一种后级直流电源电路制造技术

本发明专利技术涉及供电保护领域，更具体地，涉及一种后级直流电源电路，包括PTC自恢复保险丝、MOS场效应管、负载和电压检测模块；MOS场效应管的源极通过PTC自恢复保险丝连接在电源的正极；MOS场效应管的栅极连接在电源的负极；电压检测模块一端与MOS场效应管的漏极相连，另一端与MOS场效应管的源极相连接；负载设置在MOS场效应管的源极上，本发明专利技术公开的后级直流电源电路，在使用时，本设计可以根据故障引起的原因，分别启动开启电压检测功能、过欠压保护检测功能和过欠压保护检测功能，分别切断后级输出负载电压回路，避免由于前级开关电源或适配器本身质量问题，或人为使用电源不规范，操作不当等造成不必要的后级系统元器件损坏，或电源自身烧坏等故障。

【技术实现步骤摘要】
一种后级直流电源电路
本专利技术涉及供电保护领域，更具体地，涉及一种后级直流电源电路。
技术介绍
在各种电子产品中，电源是每个产品的动力来源，是最基本、最重要的，任何一种发生在电源上的故障，都有可能使电源输出电压或输出电流失去控制，导致整个电子产品工作不正常，运行不稳定等现象，因此，每个需要电源的电子产品或设备终端在整个系统的可靠稳定地运行，首先是依赖于可靠稳定的电源产品，这就要求后级电源供电系统需要整合多种保护特性，能够保护系统后级元器件和电源自身免于故障或设置不当导致的损坏，对每个电子产品或设备终端是至关重要的。因此，提出一种解决上述问题的后级直流电源电路实为必要。
技术实现思路
本专利技术为克服上述现有技术所述的至少一种缺陷(不足)，提供一种有效地防护整个电子产品后级直流供电系统，为整个系统可靠稳定运行提供有力的保障的后级直流电源电路。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案如下：一种后级直流电源电路，包括PTC自恢复保险丝、MOS场效应管和负载，还包括电压检测模块；所述MOS场效应管的源极通过PTC自恢复保险丝连接在电源的正极；所述MOS场效应管的栅极连接在电源的负极；所述电压检测模块一端与MOS场效应管的漏极相连，另一端与MOS场效应管的源极相连接；所述负载设置在MOS场效应管的源极上；进一步的，所述电压检测模块包括第一比较器、第二比较器、二极管D5、电阻R6、第一电位器RP1、第二电位器RP2、第三电位器RP3和三极管Q2；>所述第一比较器的第一接脚和第二比较器的第七接脚分别连接在三极管Q2的基极上；所述二极管D5和电阻R6相互串联后分别与第一比较器的第二接脚和第二比较器的第六接脚相连接；所述第一比较器的第三接脚与第一电位器RP1相连接，第二比较器的第五接脚与第二电位器RP2相连接；所述三极管Q2的集电极分别与MOS场效应管的漏极和源极相连接，所述发射极与第三电位器RP3相连接。更进一步的，还包括电阻R5、电阻R8、二极管D6和二极管D7；所述第一比较器的第一接脚依次通过电阻R5和二极管D7后与三极管Q2的基极相连接；所述第二比较器的第七接脚依次通过二极管D6和电阻R8后与三极管Q2的基极相连接。进一步的，所述第一比较器的第一接脚与电阻R5之间设有电容C6。更进一步的，还包括相互并联的滤波电容C2和滤波电容C8，所述负载通过并联的滤波电容C2和滤波电容C8后与MOS场效应管的漏极相连接。进一步的，还包括相互串联的电阻R1和电容C1，所述MOS场效应管的源极依次通过电阻R1和电容C1后连接在MOS场效应管的漏极上。更进一步的，还包括相互串联的LED灯和电阻R4，所述MOS场效应管的源极依次通过电阻R4和LED灯后连接在MOS场效应管的栅极。进一步的，还包括电阻R3，所述MOS场效应管的栅极通过电阻R3与电源的负极相连接。更进一步的，所述MOS场效应管为P_MOS场效应管。与现有技术相比，本专利技术技术方案的有益效果是：本专利技术公开的后级直流电源电路，在使用时，如果因为开关电源或适配器本身质量问题，导致电压输出不稳定时，本设计可以启动开启电压检测功能，切断后级输出负载电压回路，而当人为使用电源不规范，比如超高压或低压电源插在产品中，本设计就启动过欠压保护检测功能，切断后级输出负载电压回路；当人为操作不当，如电源正负反接，短路等，本设计启动开启防反接短路检测功能，切断后级输出负载电压回路；避免由于前级开关电源或适配器本身质量问题，或人为使用电源不规范，操作不当等造成不必要的后级系统元器件损坏，或电源自身烧坏等故障。附图说明图1是本专利技术中电路的框图。图2是本专利技术中完整的电路图。图3是本专利技术中本专利技术的过流过载，防反插检测系统的供电电路图。图4是本专利技术中开启电压，过压，欠压检测的电路图。图中，1为PTC自恢复保险丝、2为MOS场效应管、3为负载、4为第一比较器、5为第二比较器。具体实施方式附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接连接，可以说两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术的具体含义。下面结合附图和实施例对本专利技术的技术方案做进一步的说明。如图1所示，一种后级直流电源电路，包括PTC自恢复保险丝1、MOS场效应管2和负载3，还包括电压检测模块；MOS场效应管的源极通过PTC自恢复保险丝连接在电源的正极；MOS场效应管的栅极连接在电源的负极；电压检测模块一端与MOS场效应管的漏极相连，另一端与MOS场效应管的源极相连接；负载设置在MOS场效应管的源极上；如图2-4所示，电压检测模块包括第一比较器4、第二比较器5、二极管D5、电阻R6、第一电位器RP1、第二电位器RP2、第三电位器RP3和三极管Q2；第一比较器的第一接脚和第二比较器的第七接脚分别连接在三极管Q2的基极上；二极管D5和电阻R6相互串联后分别与第一比较器的第二接脚和第二比较器的第六接脚相连接；第一比较器的第三接脚与第一电位器RP1相连接，第二比较器的第五接脚与第二电位器RP2相连接；三极管Q2的集电极分别与MOS场效应管的漏极和源极相连接，发射极与第三电位器RP3相连接。在本专利技术中，还包括电阻R5、电阻R8、二极管D6和二极管D7；第一比较器的第一接脚依次通过电阻R5和二极管D7后与三极管Q2的基极相连接；第二比较器的第七接脚依次通过二极管D6和电阻R8后与三极管Q2的基极相连接，其中，在第一比较器的第一接脚与电阻R5之间设有电容C6，除此之外，还包括相互并联的滤波电容C2和滤波电容C8，负载通过并联的滤波电容C2和滤波电容C8后与MOS场效应管的漏极相连接，此外，还包括相互串联的电阻R1和电容C1，MOS场效应管的源极依次通过电阻R1和电容C1后连接在MOS场效应管的漏极上。在本专利技术中，还包括相互串联的LED灯和电阻R4，MOS场效应管的源极依次通过电阻R4和LED灯后连接在MOS场效应管的栅极，此外，还包括电阻R3，MOS场效应管的栅极通过电阻R3与电源的负极相连接，在本专利技术中，MOS场效应管为P_MOS场效应管。实施例在本专利技术中，当需要进行过流过载保护时，过流过载采用的是PTC自恢复保险丝，保险丝的参数需根据系统供电电流和电压进行器件选型，当后级负载电流过大，或者用户使用不当短路导致大电流超过保险丝最大限流参数，保险丝温度升高，阻值立即变无穷大，立即切断后级本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种后级直流电源电路，包括PTC自恢复保险丝、MOS场效应管和负载，其特征在于，还包括电压检测模块；/n所述MOS场效应管的源极通过PTC自恢复保险丝连接在电源的正极；/n所述MOS场效应管的栅极连接在电源的负极；/n所述电压检测模块一端与MOS场效应管的漏极相连，另一端与MOS场效应管的源极相连接；/n所述负载设置在MOS场效应管的源极上。/n

