耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法及其应用，旨在解决目前氧化铝生产中耐腐蚀碳化硅陶瓷烧结工艺复杂、成本高的技术问题的技术问题。本发明专利技术的制备方法为：取α‑SiC微粉85～90份、β‑SiC微粉5～9份、烧结助剂1～1.2份、分散剂3.5～5份、粘结剂0.3～0.5份，混合得研磨混合料；将所述研磨混合料球磨得浆料；将所述浆料喷雾干燥，造粒；将所述造粒所得的粉料无压烧结；并将所述的耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法制得的材料在氧化铝生产中应用。本发明专利技术的制备方法成本低、操作简单；不产生二次污染，无废气、废液及废气排放，对环境友好，适合大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法及其应用
本专利技术涉及碳化硅陶瓷制备
，具体涉及一种耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法及其应用。
技术介绍
腐蚀磨损是引起摩擦材料损伤的主要形式之一。在氧化铝生产过程中，生产系统中有部分机械密封件长期工作于腐蚀性环境，不耐腐蚀的装置或部件会引起密封性能的变化，导致机械密封件使用寿命短，使得生产成本大大提高。碳化硅陶瓷具有良好的化学稳定性，可以应用于各种腐蚀性强的酸碱性介质中。然而，由于碳化硅化学键特性，其陶瓷烧结条件较为苛刻，必须借助添加剂或外部压力或反应才能实现致密化，碳化硅陶瓷的难烧结性使高性能碳化硅陶瓷的成本居高不下，严重阻碍了其应用。碳化硅陶瓷烧结制备方法多样，组成结构复杂，产品性能也有明显不同。常压烧结的热压烧结碳化硅陶瓷耐腐蚀性较强，热压烧结碳化硅陶瓷在高温下扔可具有良好的化学稳定性。但是，目前的烧结制备方法工艺复杂，成本高，烧结条件严苛，对操作工的要求高。因此，开发一种工艺简单、成本低的耐腐蚀碳化硅的制备方法，是当前氧化铝生产中迫切需要解决的技术问题之一。<br>
技术实现思路
<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）以质量份数计，取α-SiC微粉85～90份、β-SiC微粉5～9份、烧结助剂1～1.2份、分散剂3.5～5份、粘结剂0.3～0.5份，混合得研磨混合料；/n（2）将所述研磨混合料以料、水、球质量比为1：:0.8～1:1.5～1.8的比例加入研磨球；以400～450r/min转速球磨3～5h，过250～300目筛，得浆料；/n（3）将所述浆料喷雾干燥，造粒；/n（4）将所述造粒所得的粉料送入模具中，压制得素胚，在氩气的保护下进行无压烧结，烧结温度为1600～1650℃，保温3～3.5小时后缓慢降温到1400～1450℃，冷却即...

【技术特征摘要】
1.一种耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）以质量份数计，取α-SiC微粉85～90份、β-SiC微粉5～9份、烧结助剂1～1.2份、分散剂3.5～5份、粘结剂0.3～0.5份，混合得研磨混合料；
（2）将所述研磨混合料以料、水、球质量比为1：:0.8～1:1.5～1.8的比例加入研磨球；以400～450r/min转速球磨3～5h，过250～300目筛，得浆料；
（3）将所述浆料喷雾干燥，造粒；
（4）将所述造粒所得的粉料送入模具中，压制得素胚，在氩气的保护下进行无压烧结，烧结温度为1600～1650℃，保温3～3.5小时后缓慢降温到1400～1450℃，冷却即成。


2.依据权利要求1所述的耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述α-SiC微粉由0.027%的SiO2、0.018%的Fe2O3、0.02...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟德安，刘淼，王成斌，
申请(专利权)人：郑州海赛高技术陶瓷有限责任公司，
类型：发明
国别省市：河南;41