新半导体电子原理技术与器件制造技术

新半导体电子原理技术与器件，是半导体科学技术的根本变革，揭示半导体电子器件的工作是电导率变化，以电导率变化为基础的新半导体电子原理、技术、无源半导体电子器件和新软件与操作系统，取代以电流变化为基础的现半导体电子原理、技术、有源半导体电子器件和现软件与操作系统在所有半导体电子技术和设备中的应用，发明专利技术高稳定性可靠性和低功耗的新半导体电子器件，有效解决半导体电子器件发热等关键问题，在80℃以下环境温度中保持正常、稳定和可靠工作，降低产品成本，解决无人驾驶、人工智能和智慧医疗等领域亟待突破的关口。涉及半导体电子原理与技术、器件结构和工作原理、电路设计、器件制造和材料，产品功能与特性，属半导体电子技术领域。体电子技术领域。体电子技术领域。

【技术实现步骤摘要】
新半导体电子原理技术与器件


[0001]本专利技术是半导体科学技术的根本变革，以电导率变化为基础的新半导体电子原理、技术、无源半导体电子器件和新软件与新操作系统，取代以电流变化为基础的现半导体电子原理、技术、有源半导体电子器件和现在的软件与操作系统在所有半导体电子技术和设备中的应用。涉及半导体电子原理与技术、器件结构和工作原理、电路设计、软件开发与创建新操作系统、器件制造和材料，产品功能与特性，属于半导体电子


技术介绍

[0002]1947年John Bardeen(约翰.巴丁)在实验中发现：在适当接点输入电流可以调制半导体电导率，于是和William Shockley(威廉.肖克莱)、Walter Houser Brattain(沃尔特.H.布拉顿)专利技术晶体管，创立以电流变化为基础的现半导体电子理论。现半导体电子理论认为：晶体管是有源元件，以电流为自变量进行认识、分析、制造和电路设计，晶体管被分为结构、导电机制、工作原理和计算方程式不同的单极场效应晶体和双极结型晶体管。双极结型晶体管的工作原理是：从基极注入的电流产生和控制发射极电流(多数载流子受少数载流子控制)，单极场效应晶体管的工作原理是：栅极电压感生和控制漏极电流(场效应理论：横向电流受垂直电场控制)。集成电路的诞生使半导体科学技术飞速发展，广泛应用于从移动通信、电子计算机、武器系统到太空科学技术等的所有科学技术中，半导体科学技术成为当今最重要的学科。但随着半导体电子科学技术的迅速发展和广泛应用，面对日益要求提高半导体电子产品的功能和质量，现半导体电子理论和技术已无力有效解决稳定性、可靠性、功耗、速度和体积等问题，并成为制约半导体科学与技术继续发展的瓶颈，导致人们认为半导体科学与技术的发展已达到极限(由Science《科学》杂志在2000年发表多篇文章)。进入万物互联网时代，数据呈几何级增长，处理数据的能力、速度、稳定性和可靠性也
‘
水涨船高
’
，因此需要性能更强、稳定性可靠性更高、耗能更低的器件和芯片，解决这个重大问题的唯一途径，只有半导体科学技术的根本变革。
[0003]专利技术人从1957年起一直从事电子技术工作，在实际工作中发现一些现半导体电子理论与事实不符的问题，主要为：双极结型晶体管和单极场效应(MOS)晶体管为什么要用两个P-N结反向串联组成？同由两个P-N结反向串联组成的晶体管为什么工作原理不同？按现半导体电子理论：双极结型晶体管工作时集电极是加反偏电压，由于集电结是一个P-N结，按P-N结工作原理，反偏P-N结是一个高阻抗的阻挡层，正向电流不能通过，因此，发射极电流不能通过集电结到达集电极和成为集电极电流；同样，单极场效应(MOS)晶体管的漏极工作时是加反偏电压，漏极结也是一个P-N结，按P-N结工作原理，反偏P-N结是一个高阻抗的阻挡层，正向电流不能通过，因此，源极电流不能通过漏极结到达漏极和成为漏极电流，因此，现理论的认识不成立，但集电极电流和漏极电流是客观存在的，因此对晶体管的工作原理需重新认识。现半导体电子理论认定：双极结型晶体管和单极场效应晶体管都是有源电流元件，以电流变化作为认识和分析的根据，在双极结型晶体管中是，从基极注入的电流产生和控制发射极电流，或加在基极上的电压产生和控制发射极电流，晶体管的工作状态由
