一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路，包括电阻（R1、R2、R3、R4）、n沟道场效应单元Q1、NPN型三极管Q2、稳压二极管D1、TL431稳压源U1阳极，n沟道场效应单元Q1连接DC/DC模块电源负极，电阻R3、电阻R2连接的节点处连接DC/DC模块电源正极；本实用新型专利技术过压、过流保护电路通过各个电子器件之间的配合作用，阻止高电压、电流对后级DC/DC模块电源的冲击和损坏，适用于所有的合适电压范围内的输入电压电流的保护。

【技术实现步骤摘要】
一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路
本技术属于负载保护电路领域，具体涉及一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路。
技术介绍
就目前DC/DC模块电源应用电路来看，大部分都不具备对输入电压电流情况的一个保护功能，极少数可能具有保护也不够全面。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路，能够阻止高电压、电流对后级DC/DC模块电源的冲击和损坏。本技术所采用的技术方案是，一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路，包括一端连接直流插头负极输入端的电阻R1，电阻R1另一端连接n沟道场效应单元Q1的源极，直流插头负极输入端还连接NPN型三极管Q2的发射极，NPN型三极管Q2的基极分别连接稳压二极管D1阳极、TL431稳压源U1阳极、电阻R4一端、n沟道场效应单元Q1的源极，NPN型三极管Q2集电极分别连接稳压二极管D1阴极、TL431稳压源U1阴极、n沟道场效应单元Q1的栅极、电阻R2一端，电阻R4另一端、TL431稳压源U1参考极均连接电阻R3，电阻R3另一端、电阻R2另一端均连接直流插头正极输入端，n沟道场效应单元Q1的漏极连接DC/DC模块电源负极，直流插头正极输入端在连接电阻R3另一端、电阻R2另一端节点处连接DC/DC模块电源正极。本技术的特点还在于：n沟道场效应单元Q1包括n沟道场效应管，n沟道场效应管的漏极和源极之间连接稳压二极管，稳压二极管靠近漏极的端口为阴极，n沟道场效应管源极连接电阻R1，n沟道场效应管漏极连接DC/DC模块电源负极，n沟道场效应管的栅极连接NPN型三极管Q2的基极。本技术的有益效果是：本技术一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路，通过各个电子器件之间的配合作用，阻止高电压、电流对后级DC/DC模块电源的冲击和损坏，适用于所有的合适电压范围内的输入电压电流的保护。附图说明图1为本技术一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细说明。本技术一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路，如图1所示，包括一端连接直流插头负极输入端的电阻R1，电阻R1另一端连接n沟道场效应单元Q1的源极，直流插头负极输入端还连接NPN型三极管Q2的发射极，NPN型三极管Q2的基极分别连接稳压二极管D1阳极、TL431稳压源U1阳极、电阻R4一端、n沟道场效应单元Q1的源极，NPN型三极管Q2集电极分别连接稳压二极管D1阴极、TL431稳压源U1阴极、n沟道场效应单元Q1的栅极、电阻R2一端，电阻R4另一端、TL431稳压源U1参考极均连接电阻R3，电阻R3另一端、电阻R2另一端均连接直流插头正极输入端，n沟道场效应单元Q1的漏极连接DC/DC模块电源负极，直流插头正极输入端在连接电阻R3另一端、电阻R2另一端节点处连接DC/DC模块电源正极。n沟道场效应单元Q1包括n沟道场效应管，n沟道场效应管的漏极和源极之间连接稳压二极管，稳压二极管靠近漏极的端口为阴极，n沟道场效应管源极连接电阻R1，n沟道场效应管漏极连接DC/DC模块电源负极，n沟道场效应管的栅极连接NPN型三极管Q2的基极。本技术一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路工作原理为：本申请电路中电阻R3、电阻R4起到分压作用，电压R1能够产生一定的压降，通过压降监测电路电流，当输入正常电压范围的时候，该电路处于导通状态，也就是n沟道场效应单元Q1处于打开状态，NPN型三极管Q2处于截至状态，这样输入电压就正常的输入到DC/DC模块电源中。当输入电压升高到预设的保护电压使TL431稳压源U1就会工作导通，从而使n沟道场效应单元Q1停止工作关断输入电压的通路，从而阻止了过高电压对后级电路的损坏。当输入电流由于某些原因增加时，达到预设值时就会触发NPN型三极管Q2动作，从而引起n沟道场效应单元Q1关断阻止大输入电流对后级DC/DC模块电源的冲击和损坏。通过上述方式，本技术一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路，通过各个电子器件之间的配合作用，阻止高电压、电流对后级DC/DC模块电源的冲击和损坏，适用于所有的合适电压范围内的输入电压电流的保护。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路，其特征在于，包括一端连接直流插头负极输入端的电阻R1，电阻R1另一端连接n沟道场效应单元Q1的源极，所述直流插头负极输入端还连接NPN型三极管Q2的发射极，所述NPN型三极管Q2的基极分别连接稳压二极管D1阳极、TL431稳压源U1阳极、电阻R4一端、n沟道场效应单元Q1的源极，所述NPN型三极管Q2集电极分别连接稳压二极管D1阴极、TL431稳压源U1阴极、n沟道场效应单元Q1的栅极、电阻R2一端，所述电阻R4另一端、TL431稳压源U1参考极均连接电阻R3，所述电阻R3另一端、电阻R2另一端均连接直流插头正极输入端，所述n沟道场效应单元Q1的漏极连接DC/DC模块电源负极，所述直流插头正极输入端在连接电阻R3另一端、电阻R2另一端节点处连接DC/DC模块电源正极。/n

【技术特征摘要】
1.一种DC/DC模块电源输入过压、过流保护电路，其特征在于，包括一端连接直流插头负极输入端的电阻R1，电阻R1另一端连接n沟道场效应单元Q1的源极，所述直流插头负极输入端还连接NPN型三极管Q2的发射极，所述NPN型三极管Q2的基极分别连接稳压二极管D1阳极、TL431稳压源U1阳极、电阻R4一端、n沟道场效应单元Q1的源极，所述NPN型三极管Q2集电极分别连接稳压二极管D1阴极、TL431稳压源U1阴极、n沟道场效应单元Q1的栅极、电阻R2一端，所述电阻R4另一端、TL431稳压源U1参考极均连接电阻R3，所述电阻R3另一端、电阻R2另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锐，刘军宏，薛思杰，屈磊，
申请(专利权)人：西安闻朵电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61