【技术实现步骤摘要】
硅片硼扩散用可喷涂硼源及其应用
[0001]本专利技术涉及硼源,具体涉及一种硅片硼扩散用可喷涂硼源及其应用。
技术介绍
[0002]最近几年,将液体硼源作为扩散源的硼扩散工艺得到发展迅速,其通过旋涂、喷涂或者丝网印刷技术在硅片表面沉积一层液体硼源,然后再进行扩散。旋涂硼源扩散的方阻均匀性比较好,但该工艺不适合大批量连续化作业,生产效率低。此外旋涂工艺会出现硼源溢流到硅片背面的现象,由于硅片中心与边缘的等效掺杂源浓度有所差异,限制了旋涂均匀性的进一步提高,同时也增加了后道工艺的难度。
[0003]相比较而言,喷涂工艺可以连续化作业,进一步与链式扩散设备结合,可实现高产量、高自动化的工业化生产。中国专利CN106449383A公开了一种硼扩散技术,采用硼源溶液喷涂或喷墨打印在硅片表面,再高温扩散形成PN结,但该技术所用液体硼源其实是一种悬浊液分散体系,采用的是含硼氧化物粉体或硼氮化合物粉体作为硼源。这类悬浊液体系存在诸多弊端:首先,悬浊液体系本身是不稳定的,悬浮粉体受胶体力、无规热运动力以及粘性力的共同作用,在喷涂过程中,气流急速推动悬浊液分散体系,形成气、液、固三相混合体,会导致悬浮粉体颗粒在高速流动过程中聚集;同时,从喷头喷出的混合体系的固液比例也会随着体系分散的不均匀而使涂敷到硅片表面的含硼粉体颗粒分布不均匀。其次,当悬浊液喷涂于硅表面时,溶液不再均匀,溶液在硅片表面的表面张力是急剧不均衡的,因为溶剂多的部位的表面张力与仅仅有粉体处的表面张力完全不同;而且无机粉体也会在气流作用下,沿着硅片表面翻滚,呈放射状 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.硅片硼扩散用可喷涂硼源,其特征在于,该硼源为硼改性丙烯酸酯类聚合物,该硼改性丙烯酸酯类聚合物具有如式(I)的通式:其中,n为1~100000;m为1~3;R独立选自氢原子、烷基或芳基;R
′
、R”各自独立的选自氢原子、烷基、芳基、羟基或烷氧基。2.根据权利要求1所述的硅片硼扩散用可喷涂硼源,其特征在于,所述硼改性丙烯酸酯类聚合物具有如式(II)的通式:其中,n1为1~100000;m为1~3;R独立选自氢原子、烷基或芳基。3.根据权利要求1所述的硅片硼扩散用可喷涂硼源,其特征在于,所述硼改性丙烯酸酯类聚合物具有如式(III)的通式:其中,n1、n2各自独立的为1~100000;m为1~3;R独立选自氢原子、烷基或芳基;R
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独立选自氢原子或丙烯酸酯结构单元。4.根据权利要求1所述的硅片硼扩散用可喷涂硼源,其特征在于,所述硼改性丙烯酸酯类聚合物具有如式(IV)的通式:
其中,n1、n2、n3各自独立的为1~100000;m为1~3;R独立选自氢原子、烷基或芳基。5.根据权利要求1所述的硅片硼扩散用可喷涂硼源,其特征在于,所述硼改性丙烯酸酯类聚合物具有如式(V)的通式:其中,n1为1~100000;m为1~3;R独立选自氢原子、烷基或芳基;R
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独立选自氢原子、烷基或芳基。6.根据权利要求1所述的硅片硼扩散用可喷涂硼源,其特征在于,所述硼改性丙烯酸酯类聚合物具有如式(VI)的通式:其中,n1、n3各自独立的为1~100000;m为1~3;R独立选自氢原子、烷基或芳基;R
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独立选自氢原子、烷基或芳基。7.根据权利要求1所述的硅片硼扩散用可喷涂硼源,其特征在于,所述硼改性丙烯酸酯类聚合物具有如式(VII)的通式:其中,n1为1~100000;m为1~3;R独立选自氢原子、烷基或芳基;R
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、R”各自独立的选自氢原子、烷基或芳基。8.硅片硼扩散用可喷涂硼源溶液,其特征在于,该硼源溶液含有溶剂以及权利要求1至7中任一项所述的硼源,硼源与溶剂的质量比为0.5~50:100;所述溶剂为乙醇或乙醇与水的混合液;所述混合液中乙醇的质量百分含量不低于0.5%。9.硅片的硼扩散方法,其特征在于,将权利要求8所述的硼源溶液喷涂或喷墨打印在硅片表面,通过高温处理后扩散形成PN结。
10.根据权利要求9所述的硅片的硼扩散方法,其特征在于,其具体步骤包括:1)制备含硼的(α
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取代)丙烯酸酯单体:以(取代)硼酸和(α
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取代)丙烯酸羟烷基酯为原料,在阻聚剂和带水剂存在下进行酯化反应,然后蒸馏除去溶剂得到含硼的(α
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员:杨立功,王小军,邓舜,
申请(专利权)人:常州时创能源股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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