基极电流确定，集电极电流是线性变化，基极电流与集电极电流是线性关系：I
c
＝βI
B
+(β+1)I
cBo
，反向饱和电流I
cBo
成(β+1)倍的变化，是增加晶体管功耗、产生不稳定性和降低可靠性的根本原因，并认为反向饱和电流是由制造晶体管的材料和工艺决定，是晶体管必然存在的问题，因而是从制造晶体管的材料和工艺上寻求解决，及发射极电流只由从基极注入的电流决定，与集电极电压和负载阻抗的变化无关。但事实是：发射极电流远大于基极电流，从基极注入的电流是怎样产生发射极电流？和使发射极电流突变？使发射极电流产生和突变的机制是什么？如果I
c
＝βI
B
+ (β+1)I
cBo
成立，由于基极电流与集电极电流是两个独立的电流迴路，基极电流是怎样放大集电极电流的？放大集电极电流的机制是什么？对于每只晶体管电流放大系数β是变数还是常数和由那些参数决定？按现理论，在双极结型晶体管中既然是从基极注入的电流产生发射极电流，那么从基极注入任意值的电流都应产生发射极电流，但事实是，当加在基极上的电压低于某值时，晶体管处于截止状态，与注入基极的电流无关，决定晶体管处于导通或截止状态的是加在基极上的电压，不是注入基极的电流，和双极结型晶体管的集电极电流与集电极电压和负载阻抗的变化有关。在单极场效应晶体管(MOS场效应晶体管)中，现半导体电子理论认为：是加在栅极上的电压感生漏极电流(场效应理论)，加在栅极上的电压与漏极电流是线性关系，跨导表示晶体管的放大能力G
m
＝ΔI
D
(μA)/Δu
ga
(v)，漏极电流是线性变化，漏极电流只由加在栅极上的电压决定，与漏极电压和负载阻抗的变化无关。但事实是，单极场效应晶体管的漏极电流是非线性变化，在单极场效应晶体管(MOS场效应晶体管)中，既然是加在栅极上的电压感生漏极电流，那么在栅极上加任意值电压都应感生漏极电流，但事实是，当加在栅极上的电压低于某值时.晶体管处于截止状态，和单极场效应晶体管的漏极电流与漏极电压和负载阻抗的变化有关等。为寻求解答，专利技术人从1975年起一直对半导体理论与技术进行独立自费研究，经过40多年的专门深入研究、大量实验和对一系列实际问题的具体解决，得出以电流变化为基础的现半导体电子理论，包括场效应理论，其基本原理不能成立。经过16年的不断研究和思索，终于找到验证上述认识的方法。验证电路是一个精心设计能准确判定晶体管工作状态(晶体管电导率变化)的“普通双极结型晶体管变压器耦合乙类推挽放大器”。通过逐步提高输入信号电压，测量每一步的工作数据与图像，分析全部工作数据与图像，分别从9 个关系以可以验证和无可辩驳的事实证明：晶体管的工作是电导率的变化，在晶体管中流动的电流，只是随晶体管电导率变化的一个应变量，从而否定以电流变化为基础的现半导体理论，包括场效应理论，创立以电导率变化为基础的新半导体电子理论。
[0004]《The New Semiconductor Electron Theory》(新半导体电子理论)一书(英文版)，于2013 年10月8日由美国Tate Publishing在美国出版发行，书号：ISBN：978-1-62510-438-0，作者：汪克明汪润泽。包含在该书中的文章《A New Principles of Semiconductor ElectronDevices》(半导体电子器件的新原理)，《A New Understanding of Semiconductorconductivity Modulation》(半导体电导率调制的新认识)，《P-N Junction》(P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.