阵列基板及显示面板制造技术

公开一种阵列基板及显示面板，包括依次层叠设置的衬底、第一电极、第一绝缘层、第二电极，设置于第二电极上的第一有源层和第二有源层，设置于第一有源层和第二有源层上的第二绝缘层，以及设置于第二绝缘层上的第一栅极和第二栅极，第一有源层的两端分别与所述第二电极、第一电极形成欧姆接触，第二有源层的两端分别与第二电极、第一电极形成欧姆接触。本发明专利技术实施例提供具有双沟道双栅的立体TFT结构，当其中一个沟道失效后，另外一个沟道仍然能够起到开关作用，可提高器件的可靠性；另外，双沟道的设计可在一定程度上提高源极和漏极之间的电流，且本发明专利技术实施例不需要对有源层进行导体化处理，可降低薄膜晶体管的生产成本，简化制作工艺。制作工艺。制作工艺。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有宽视角、广色域、高对比度、低功耗和可折叠/柔性等一系列优点，在当今显示技术中极具竞争力和发展前景，其中AMOLED(Active
‑
Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)技术更是当前显示技术的重点发展方向之一。
[0003]IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)作为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)中的非晶氧化物半导体薄膜，其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也能大大提高像素的行扫描速率，使得大尺寸超高分辨率面板成为可能。另外，由于晶体管数量的减少和每个像素透光率的提高，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。并且，IGZO可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面，IGZO相比低温多晶硅在AMOLED领域更具有竞争力。
[0004]但目前用来驱动显示面板的TFT器件有顶栅和底栅两种形式，通常只有一个沟道，当此沟道失效后，就无法继续起到开关作用，因此会降低器件的可靠性。
[0005]综上，现有的TFT器件结构有待改进。
专利技术内容
[0006]本专利技术实施例提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有的阵列基板的薄膜晶体管通常只有一个沟道，当此沟道失效后，就无法起到开关的作用，会影响器件的可靠性的技术问题。
[0007]为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：
[0008]本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底上；第一绝缘层，设置于所述第一电极上；第二电极，设置于所述第一绝缘层上；第一有源层和第二有源层，间隔设置于所述第二电极的两端上；第二绝缘层，设置于所述第一有源层和所述第二有源层上；以及第一栅极和第二栅极，间隔设置于所述第二绝缘层上，且所述第一栅极与所述第一有源层对应，所述第二栅极与所述第二有源层对应；其中，所述第一有源层的两端分别与所述第二电极、所述第一电极形成欧姆接触，所述第二有源层的两端分别与所述第二电极、所述第一电极形成欧姆接触。
[0009]在本专利技术的一些实施例中，所述第一有源层搭接在所述第二电极的一端，所述第二有源层搭接在所述第二电极的另一端。
[0010]在本专利技术的一些实施例中，所述第一绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述第一电极在所述衬底上的正投影内。
[0011]在本专利技术的一些实施例中，所述第一绝缘层包括多个过孔，所述第一有源层、所述
第二有源层分别通过相应的过孔与所述第一电极连接。
[0012]在本专利技术的一些实施例中，所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述第一绝缘层在所述衬底上的正投影内。
[0013]在本专利技术的一些实施例中，所述第二绝缘层覆盖所述第一有源层和所述第二有源层。
[0014]在本专利技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括：钝化层，设置于所述第一栅极和所述第二栅极上；平坦层，设置于所述钝化层上；阳极层，设置于所述平坦层上。
[0015]在本专利技术的一些实施例中，所述平坦层上设置有过孔，所述过孔贯穿所述平坦层、所述钝化层以及所述第二绝缘层，以露出所述第二电极的部分表面，所述阳极层通过所述过孔与所述第二电极电性连接。
[0016]在本专利技术的一些实施例中，所述第一栅极和所述第一有源层位于所述过孔的一侧，所述第二栅极和所述第二有源层位于所述过孔的相对的另一侧。
[0017]在本专利技术的一些实施例中，所述第一电极、所述第二电极、所述第一栅极以及所述第一有源层构成第一薄膜晶体管，所述第一电极、所述第二电极以及所述第二有源层构成第二薄膜晶体管。
[0018]相应地，本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括上述任一实施例中的阵列基板，以及设置于所述阵列基板上的发光器件。
[0019]本专利技术的有益效果为：本专利技术实施例提供的阵列基板及显示面板，具有双沟道双栅的立体TFT结构，当其中一个沟道失效后，另外一个沟道仍然能够起到开关作用，可提高器件的可靠性；另外，双沟道的设计可在一定程度上提高源极和漏极之间的电流，且不需要对有源层进行导体化处理，可降低薄膜晶体管的生产成本，简化制作工艺。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0021]图2为本专利技术其他实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的另一结构示意图；
[0023]图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤流程图；
[0024]图5为本专利技术实施例提供的第一电极的制备过程的结构示意图；
[0025]图6为本专利技术实施例提供的第二电极的制备过程的结构示意图；
[0026]图7为本专利技术实施例提供的第一有源层和第二有源层的制备过程的结构示意图；
[0027]图8为本专利技术实施例提供的第一栅极和第二栅极的制备过程的结构示意图；
[0028]图9为本专利技术实施例提供的钝化层的制备过程的结构示意图；
[0029]图10为本专利技术实施例提供的平坦层的制备过程的结构示意图。
[0030]附图标记说明：
[0031][0032]具体实施方式
[0033]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0034]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0035]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底上；第一绝缘层，设置于所述第一电极上；第二电极，设置于所述第一绝缘层上；第一有源层和第二有源层，间隔设置于所述第二电极上；第二绝缘层，设置于所述第一有源层和所述第二有源层上；以及第一栅极和第二栅极，间隔设置于所述第二绝缘层上，且所述第一栅极与所述第一有源层对应，所述第二栅极与所述第二有源层对应；其中，所述第一有源层的两端分别与所述第二电极、所述第一电极形成欧姆接触，所述第二有源层的两端分别与所述第二电极、所述第一电极形成欧姆接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层搭接在所述第二电极的一端，所述第二有源层搭接在所述第二电极的另一端。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述第一电极在所述衬底上的正投影内。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括多个过孔，所述第一有源层、所述第二有源层分别通过相应的过孔与所述第一电极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨欢，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：