热熔断器及用于热熔断器的金属壳体制造技术

本发明专利技术提供了一种热熔断器及用于热熔断器的金属壳体，其中，该热熔断器包括：壳体，壳体沿纵向轴线从第一端延伸至第二端，壳体具有内部空间，壳体有内表面和外表面；其中，壳体包括多层金属材料，多层金属材料包括：铜基层；第一镍层，设置在铜基层的第一侧且包括外表面；第二镍层，设置在铜基层的第二侧，第二侧和第一侧相对设置；银层，设置在第二镍层且包括内表面。通过本发明专利技术，解决了热熔断器中银含量不合理的问题，达到了在保持热熔断器性能的基础上，优化银含量的效果。

【技术实现步骤摘要】
热熔断器及用于热熔断器的金属壳体
本专利技术涉及温控领域，具体而言，涉及一种热熔断器及用于热熔断器的金属壳体。
技术介绍
为了保护工业或者家用电子、电气设备的过热损坏而使用热熔断器。热熔断器作为感知设备的温度，并在异常过热时迅速切断电路的保护元器件，应用场景非常广泛，包括各种家电产品、移动设备、通信设备、办公设备、车载设备、电源适配器、充电器、电动机、电池以及其它的电子元器件。相关技术中，因为银的导电性比较高，银可以作为热熔断器铜外壳的镀层，热熔断器的外壳的内表面和外表面都镀有银。但是大量的银的使用，银的使用量不合理，导致了成本浪费。针对相关技术中的热熔断器中银含量不合理的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
为解决上述问题，提供了一种热熔断器及用于热熔断器的金属壳体。一方面，提供了一种热熔断器，包括：壳体，所述壳体沿纵向轴线从第一端延伸至第二端，所述壳体具有内部空间，所述壳体有内表面和外表面；第一导电构件，设置在所述壳体的第一端，并且在沿着所述纵向轴线的方向上从所述壳体延伸；...

【技术保护点】
1.一种热熔断器，其特征在于，包括：/n壳体，所述壳体沿纵向轴线从第一端延伸至第二端，所述壳体具有内部空间，所述壳体有内表面和外表面；/n第一导电构件，设置在所述壳体的第一端，并且在沿着所述纵向轴线的方向上从所述壳体延伸；/n第二导电构件，设置在所述壳体的所述第二端，在沿着所述纵向轴线的方向上从所述壳体延伸，并且在远端包括接触表面，所述远端设置在所述壳体的内部空间内；/n热响应构件，包括非导电材料，所述非导电材料在达到阈值温度或高于所述阈值温度时从固态物理状态转变为非固态物理状态，设置在所述壳体的所述内部空间，且位于所述第一导电构件和所述第二导电构件的所述远端之间；/n导电的可移动接触构件，设...

【技术特征摘要】
1.一种热熔断器，其特征在于，包括：
壳体，所述壳体沿纵向轴线从第一端延伸至第二端，所述壳体具有内部空间，所述壳体有内表面和外表面；
第一导电构件，设置在所述壳体的第一端，并且在沿着所述纵向轴线的方向上从所述壳体延伸；
第二导电构件，设置在所述壳体的所述第二端，在沿着所述纵向轴线的方向上从所述壳体延伸，并且在远端包括接触表面，所述远端设置在所述壳体的内部空间内；
热响应构件，包括非导电材料，所述非导电材料在达到阈值温度或高于所述阈值温度时从固态物理状态转变为非固态物理状态，设置在所述壳体的所述内部空间，且位于所述第一导电构件和所述第二导电构件的所述远端之间；
导电的可移动接触构件，设置在所述壳体的内部，且位于所述热响应构件和所述第二导电构件的所述远端之间，所述可移动接触构件包括与所述壳体的内表面接触的周长部分；
第一偏压构件，设置在所述热响应构件与所述可移动接触构件之间，所述第一偏压构件在沿着所述纵轴的第一方向上作用于所述可移动的接触构件。
所述第二偏压构件设置在所述可移动接触构件和所述壳体的所述第二端之间，第二偏压构件在沿着纵轴的与所述第一方向相反的第二方向上对所述可移动接触构件起作用。
其中，当所述热响应构件低于所述阈值温度时，第一偏置构件的偏置力大于所述第二偏置构件的偏置力，所述可移动接触构件与所述第二导电构件的所述远端直接接触，所述热熔断器可操作为使电流流过所述热熔断器，其中，通过所述热熔断器的电流路径是从所述第一导电构件到所述壳体的内表面，然后再到所述可移动接触构件，再到所述第二导电构件；
其中，当所述热响应构件高于所述阈值温度时，所述第一偏置构件的偏置力小于所述第二偏置构件的偏置力，所述可移动接触构件移动远离所述第二导电构件的所述远端并与所述第二导电构件分离，所述可移动接触构件的周边部分保持与所述壳体的内表面接触并且所述热熔断器不能操作以通过所述热熔断器传导电流；
其中，所述壳体包括多层金属材料，所述多层金属材料包括：铜基层；第一镍层，设置在所述铜基层的第一侧且包括所述外表面；第二镍层，设置在所述铜基层的第二侧，所述第二侧和所述第一侧相对设置；银层，设置在所述第二镍层且包括所述内表面。


2.根据权利要求1所述的热熔断器，其特征在于，所述第一镍层的厚度的范围为15微英寸至约25微英寸，所述第二镍层的厚度的范围为3微英寸至5微英寸，所述银层的厚度的范围为4微英寸至100微英寸。


3.根据权利要求2所述的热熔断器，其特征在于，所述银层的厚度小于70微英寸。


4.根据权利要求2所述的热熔断器，其特征在于，所述银层的厚度小于30微英寸。


5.根据权利要求2所述的热熔断器，其特征在于，所述银层的厚度小于10微英寸。


6.根据权利要求2所述的热熔断器，其特征在于，所述银层的厚度的范围在4微英寸至约6微英寸之间。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的热熔断器，其特征在于，所述壳体的外表面的粗糙度Ra，Ra＞35微英寸。


8.根据权利要求1至6中任一项所述的热熔断器，其特征在于，所述铜基层包括：铜，含量范围为84％至86％，铅，含量范围小于或等于0.03％，铁，含量范围小于或等于0.05％，镉，含量范围小于或等于0.007％，镍，含量范围小于或等于0.01％，其余为锌。


9.根据权利要求8所述的热熔断器，其特征在于，所述铜基层包括黄铜H85Cu。


10.根据权利要求1至6或9中任一项所述的热熔断器，其特征在于，当所述热响应构件高于所述阈值温度并且所述可移...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵长才，管榕，谢宏芳，
申请(专利权)人：艾默生电气珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44