新半导体电子原理技术与器件，是半导体科学技术的根本变革，其特征是：揭示半导体电子器件的功能是转换电信号，电信号的转换是通过调制半导体电子器件的电导率完成，电导率调制是半导体电子技术与器件的根本；以电导率变化为基础的新半导体电子原理、技术、无源半导体电子器件和新软件与新操作系统，取代以电流变化为基础的现半导体电子原理、技术、有源半导体电子器件和现软件与操作系统在所有半导体电子技术和设备中的应用；电导率是物质的基本特性，表示物质的导电能力，由物质的自由载流子浓度决定，半导体的电导率在导体与绝缘体之间，宽的电导率调制区域，是制造电子器件的最佳材料，纯净半导体和自由载流子浓度均匀半导体的电导率不能调制，因为没有调制电导率的机制；在半导体衬底上通过掺杂，生成两个相连接的载流子浓度不同的区域，或电磁场作用，改变半导体中的载流子浓度分布，形成两个相连接的载流子浓度不同的区域，或半导体与金属接触，形成两个相连接的载流子浓度不同的区域，或绝缘体与金属接触，形成两个相连接的载流子浓度不同的区域，在形成的两个不同载流子浓度区域相连接时，载流子浓度差，多数载流子向少数载流子区扩散，载流子浓度按指数规律分布和形成结自建电压，载流子浓度与结自建电压是相互依存的指数关系，在正负电荷区交界处，正电荷载流子浓度与负电荷载流子浓度相等，自由载流子浓度为零，形成一个电导率很低、电阻率很高和电中性的结，当在正负电荷区上加一个电压时，结和结两边的载流子浓度分布随外加电压与结自建电压之差成指数规律变化，当外加在结上的电压有一个小的变化，结和结两边的载流子浓度是按指数规律产生一个大的变化，于是，通过改变加在正负电荷区上的电压，改变结和结两边的载流子浓度，调制结的电导率和电阻率；在半导体中形成的结，具有调制半导体电导率的功能，是调制半导体电导率的机制，P-N结是一个典型；在半导体衬底上当形成P-N结时，在P-N结上加一个高于结自建电压的正偏置电压，P-N结的载流子浓度高于平衡载流子浓度，P-N结导通，P-N结的导通电压称门阀电压，P-N结的载流子浓度随外加电压与门阀电压之差按指数规律变化，P-N结的电导率和电阻率随载流子浓度变化，通过改变加在P-N结上的电压，改变结的载流子浓度，调制P-N结的电导率和电阻率，P-N结的电导率和电阻率随加在P-N结上的电压与门阀电压之差成指数规律变化，流过P-N结的电流随P-N结阻抗变化，得到P-N结由P型区、N型区和电中性的结组成，是一个有方向性电导率可调的可变阻抗，由于外加电压只是改变P-N结的载流子浓度分佈和电导率，不产生电流，因此P-N是无源元件，P-N结自建电压是P-N结的门阀电压，当加在P-N结上的正偏置电压低于门阀电压时，P-N结的载流子浓度低于平衡载流子浓度，P-N结是截止状态；当在P-N结上加反偏置电压时，P-N结是截止状态，当反偏置电压高于门阀电压二倍时，P-N结被反型，和产生反向电流；晶体管门阀电压由多数载流子向少数载流子区扩散形成，是载流子浓度差，由半导体材料的本征载流子浓度和参杂浓度决定，本征载流子浓度是温度的函数，随温度的升高而增加，和随温度的下降而降低，于是P-N结自建电压是随温度的升高而下降，和随温度的下降而升高，由于P-N结自建电压就是晶体管的门阀电压，因此，晶体管门阀电压是温度的函数，随温度的升高而下降，和随温度的下降而升高，晶体管门阀电压随温度的变化，导致晶体管的工作状态随温度变化，当晶体管温度上升时，本征载流子浓度增加，门阀电压下降，正偏置电压与晶体管门阀电压之差增大，结的载流子浓度增加，电导率增加和电阻率下降，结阻抗减小，流过结的电流随着增加，晶体管的工作特性被改变，产生不稳定性和降低可靠性，当形成恶性循环时，升高的晶体管温度将烧坏晶体管及电子设备，当晶体管温度下降时，本征载流子
