【技术实现步骤摘要】
本技术属于滤波器，更具体地说，是涉及一种高抑制的带通滤波器。
技术介绍
1、通常，介质滤波器由陶瓷材料制成的介质块与贯穿于介质块的多个同轴谐振孔构成。介质滤波器要求通带内最小插入损耗和通带外最小的衰减比，当下通信系统设计在器件封装上越来越要求封装统一性，在采用同一个介质块来设计不同电性能指标的产品时，会出现损失通带内的插入损耗，来提高通带外抑制比。传统介质滤波器为了实现插损小的目的，使谐振孔孔径变大或减少同轴谐振孔，同时为了满足通带外抑比性能的情况下，谐振孔的数量使用不宜少，故两者无法兼顾。
2、如图1，现有技术通常为了改进提高带外高频近端抑制比，设计涂敷金属图案把介质块边谐振孔作为外挂零点，作为来改善通带插入损耗，提高抑制比。这样效果是牺牲零点的谐振孔来改善抑制、通带插入损耗。而且这种设计结构仅仅适合通带近端边频点抑制频率略远的滤波器，适用范围也有很大的局限。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本技术的目的在于提供一种高抑制的带通滤波器，该滤波器在不增加谐振腔数情况下，改善了通带高频近端抑制比小问题。
2、为了实现上述技术目的，本技术采用以下技术方案：
3、一种高抑制的带通滤波器，包括一体式的介质块以及金属屏蔽罩，所述介质块上设有开路端面、开路端面相对的涂敷金属层的短路面、涂敷金属层的下表面、涂敷金属层的上表面、涂敷金属层左侧面、涂敷金属层的右侧面，所述下表面上还设有信号输入电极和信号输出电极，所述开路端面和短路面之间设有一排贯穿孔，每个
4、作为优选方案：多个贯穿孔分别为谐振孔a、谐振孔b、谐振孔c、谐振孔d、谐振孔e和谐振孔f，且上述谐振孔的孔径、孔距均相同。
5、作为优选方案：所述金属块包括金属块a、金属块b、金属块c、金属块d、金属块e、金属块f，所述金属边线b设置在金属块c、金属块d下部，且两端延伸至金属块b、金属块e下部。
6、作为优选方案：所述金属块a、金属块b之间设有金属线c，且金属线c的上端连接至与上表面连接的金属边线a。
7、作为优选方案：所述金属块c、金属块d之间设有金属线d，且金属线d的上端连接至与上表面连接的金属边线a。
8、作为优选方案：所述金属块e、金属块f之间设有金属线e，且金属线e的上端连接至与上表面连接的金属边线a。
9、与现有技术相比，本技术的有益效果为：
10、本技术在满足通带插入损耗的情况下，通过不改变介质块结构情况下，调整开路端面金属图案，将信号输入输出耦合连接到相邻谐振孔上，形成既有外挂谐振孔零点，同时又有谐振耦合，以增加近端抑制比，从而在所要求的通带内不增加谐振腔数情况下，改善通带高频近端抑制比小问题，同时使介质块标准封装现具有通用性。
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1.一种高抑制的带通滤波器，包括一体式的介质块（100）以及金属屏蔽罩，所述介质块（100）上设有开路端面（100a）、开路端面（100a）相对的涂敷金属层的短路面（200a）、涂敷金属层的下表面（133）、涂敷金属层的上表面（100b）、涂敷金属层左侧面（100d）、涂敷金属层的右侧面（100c），所述下表面（133）上还设有信号输入电极（111）和信号输出电极（122），所述开路端面（100a）和短路面（200a）之间设有一排贯穿孔，每个贯穿孔内部均有涂敷金属层，且每个贯穿孔的金属层与短路面（200a）的金属层电性连接，其特征在于：所述开路端面（100a）上设有金属图案，该金属图案包括多个金属块和多条边线，多条金属边线A（110）分别设置在相邻的四个面的交接处，且与下表面（133）相连的金属边线A（110）的两端留有空隙，金属边线B(112)设在中部的多个金属块下方，多个金属块分别设置在相应的贯穿孔的外围，且与贯穿孔内金属层电性连接，端部的两个金属块之间、中部的两个金属块之间均设有纵向直线段金属层，所述信号输入电极（111）延伸至开路端面（100a）上，且位于一侧的两个金属块
2.根据权利要求1所述的一种高抑制的带通滤波器，其特征在于：多个贯穿孔分别为谐振孔A（101）、谐振孔B（102）、谐振孔C（103）、谐振孔D（104）、谐振孔E（105）和谐振孔F（106），且上述谐振孔的孔径、孔距均相同。
3.根据权利要求1所述的一种高抑制的带通滤波器，其特征在于：所述金属块包括金属块A（201）、金属块B（202）、金属块C（203）、金属块D（204）、金属块E（205）、金属块F（206），所述金属边线B(112)设置在金属块C（203）、金属块D（204）下部，且两端延伸至金属块B（202）、金属块E（205）下部。
4.根据权利要求3所述的一种高抑制的带通滤波器，其特征在于：所述金属块A（201）、金属块B（202）之间设有金属线C（107），且金属线C（107）的上端连接至与上表面（100b）连接的金属边线A（110）。
5.根据权利要求3所述的一种高抑制的带通滤波器，其特征在于：所述金属块C（203）、金属块D（204）之间设有金属线D（108），且金属线D（108）的上端连接至与上表面（100b）连接的金属边线A（110）。
6.根据权利要求3所述的一种高抑制的带通滤波器，其特征在于：所述金属块E（205）、金属块F（206）之间设有金属线E（109），且金属线E（109）的上端连接至与上表面（100b）连接的金属边线A（110）。
...【技术特征摘要】
1.一种高抑制的带通滤波器，包括一体式的介质块（100）以及金属屏蔽罩，所述介质块（100）上设有开路端面（100a）、开路端面（100a）相对的涂敷金属层的短路面（200a）、涂敷金属层的下表面（133）、涂敷金属层的上表面（100b）、涂敷金属层左侧面（100d）、涂敷金属层的右侧面（100c），所述下表面（133）上还设有信号输入电极（111）和信号输出电极（122），所述开路端面（100a）和短路面（200a）之间设有一排贯穿孔，每个贯穿孔内部均有涂敷金属层，且每个贯穿孔的金属层与短路面（200a）的金属层电性连接，其特征在于：所述开路端面（100a）上设有金属图案，该金属图案包括多个金属块和多条边线，多条金属边线a（110）分别设置在相邻的四个面的交接处，且与下表面（133）相连的金属边线a（110）的两端留有空隙，金属边线b(112)设在中部的多个金属块下方，多个金属块分别设置在相应的贯穿孔的外围，且与贯穿孔内金属层电性连接，端部的两个金属块之间、中部的两个金属块之间均设有纵向直线段金属层，所述信号输入电极（111）延伸至开路端面（100a）上，且位于一侧的两个金属块的下部，所述信号输出电极（122）延伸至开路端面（100a）上，且位于另外一侧的两个金属块的下部。
2.根据权利要求1所述的一种高抑制的带通滤波器，其特征在于：多个贯...
【专利技术属性】
技术研发人员：江琴，张元元，邵国云，吴飞甲，吴腾杰，林迪卿，
申请(专利权)人：嘉兴佳利电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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