用于传导高频信号的转接板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种用于传导高频信号的转接板及其制备方法，通过将TSV柱的端部转化形成圆弧化TSV端部或切角化TSV端部，并将圆弧化TSV端部或切角化TSV端部作为RDL层与TSV柱的连接处，从而可在不增加金属线宽的前提下，解决TSV柱与RDL层在信号转接时的适配问题。

【技术实现步骤摘要】
用于传导高频信号的转接板及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种用于传导高频信号的转接板及其制备方法。
技术介绍
毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到了广泛应用。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性提出了新的要求，对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上（SOC），因此需要把不同的芯片包括射频单元、滤波器、功率放大器等集成到一个独立的系统中以实现发射和接收信号的功能。射频信号在高频段进行传播时，在经过具有转折点的金属传输线时，往往会出现信号插损增大的问题，通常解决该问题一般要对金属连接处的转折部分进行仿真，通过适当增大金属线宽的方式来匹配电阻。对于TSV柱与RDL层之间的互联部分，由于存在连接转折部分，一般设计时需要对拐点进行仿真，增大互联的线宽来匹配电阻，而实际上随着现在射频模组集成度越来越高，已经没有足够的面积来设置更宽的互联。因此，提供一种用于传导高频信号的转接板及其制备方法，实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于传导高频信号的转接板及其制备方法，用于解决现有技术中信号转接的适配问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于传导高频信号的转接板，所述转接板包括：基底；TSV柱，所述TSV柱位于所述基底中，且所述TSV柱的端部为圆弧化TSV端部；RDL层，所述RDL层位于所述基底中，所述RDL层与所述TSV柱相接触，且所述圆弧化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处；介电层，所述介电层覆盖所述RDL层及所述基底；互联金属柱，所述互联金属柱位于所述介电层中，所述互联金属柱与所述RDL层相接触。可选地，所述介电层覆盖所述圆弧化TSV端部。本专利技术还提供一种用于传导高频信号的转接板，所述转接板包括：基底；钝化层，所述钝化层覆盖所述基底；TSV柱，所述TSV柱位于所述基底中，所述TSV柱的端部凸出于所述基底并贯穿所述钝化层，且所述TSV柱的端部为圆弧化TSV端部；RDL层，所述RDL层位于所述钝化层上，所述RDL层与所述TSV柱相接触，且所述圆弧化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处；介电层，所述介电层覆盖所述RDL层及所述钝化层；互联金属柱，所述互联金属柱位于所述介电层中，所述互联金属柱与所述RDL层相接触。可选地，所述TSV柱的端部为切角化TSV端部，且所述切角化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处。本专利技术还提供一种用于传导高频信号的转接板的制备方法，包括以下步骤：提供基底；于所述基底中形成TSV柱，且所述TSV柱的端部为圆弧化TSV端部；自所述基底的背面减薄所述基底，于所述基底中形成显露所述圆弧化TSV端部的凹槽，并于所述凹槽中形成与所述TSV柱相接触的RDL层，且所述圆弧化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处；于所述基底上形成介电层，所述介电层覆盖所述RDL层及所述基底；于所述介电层中形成与所述RDL层相接触的互联金属柱。可选地，形成的所述介电层覆盖所述圆弧化TSV端部。本专利技术还提供一种用于传导高频信号的转接板的制备方法，包括以下步骤：提供基底；于所述基底中形成TSV柱；自所述基底的正面去除部分所述基底，显露所述TSV柱的端部；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述TSV柱的端部，形成圆弧化TSV端部；于所述基底上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述基底，并显露所述圆弧化TSV端部；于所述钝化层上形成RDL层，所述RDL层与所述TSV柱相接触，且所述圆弧化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处；形成介电层，所述介电层覆盖所述RDL层及所述钝化层；于所述介电层中形成与所述RDL层相接触的互联金属柱。可选地，刻蚀所述TSV柱的端部采用干法刻蚀工艺，以形成切角化TSV端部。