动电路，其特征在于，包括MOS管Q1、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，MOS管Q1的S极和G极分别通过电阻R3和电阻R2连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电压正极；电容C1和电阻R3并联；M...

【专利技术属性】
技术研发人员：何华贵，
申请(专利权)人：深圳诺倍能电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：