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本发明公开了一种耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法及其应用，旨在解决目前氧化铝生产中耐腐蚀碳化硅陶瓷烧结工艺复杂、成本高的技术问题的技术问题。本发明的制备方法为：取α‑SiC微粉85～90份、β‑SiC微粉5～9份、烧结助剂1～1.2份、分散剂3.5...
该专利属于郑州海赛高技术陶瓷有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过郑州海赛高技术陶瓷有限责任公司授权不得商用。

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