一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料及其制备方法。一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料，由重量百分比为30％

【技术实现步骤摘要】
一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于微波介质陶瓷材料领域，具体涉及一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]低温共烧陶瓷技术(Low
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temperature co
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firing ceramics，LTCC)是电子封装技术的一种，它通过将多个印有金属图案的陶瓷膜片堆叠共烧，完成电极的空间布线，实现特定的元器件功能，由于采用高导电率低熔点的银或铜做布线，需要对应能在900℃或1000℃以下低温烧结的陶瓷材料与之匹配。LTCC技术因其小型化、集成度高、高性能和高可靠性等特点而广泛应用于各类电子元器件、陶瓷管壳、射频基板和模组等产品中。
[0003]在微波技术中，信号的传输速率与材料的介电常数成反比，为了降低信号在传输过程中的延迟，通常希望材料的介电常数越低越好。目前常用的材料介电常数在6
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8左右，如Ferro A6
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M(介电常数5.9
±
0.2)，DuPont 951(介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，由以下重量百分比的组分构成：30％
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50％的硼硅酸盐玻璃、30％
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55％的SiO2、1％
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15％的析晶控制添加剂；上述组分的总和为100％；所述的析晶控制添加剂选自ZBS玻璃粉、ZrO2、TiO2、Y2O3、AlN、结晶SiO2中的至少一种。2.根据权利要求1所述的一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，由以下重量百分比的组分构成：30％
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50％的硼硅酸盐玻璃、30％
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55％的SiO2、3％
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15％的析晶控制添加剂；上述组分的总和为100％；所述的析晶控制添加剂为ZrO2、TiO2、Y2O3、AlN、结晶SiO2中的至少一种以及ZBS玻璃粉，且ZBS玻璃粉的重量百分比不低于3％。3.根据权利要求1所述的一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，由以下重量百分比的组分构成：30％
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50％的硼硅酸盐玻璃、30％
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55％的SiO2、0.5％
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15％的析晶控制添加剂；上述组分的总和为100％；所述的析晶控制添加剂为ZBS玻璃粉、ZrO2、Y2O3、AlN、结晶SiO2中的至少一种以及TiO2，且TiO2的重量百分比为0.5％
‑
4％。4.根据权利要求1～3任一所述的一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述的硼硅酸盐玻璃由以下重量百分比的组分构成：60％
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80％的SiO2，10％
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30％的B2O3，1％
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5％的Al2O3和1
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12％的碱金属氧化物R2O，上述组分的总和为100％；其中R为K、Na、Li中的至少一种。5.根据权利要求1～3任一所述的SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述的ZBS玻璃包含以下重量百分比的组分：7
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30％的SiO2，20
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60％的B2O3，40
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70％的ZnO，上述组分的总和为100％。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁烨，童建喜，石珊，张彩霞，李进，徐红梅，
申请(专利权)人：嘉兴佳利电子有限公司，
类型：发明
国别省市：