半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。本发明专利技术采用湿法刻蚀工艺去除无定形硅层时，湿法刻蚀的刻蚀液中含有醇，这样在去除无定形硅层的时候，隔离件和鳍部之间的无定形硅层可以被完全消除或基本消除，不会在鳍部和隔离件之间有残留的无定形硅层，从而提高半导体器件的性能和质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，位于衬底上且横跨鳍部的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。然而，随着半导体器件的尺寸缩小，器件密度的提高，所形成的鳍式场效应晶体管的性能不稳定。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件的形成方法，从而提高半导体器件的使用性能。为解决上述问题，本专利技术提供半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：/n提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；/n在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；/n在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；/n在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；/n采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；
在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；
在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；
在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；
采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。


2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述醇为异丙醇或乙醇或1,6-己二醇。


3.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀液中还包括碱性水溶液。


4.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述碱性水溶液为碱性溶液与水的混合液，所述碱性溶液为NH4OH碱性溶液或TMAH碱性溶液或EDA碱性溶液或KOH碱性溶液。
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐睿智，李波，刘琳，黄豪俊，刘佳磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31