一种用于处理半导体衬底的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术关于一种用于处理半导体衬底的装置和方法。在本发明专利技术提供的实施例中，提供一种用于处理半导体衬底的装置，前述装置包含衬底载台以及气体源。前述衬底载台用于承载前述衬底于其上，包含衬底载台基座，以及形成于前述基体载台基座上的第一开口。前述第一开口为环形开口。前述气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体/空气供应至前述衬底的下表面。

【技术实现步骤摘要】
一种用于处理半导体衬底的装置和方法
本专利技术关于一种用于黄光微影制程中，在曝光过程中用于固定半导体衬底的载台。更进一步来说，本专利技术关于一种在曝光过程中用于固定半导体衬底的载台，其不会与半导体衬底的背面接触，以预防位于半导体衬底背面的微粒在曝光过程中造成对焦错误的情况发生
技术介绍
一般来说，黄光微影制程通常用于在半导体衬底上形成且图案化光敏涂层，例如光阻层。为了达成前述目的，在黄光微影制程中，半导体衬底会先涂布一层光阻材料。紧接着，前述光阻材料层进行曝光制程来定义预先决定的图案于光阻材料层上。在曝光制程中，前述半导体衬底被传送进曝光装置中(例如步进式曝光装置或是扫描式曝光装置)，并藉由真空的方式固定于半导体衬底基座上。图案藉由穿过光罩的光源，投影至前述半导体衬底上，在前述半导体衬底上成像。然而，位于前述衬底的背面或前述衬底基座之上表面的颗粒可能引起前述衬底固定在前述衬底基座上时产生变形，且前述因颗粒造成衬底的变形可能在曝光过程中引发预料外的结果。附图说明图1为根据本专利技术实施例中，用于处理半导体衬底的装置100示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理一衬底的装置，其特征在于，包含：/n衬底载台，用于承载前述衬底于其上，前述衬底载台包含在其中形成有第一开口的衬底承载座，其中前述第一开口为环形开口；以及/n气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体/空气供应到前述衬底的下表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于处理一衬底的装置，其特征在于，包含：
衬底载台，用于承载前述衬底于其上，前述衬底载台包含在其中形成有第一开口的衬底承载座，其中前述第一开口为环形开口；以及
气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体/空气供应到前述衬底的下表面。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，其中，前述衬底承载座还包含第二开口，前述装置还包括真空源，前述真空源与前述第二开口连接，通过前述第二开口抽离位于前述衬底承载座的上表面和前述底衬底的下表面间的第二气体/空气。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，其中，前述衬底载台还包括衬底边缘承载座，前述衬底边缘承载座与前述衬底承载座相邻，并具有侧壁，前述侧壁具有与前述真空源连接的第三开口。


4.一种用于处理半导体衬底的装置，其特征在于，包含：
衬底载台，用于承载前述衬底于其上，前述衬底载台还包括：
衬底承载座；和
衬底边缘承载座，前述衬底边缘承载座与前述衬底载台相邻，具有侧壁，前述侧壁具有第一开口；以及
气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体/空气供应到前述衬底的边缘，将前述衬底保持在前述衬底承载座的中心。


5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，还包括：第一通道，前述第一通道连接于前述第一开口和前述气体源之间，前述第一通道与水平线间夹一锐角。


6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，其中，前述衬底边缘承载座的前述侧壁还具有第二开口，前述装置还包括真...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁贤石，金帅炯，金成昱，权炳仁，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37