【技术特征摘要】
1.一种后级直流电源电路，包括PTC自恢复保险丝、MOS场效应管和负载，其特征在于，还包括电压检测模块；
所述MOS场效应管的源极通过PTC自恢复保险丝连接在电源的正极；
所述MOS场效应管的栅极连接在电源的负极；
所述电压检测模块一端与MOS场效应管的漏极相连，另一端与MOS场效应管的源极相连接；
所述负载设置在MOS场效应管的源极上。


2.根据权利要求1所述的后级直流电源电路，其特征在于，所述电压检测模块包括第一比较器、第二比较器、二极管D5、电阻R6、第一电位器RP1、第二电位器RP2、第三电位器RP3和三极管Q2；
所述第一比较器的第一接脚和第二比较器的第七接脚分别连接在三极管Q2的基极上；
所述二极管D5和电阻R6相互串联后分别与第一比较器的第二接脚和第二比较器的第六接脚相连接；
所述第一比较器的第三接脚与第一电位器RP1相连接，第二比较器的第五接脚与第二电位器RP2相连接；
所述三极管Q2的集电极分别与MOS场效应管的漏极和源极相连接，所述发射极与第三电位器RP3相连接。


3.根据权利要求2所述的后级直流电源电路，其特征在于，还包括电阻R5、电阻R8、二极管D6和二极管D7；
所述第一比较器的第一接脚依次通...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑孙满，刘志勇，符国定，
申请(专利权)人：广东美电贝尔科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44