浓度下降，门阀电压上升，正偏置电压与晶体管门阀电压之差减小，结载流子浓度降低，电导率减小和电阻率增大，结阻抗增加和流过结的电流随着减小，晶体管工作特性被改变，产生不稳定性和降低可靠性，当晶体管门阀电压上升高于正偏置电压时，结的载流子浓度低于平衡载流子浓度，晶体管处于截止状态，严重时晶体管将停止工作，由半导体材料的本征载流子浓度和参杂浓度决定的晶体管门阀电压随温度的变化，是晶体管产生不稳定性和降低可靠性的根本原因；根据半导体电子器件的功能是转换电信号，应用以电导率变化为基础的新半导体电子原理、电磁场改变半导体的载流子浓度分布形成载流子浓度和电导率不同的区域、在半导体中形成的结具有调制半导体电导率的功能、P-N结是一个有方向性电导率可调阻抗可变的无源元件、P-N结的电导率和电阻率是随加在P-N结上的电压与门阀电压之差成指数规律变化和晶体管门阀电压是温度的函数这些功能和特性，由可在多种半导体材料中形成的结、P-N结或半导体金属结，单独或组合成无源半导体电子器件，和制造高稳定性、高可靠性、开关速度快和低功耗的无源晶体管，用于所有半导体电子设备；在半导体中、或半导体与金属接触、或绝缘体与金属接触形成的结，具有调制电导率的功能，用于组成转换电信号和光电转换的电子器件，以结的原理和特性工作，用在电子设备中；高稳定性可靠性和低功耗半导体电子器件：W二极管：在P-N结或半导体金属结上串接一个正温度系数的低阻值热敏电阻，附图1，工作电压是通过热敏电阻加在W二极管上，热敏电阻与W二极管同温，根据新半导体电子原理，P-N结是一个有方向性电导率可调的可变阻抗，热敏电阻是与一个可变阻抗串联，与W二极管同温，热敏电阻的电压降随温度和阻抗变化，在W二极管上加正偏置电压，当正偏置电压高于W二极管门阀电压时，W二极管的结载流子浓度高于平衡载流子浓度，W二极管导通，W二极管的电导率和电阻率随加在W二极管上的电压与门阀电压之差成指数规律变化，流过W二极管的电流随结阻抗变化，完成电信号的转换，当加在W二极管上的正偏置电压低于W二极管门阀电压时，W二极管的结载流子浓度低于平衡载流子浓度，W二极管处于截止状态，当在W二极管上加反偏置电压时，W二极管是截止状态，当加在W二极管上的反偏置电压高于门阀电压二倍时，W二极管被反型和产生反向电流，当W二极管温度上升时，本征载流子浓度增加，门阀电压下降，同时串接在W二极管上与W二极管同温度的正温度系数热敏电阻的温度同步上升，电阻值增加，电压降增高，加在W二极管上的正偏置电压同步下降，正偏置电压与W二极管门阀电压之差保持为不随温度变化的常数，W二极管的工作稳定，当W二极管温度下降时，本征载流子浓度下降，门阀电压升高，同时与W二极管同温度的正温度系数热敏电阻的温度同步下降，电阻值减小，电压降下降，加在W二极管上的正偏置电压同步增加，正偏置电压与W二极管门阀电压之差保持为不随温度变化的常数，W二极管的工作和管温稳定，晶体管功耗降低，是可靠性高和功耗低的半导体电子器件；w三极晶体管：按电导率是由加在调制极上的电压直接调制，或由加在调制极上的电压，改变沟道中的载流子浓度分布间接调制，分为w直接调制型晶体管和W间接调制型晶体管；W直接调制型晶体管：W直接调制型晶体管由两个P-N结反向串联组成，两个P-N结分别是源极端的调制结和漏极端的漏极结，在调制结和漏极结之间是调制极，调制极与一个正温度系数的低阻值热敏电阻串接，附图2；W直接调制型晶体管的工作原理是：静态时两个反向串联的P-N结总有一个是反偏，晶体管处于截止状态，在漏极加反偏电压和通过热敏电阻加正偏置电压在调制极上，根据P-N结的工作原理，当加在调制结上的正偏电压高于门阀电压时，晶体管的调制结是导通状态，于是加在W直接调制型晶体管漏极上的反偏电压使漏极结反型，
