【技术实现步骤摘要】
单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物及其制备方法本申请为2015年12月09日提交中国专利局、申请号为CN201510899919.3、专利技术名称为“单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物制备方法”的中国专利申请的分案申请,其全部内容通过引用结合在本申请中。
本专利技术属于材料
,特别涉及一种化合物及其制备方法。
技术介绍
过渡金属碳化物、氮化物具有强的共价键,使此类化合物都具有一系列超越其他材料的优异的性能,例如极高的熔点,较高的硬度,很好的耐磨性,强抗腐蚀性,耐磨损等,正是具有这些性能使得这类材料在高温和耐磨等众多领域都得到广泛应用。但这些材料也同时具备共同的弱点:脆性大和难烧结,这两大问题在一定程度上限制了这类材料更广泛的应用。例如,为了解决使用中的脆性断裂问题,通常是在材料中添加不同的纤维。而极高的烧结温度,又对纤维材料的选择成为问题。如常用的Al2O3、SiC等纤维,很难在超高温下完整存在。SiC纤维在温度超过2200℃将分解,目前还没有超过这一温度的新的品种。另一方面,即使采用较 ...
【技术保护点】
1.一种单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n将TiC
【技术特征摘要】
1.一种单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将TiC0.5+NbC+VC+TiN复合粉体混合均匀,装入球磨罐中,然后将球磨罐密封后安装在球磨机上进行球磨混料,球磨机转速为60r/min,球磨时间为4h;打开球磨罐,将混合好的料取出,根据混合料的理论密度计算,称取需获得致密烧结体需要的复合粉体,并装入事先准备好的石墨模具中,将上下压头塞入密封;将上述装填好复合粉体的石墨模具置于等离子放电烧结机直接热压烧结,抽真空至7×10-3Pa,进行烧结,烧结温度:1200℃,保温时间:30min,升温速度:30℃/min;压头压力:5...
【专利技术属性】
技术研发人员:王明智,邹芹,赵玉成,张志超,杨倩,田东霞,彭冲,
申请(专利权)人:燕山大学,
类型:发明
国别省市:河北;13
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