可选地，形成所述圆弧化TSV端部的步骤包括：提供基底；于所述基底中形成TSV柱；于所述基底的正面形成与所述TSV柱相接触的金属凸块；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述金属凸块，形成圆弧化TSV端部。可选地，刻蚀所述金属凸块采用干法刻蚀工艺，以形成切角化TSV端部。如上所述，本专利技术的用于传导高频信号的转接板及其制备方法，通过将TSV柱的端部转化形成圆弧化TSV端部或切角化TSV端部，并将圆弧化TSV端部或切角化TSV端部作为RDL层与TSV柱的连接处，从而可在不增加金属线宽的前提下，解决TSV柱与RDL层在信号转接时的适配问题。附图说明图1显示为本专利技术实施例一中形成TSV柱后的结构示意图。图2显示为本专利技术实施例一中减薄基底后的结构示意图。图3显示为本专利技术实施例一中形成凹槽后的结构示意图。图4显示为本专利技术实施例一中形成RDL层后的结构示意图。图5显示为本专利技术实施例一中形成互联金属柱后的结构示意图。图6显示为本专利技术实施例二中形成凹槽后的结构示意图。图7显示为本专利技术实施例二中形成RDL层后的结构示意图。图8显示为本专利技术实施例二中形成互联金属柱后的结构示意图。图9显示为本专利技术实施例三中形成TSV柱后的结构示意图。图10显示为本专利技术实施例三中形成圆弧化TSV端部后的结构示意图。图11显示为本专利技术实施例三中形成钝化层后的结构示意图。图12显示为本专利技术实施例三中形成RDL层后的结构示意图。图13显示为本专利技术实施例三中形成互联金属柱后的结构示意图。图14显示为本专利技术实施例四中形成互联金属柱后的结构示意图。元件标号说明110、120、130、140-基底；111、121-凹槽；210、220、230、240-TSV柱；310、320、330、340-RDL层；410、420、430、440-介电层；510、520、530、540-互联金属柱；630、640-钝化层。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。如在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于传导高频信号的转接板，其特征在于，所述转接板包括：/n基底；/nTSV柱，所述TSV柱位于所述基底中，且所述TSV柱的端部为圆弧化TSV端部；/nRDL层，所述RDL层位于所述基底中，所述RDL层与所述TSV柱相接触，且所述圆弧化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处；/n介电层，所述介电层覆盖所述RDL层及所述基底；/n互联金属柱，所述互联金属柱位于所述介电层中，所述互联金属柱与所述RDL层相接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于传导高频信号的转接板，其特征在于，所述转接板包括：
基底；
TSV柱，所述TSV柱位于所述基底中，且所述TSV柱的端部为圆弧化TSV端部；
RDL层，所述RDL层位于所述基底中，所述RDL层与所述TSV柱相接触，且所述圆弧化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处；
介电层，所述介电层覆盖所述RDL层及所述基底；
互联金属柱，所述互联金属柱位于所述介电层中，所述互联金属柱与所述RDL层相接触。


2.根据权利要求1所述的转接板，其特征在于：所述介电层覆盖所述圆弧化TSV端部。


3.一种用于传导高频信号的转接板，其特征在于，所述转接板包括：
基底；
钝化层，所述钝化层覆盖所述基底；
TSV柱，所述TSV柱位于所述基底中，所述TSV柱的端部凸出于所述基底并贯穿所述钝化层，且所述TSV柱的端部为圆弧化TSV端部；
RDL层，所述RDL层位于所述钝化层上，所述RDL层与所述TSV柱相接触，且所述圆弧化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处；
介电层，所述介电层覆盖所述RDL层及所述钝化层；
互联金属柱，所述互联金属柱位于所述介电层中，所述互联金属柱与所述RDL层相接触。


4.根据权利要求3所述的转接板，其特征在于：所述TSV柱的端部为切角化TSV端部，且所述切角化TSV端部作为所述RDL层与所述TSV柱的连接处。


5.一种用于传导高频信号的转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底；
于所述基底中形成TSV柱，且所述TSV柱的端部为圆弧化TSV端部；
自所述基底的背面减薄所述基底，于所述基底中形成显露所述圆弧化TSV端部的凹槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，黄雷，郭西，高群，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33