一种导电膜及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种导电膜及制备方法。导电膜包括：承载体，所述承载体设有第一表面，所述第一表面开设有第一凹槽和第二凹槽；导电网格，所述第一凹槽中填充导电材料形成相互连通的所述导电网格；电极引线，所述第二凹槽中填充导电材料形成所述电极引线；其中，所述第一凹槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度；所述导电材料至少包括两种及以上不同粒径的导电材料，所述第一凹槽中填充的导电材料平均粒径小于所述第二凹槽中填充的导电材料平均粒径。相比传统电极引线区域金属线密集且深宽比较大的设计，更易脱模，大大延长了模具的使用寿命，且导电材料密度更大，导电性更好。

【技术实现步骤摘要】
一种导电膜及制备方法本专利技术为申请人在2016年05月13日申请的专利技术专利第201610316606.0号专利技术名称为【一种导电膜及制备方法】的分案申请。
本专利技术涉及导电膜
，尤其涉及一种导电膜及制备方法。
技术介绍
透明导电膜是一种既具有高的导电性，又对可见光有很好的透光性的优良性能的导电膜，具有广泛的应用前景。近年来已经成功应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池的透明电极透明表面发热器及柔性发光器件等领域中。传统的触摸屏一般采用掺锡氧化铟(IndiumTinOxides，ITO)导电层。在制备ITO层时，总是不可避免的需要镀膜，图形化，电极银引线制作。且在ITO图形化的时候需要对ITO膜进行蚀刻，这种传统的制作流程复杂且冗长，使导电层的导电性差，从而导致良品率不高。并且这种制作流程对工艺、设备要求较高，还在蚀刻中浪费大量的ITO材料，以及产生大量的含重金属的工业废液。金属网导电膜技术的发展弥补了以上缺陷。金属网导电膜引线电极一般采用比较小的网格状设计，且网格线凹槽的深宽比与可视区透明电极的相同。其生产过程包括为先在基板上面涂布一层UV胶或压印胶，然后将模具贴合在基板上，固化，最后脱模。然而，在模具和胶质材料脱模的过程中，模具上会有胶质材料的残留，影响模具的使用，更会导致生产无法正常进行。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种导电膜及制备方法以解决以上所述的技术问题。本专利技术的一个技术方案是：一种导电膜，包括：承载体，所述承载体设有第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面；导电区，所述承载体的第一表面开设有第一凹槽，且所述第一凹槽形成相互连通的网格；所述第一凹槽中填充导电材料形成相互连通的导电网格，所述相互连通的导电网格形成所述导电区；引线区，所述承载体的第一表面开设有第二凹槽，所述第二凹槽中填充导电材料形成电极引线，所述电极引线形成所述引线区；所述电极引线与所述导电网格电性连接；所述第一凹槽深度为m与第一凹槽宽度为n，m、n之比为A，所述第二凹槽深度为m与第二凹槽宽度为s，m、s之比为B；其中，B<A。在其中一个实施例中，所述导电区包括彼此绝缘的若干导电网格形成的若干导电通道，所述每个导电通道分别对应电性连接所述电极引线。在其中一个实施例中，相邻的所述导电通道之间设有配色区，所述配色区具有所述第一凹槽，且所述第一凹槽形成网格；所述第一凹槽中填充导电材料形成配色区。在其中一个实施例中，所述第二凹槽深度与第二凹槽宽度之比B小于0.8。在其中一个实施例中，所述第二凹槽深度与第二凹槽宽度之比B小于等于0.5。在其中一个实施例中，所述第一凹槽中填充的导电材料平均粒径小于所述第二凹槽中填充的导电材料平均粒径。在其中一个实施例中，所述承载体为基底及设于所述基底上的基质层，所述导电区以及引线区设于所述基质层远离基底的一侧；或，所述承载体为聚合物，所述导电区以及引线区设于所述聚合物的第一表面。在其中一个实施例中，所述承载体的第二表面也设有导电区和引线区，所述导电网格和所述电极引线电性连接；或，所述承载体第一表面侧设有绝缘层，所述绝缘层远离第一表面的一侧设有导电区和引线区，所述导电网格和所述电极引线电性连接。在其中一个实施例中，所述基质层以及聚合物为热固性胶或光固化胶。在其中一个实施例中，所述填充导电材料选自金属、金属氧化物或有机导电材料中一种或几种。在其中一个实施例中，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于500nm的导电材料及粒径小于等于500nm的导电材料。在其中一个实施例中，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于等于800nm的导电材料及粒径小于等于400nm的导电材料。