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本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。