w直接调制型晶体管从两个反向串联的P-N结，变成两个正向串联的P-N结，w直接调制型晶体管的漏极结在被反型后变成正偏，正偏漏极结的电导率很高和电阻率很低，被反型后的漏极结变成一个允许大电流通过的通道，晶体管的工作只由加在调制结上的电压与晶体管门阀电压之差决定，和随调制结阻抗变化，根据P-N结是一个有方向性电导率可调的可变阻抗，和调制结是一个P-N结，于是当加在调制结上的电压有一个小的变化时，调制结的载流子浓度随加在调制结上的电压与晶体管门阀电压之差成指数规律变化，调制结电导率按指数规律产生一个大的变化，调制结的电阻率和阻抗随电导率变化，流过晶体管的电流随调制结阻抗变化，在由电源电压、负载阻抗和晶体管阻抗组成的电路中，流过晶体管的电流随加在调制结上的电压与晶体管门阀电压之差成指数规律变化，与电源电压和负载阻抗的变化有关，完成电信号的放大和转换，上述工作原理表明，W直接调制型晶体管的工作由两个部份完成，加在调制极上的电压改变调制结的电导率，电阻率和阻抗随电导率变化，于是在由电源电压、负载阻抗和W直接调制型晶体管阻抗组成的电路中，流过W直接调制型晶体管的电流随晶体管调制结的阻抗变化，与电源电压和负载阻抗的变化有关，因此，加在调制极上的电压，只是改变调制结的电导率、电阻率和阻抗，从而使在W直接调制型晶体管中流动的电流随调制结阻抗变化，完成电信号的转换和放大，W直接调制型晶体管调制极的正偏置电压，是通过一个正温度系数的低阻值热敏电阻加在调制结上，根据新半导体电子原理，P-N结是一个有方向性电导率可调的可变阻抗，正温度系数的热敏电阻是与一个可变阻抗串联，与W直接调制型晶体管同温，热敏电阻的电压降随温度和阻抗变化，当W直接调制型晶体管温度上升时，调制结的本征载流子浓度增加，门阀电压下降，同时热敏电阻的温度同步上升，阻抗增加，电压降增大，加在W直接调制型晶体管调制结上的正偏置电压同步下降，正偏置电压与晶体管门阀电压之差保持为不随温度变化的常数，W直接调制型晶体管的工作稳定，当W直接调制型晶体管温度下降时，调制结本征载流子浓度下降，门阀电压升高，同时正温度系数热敏电阻的温度同步下降，阻抗减小，电压降下降，加在W直接调制型晶体管调制结上的正偏置电压同步增加，正偏置电压与晶体管门阀电压之差保持为不随温度变化的常数，W直接调制型晶体管的工作和管温稳定，晶体管功耗降低，是可靠性高和低功耗的半导体电子器件；W间接调制型(MOS)晶体管，根据半导体基片是P型或N型分为：P型W间接调制型(MOS)晶体管和N型W间接调制型(MOS)晶体管，P型W间接调制型(MOS)晶体管与N型W间接调制型(MOS)晶体管的工作原理完全相同；P型W间接调制型(MOS)晶体管，是在P型半导体基片上扩散两个高掺杂的N区，引出电极，成为源极和漏极，两个N区与P区组成两个反向串联的P-N结，两个P-N结分别是源极端的调制结和漏极端的漏极结，在基片表面上生长一层很薄的氧化层，再在氧化层上淀积金属层，连接一个正温度系数的低阻值热敏电阻，引出电极，成为调制极，附图3；P型W间接调制型(MOS)晶体管的工作原理是，当调制极未加正偏置电压时，源极-沟道-漏极通道上两个反向串联的P-N结总有一个是反偏，W间接调制型(MOS)晶体管处于截止状态，当在漏极加反偏电压和调制极加正偏电压时，加在调制极上的正偏电压在P型沟道中的氧化层边界处感生电子电荷，改变P区中的载流子浓度分布和形成N型导电区，P型导电区与N型导电区中的多数载流子向少数载流子区扩散，形成一个新的P-N结和建立一个电场，场电压正向加在调制结上，N型导电区的电子浓度、场电压和电导率随正偏电压的升高而增加，调制结的载流子浓度随场电压与门阀电压之差的减小而增加，当调制结的载流子浓度增加到等于或高于平衡载流子浓度时，场电压上升到等于或高于门阀电压，
