一种反铁电陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种反铁电陶瓷及其制备方法。所述反铁电陶瓷，原料主要包括钙钛矿型铌酸银化合物，所述钙钛矿型铌酸银化合物为AgNbO3中掺杂有Bi、La或Ti元素，所述钙钛矿型铌酸银化合物的晶粒尺寸为400～600nm。由于选用了纳米级别的钙钛矿型铌酸银化合物，在烧结过程中能够有效降低烧结温度，实现节约能源、降低成本的效果。由于钙钛矿型铌酸银化合物掺杂有Bi、La或Ti元素，有效增强反铁电陶瓷的击穿强度，提高储能密度。该反铁电陶瓷的制备方法包括步骤：钙钛矿型铌酸银化合物的制备；造粒；陶瓷坯体制备；烧结。其中的钙钛矿型铌酸银化合物的制备步骤采用了水热反应制备钙钛矿型铌酸银化合物，使得后续的烧结过程可以在无气氛保护的环境下进行。气氛保护的环境下进行。

【技术实现步骤摘要】
一种反铁电陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷材料组合物
，特别涉及一种反铁电陶瓷的制备方法，以及由该制备方法获得的反铁电陶瓷。

技术介绍

[0002]近高储能密度电介质储能材料在各种电力、电子系统中扮演着越来越重要的角色，特别是在高能脉冲功率
有着不可替代的应用。其中，锆钛酸铅(PZT)基储能介质陶瓷性能良好，稳定可靠而被广泛使用，但该体系材料中含有大量有毒的铅元素。随着环境保护和人类社会可持续发展的需求，各国开始禁止使用各种含铅电子器件，我国亦颁布实施“电子信息产品污染防治管理办法”来限制含铅材料的使用。因此，为满足器件小型化、轻型化及多功能方向发展，研究和开发高储能密度无铅介质储能材料已成为当下关注的焦点。
[0003]环境友好型AgNbO3无铅反铁电陶瓷表现出双电滞回线，储能密度高、热稳定性好，作为无铅储能材料显示出广阔的应用前景。已有资料显示通过传统固相烧结法制备的纯AgNbO3无铅反铁电陶瓷，研究结果显示了良好的储能性能，储能密度达到2.1J/cm3。此外，AgNbO3无铅反铁电陶瓷与铅基陶瓷相比，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反铁电陶瓷，其特征在于，原料包括钙钛矿型铌酸银化合物，所述钙钛矿型铌酸银化合物为AgNbO3中掺杂有Bi、La或Ti元素，所述钙钛矿型铌酸银化合物的晶粒尺寸为400～600nm。2.根据权利要求1所述反铁电陶瓷，其特征在于，掺杂有Ti的所述钙钛矿型铌酸银化合物的结构式(Ⅰ)为Ag(Ti
x
Nb1‑
x
)O3，其中0＜x＜1。3.根据权利要求1所述反铁电陶瓷，其特征在于，掺杂有La的所述钙钛矿型铌酸银化合物的结构式(Ⅱ)为(Ag1‑
y
La
y
)NbO3，其中0＜y＜1。4.根据权利要求1所述反铁电陶瓷，其特征在于，掺杂有Bi的所述钙钛矿型铌酸银化合物的结构式(Ⅲ)为(Ag1‑
z
Bi
z
)NbO3，其中0＜z＜1。5.如权利要求1至4所述反铁电陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：钙钛矿型铌酸银化合物的制备：按比例配置NH4HF2、Ag2O、Nb2O5和掺杂元素源的混合溶液，置于密闭容器中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡伟强，王修才，肖泽，李子昊，李祥龙，谭荣爽，许家苗，梁煜键，黄德成，苏建端，陈建文，于昕梅，朱文博，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：