本专利技术还揭示一种导电膜制备方法，包括以下步骤：S1、在承载体表面上开设第一凹槽以及第二凹槽，且所述第一凹槽形成相互连通的网格；S2、使所述第一凹槽深度为m与第一凹槽宽度为n，m、n之比为A，所述第二凹槽深度为m与第二凹槽宽度为s，m、s之比为B，其中，B<A；S3、在所述第一凹槽以及第二凹槽内填充导电材料，所述第一凹槽中填充导电材料形成相互连通的导电网格，所述相互连通的导电网格形成导电区；所述第二凹槽中填充导电材料形成电极引线，所述电极引线形成引线区；所述电极引线与所述导电网格之间电性连接。在其中一个实施例中，在所述导电区上设置若干导电网格以形成若干导电通道，且所述导电通道之间彼此绝缘，每个所述导电通道一端都电性连接有电极引线。在其中一个实施例中，所述相邻的导电通道之间设有配色区域，所述配色区具有所述第一凹槽，且所述第一凹槽形成网格；所述第一凹槽中填充导电材料形成配色区。在其中一个实施例中，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于500nm导电材料及粒径小于等于500nm的导电材料。在其中一个实施例中，所述第一凹槽以及第二凹槽内填充导电材料方法为先填充粒径大于500nm的导电材料，然后在填充粒径小于500nm的导电材料；或，先填充粒径小于500nm的导电材料，然后在填充粒径大于500nm的导电材料。本专利技术的有益效果：(1)本专利技术提供的技术方案，导电区使用第一凹槽，电极引线使用第二凹槽，所述第一凹槽深度为m与第一凹槽宽度为n，m、n之比为A，所述第二凹槽深度为m与第二凹槽宽度为s，m、s之比为B；其中，B<A；相比传统电极引线区域金属线密集且深宽比较大的设计，更易脱模，大大延长了模具的使用寿命，且导电材料密度更大，导电性更好。(2)本专利技术提供的技术方案，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于500nm导电材料及粒径小于等于500nm的导电材料，这样一来电极引线区域含有两种以上粒径的导电材料，这样很好的增强了电极引线的导电性，由于深宽比不同，所以电极引线区域的第二凹槽能更好的容纳大粒径的导电材料。附图说明图1为本专利技术一种导电膜截面结构示意图。图2为本专利技术一种导电膜平面结构示意图。图3为本专利技术一种导电膜部分放大结构示意图。图4为本专利技术一种导电膜又一种截面结构示意图。图5为本专利技术一种导电膜又一种平面结构示意图。图6为本专利技术一种导电膜又一种放大结构示意图。图7为本专利技术一种导电膜另一种截面结构示意图。图8为本专利技术一种导电膜另一种截面结构示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电膜，其包括：/n承载体，所述承载体设有第一表面，所述第一表面开设有第一凹槽和第二凹槽；/n导电网格，所述第一凹槽中填充导电材料形成相互连通的所述导电网格；/n电极引线，所述第二凹槽中填充导电材料形成所述电极引线；/n其中，所述第一凹槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度；所述导电材料至少包括两种及以上不同粒径的导电材料，所述第一凹槽中填充的导电材料平均粒径小于所述第二凹槽中填充的导电材料平均粒径。/n

【技术特征摘要】
1.一种导电膜，其包括：
承载体，所述承载体设有第一表面，所述第一表面开设有第一凹槽和第二凹槽；
导电网格，所述第一凹槽中填充导电材料形成相互连通的所述导电网格；
电极引线，所述第二凹槽中填充导电材料形成所述电极引线；
其中，所述第一凹槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度；所述导电材料至少包括两种及以上不同粒径的导电材料，所述第一凹槽中填充的导电材料平均粒径小于所述第二凹槽中填充的导电材料平均粒径。


2.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于500nm的导电材料和粒径小于等于500nm的导电材料。


3.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于等于800nm的导电材料及粒径小于等于400nm的导电材料。


4.根据权利要求3所述的一种导电膜，其特征在于，所述第一凹槽中填充的导电材料不包含粒径大于等于800nm的导电材料。


5.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述第一凹槽深度为m与第一凹槽宽度为n，m、n之比为A，所述第二凹槽深度为m与第二凹槽宽度为s，m、s之比为B；其中，B<A。


6....

【专利技术属性】
技术研发人员：张健，
申请(专利权)人：昇印光电昆山股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32