晶体管的调制结是导通状态，加在W间接调制型(MOS)晶体管漏极上的反偏电压使漏极结反型，W间接调制型(MOS)晶体管从两个反向串联的P-N结变成两个正向串联的P-N结，W间接调制型(MOS)晶体管的漏极结在被反型后变成正偏，正偏漏极结的电导率很高和电阻率很低，被反型后的漏极结变成一个允许大电流通过的通道，晶体管的工作只由加在调制极上的电压与晶体管门阀电压之差决定，和随调制结阻抗变化；根据P-N结是一个有方向性电导率可调的可变阻抗，当加在调制极上的电压低于调制结的门阀电压时，调制结的载流子浓度低于平衡载流子浓度，调制结处于截止状态，当加在调制极上的电压上升到等于调制结门阀电压时，调制结的载流子浓度等于平衡载流子浓度，调制结处于导通与截止的临界状态，当加在调制极上的电压上升到高于调制结门阀电压时，调制结的载流子浓度高于平衡载流子浓度，调制结处于导通状态，源极-沟道-漏极连接成一条导电通道，调制结的电导率随加在调制极上的电压(正偏置电压与信号电压之和)与W间接调制型(MOS)晶体管门阀电压之差成指数规律的变化，调制结的电阻率和阻抗随电导率变化，流过W间接调制型(MOS)晶体管的电流随调制结的阻抗变化，在由电源电压、负载阻抗和W间接调制型(MOS)晶体管阻抗组成的电路中，流过W间接调制型(MOS)晶体管的电流随晶体管的阻抗变化，与电源电压和负载阻抗的变化有关，于是漏极电流随加在调制极上的电压(正偏电压与信号电压之和)与W间接调制型(MOS)晶体管门阀电压之差成指数规律的变化，完成电信号的转换和放大，上述工作原理表明，W间接调制型(MOS)晶体管的工作由两个部份完成，加在调制极上的电压改变调制结的电导率，电阻率和阻抗随电导率变化，于是在由电源电压、负载阻抗和W间接调制型(MOS)晶体管阻抗组成的电路中，流过W间接调制型(MOS)晶体管的电流随晶体管调制结的阻抗变化，与电源电压和负载阻抗的变化有关，因此，加在调制极上的电压只是改变调制结的电导率、电阻率和阻抗，从而使在W间接调制型(MOS)晶体管中流动的电流随调制结阻抗变化，完成电信号的转换和放大，W间接调制型(MOS)晶体管的调制极电压，是通过一个正温度系数的低阻值热敏电阻加在调制结上，根据新半导体电子原理，P-N结是一个有方向性电导率可调的可变阻抗，正温度系数的热敏电阻是与一个可变阻抗串联，热敏电阻与W间接调制型(MOS)晶体管同温，电压降随阻抗变化，当W间接调制型(MOS)晶体管温度上升时，调制结的本征载流子浓度增加，门阀电压下降，同时热敏电阻的温度同步上升，阻抗增加，电压降增大，加在W间接调制型(MOS)晶体管调制结上的电压同步下降，加在调制结上的电压与晶体管门阀电压之差保持为不随温度变化的常数，W间接调制型(MOS)晶体管的工作稳定，当W间接调制型(MOS)晶体管温度下降时，调制结的本征载流子浓度下降，门阀电压升高，同时热敏电阻的温度同步下降，阻抗减小，电压降下降，加在W间接调制型(MOS)晶体管调制结上的电压同步增加，加在调制结上的电压与晶体管门阀电压之差保持为不随温度变化的常数，W间接调制型(MOS)晶体管的工作和管温稳定，晶体管功耗降低，是可靠性高和低功耗的半导体电子器件；根据新半导体电子原理，W直接调制型晶体管、W间接调制型(MOS)晶体管、双极结型晶体管和单极场效应(MOS)晶体管的工作由两个部份完成，加在调制极上的电压改变调制结的电导率，电阻率和阻抗随电导率变化，从而使在由电源电压、负载阻抗和晶体管阻抗组成的电路中，流过晶体管的电流随晶体管调制结的阻抗变化，与电源电压和负载阻抗的变化有关，加在调制极上的电压只是改变调制结的电导率、电阻率和阻抗，使在晶体管中流动的电流随调制结阻抗变化，完成电信号的转换和放大，因此，通过改变负载阻抗，可以改变在晶体管中流动的电流，使负载阻抗上的电压随负载阻抗变化；根据新半导
体电子原理，W直接调制型晶体管和W间接调制型(MOS)晶体管的工作随加在调制极上的电压与晶体管门阀电压之差变化，当加在调制极上的正偏置电压为零时，晶体管的工作只随信号电压与门阀电压之差变化，...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零一L二七零二，
申请(专利权)人：汪润泽，
类型：发明
国别省市：