射频模组系统级封装结构及其制作方法和电子设备技术方案

本发明专利技术公开一种射频模组系统级封装结构及其制作方法和电子设备，射频模组系统级封装结构包括基板、滤波器芯片、被动元件、柔性塑封膜及塑封层，所述基板具有第一表面；所述滤波器芯片设于所述第一表面，并与所述第一表面之间形成有第一空隙；所述被动元件设于所述第一表面，并与所述滤波器芯片间隔设置；所述柔性塑封膜贴设于所述第一表面、所述滤波器芯片及所述被动元件的表面，并与所述滤波器芯片围合形成第一空腔；所述塑封层覆盖所述柔性塑封膜。本发明专利技术技术方案提供了一种射频模组系统级封装结构的集成度高且低成本的加工方法。封装结构的集成度高且低成本的加工方法。封装结构的集成度高且低成本的加工方法。

【技术实现步骤摘要】
射频模组系统级封装结构及其制作方法和电子设备


[0001]本专利技术涉及封装
，特别涉及一种射频模组系统级封装结构及其制作方法和电子设备。

技术介绍

[0002]传统的滤波器封装一般会采用晶圆级滤波器封装，声表面波滤波器(SAW)或体声波滤波器(BAW)倒装在陶瓷基板或有机基板上，再采用聚合薄膜和片状树脂一次压合产生成空腔，可以实现滤波器的电能和机械能之间的转换。但上述封装因聚合薄膜和片状树脂的材质较硬，一次压合产生成空腔时封装作业性差，一般只能单颗封装，不能集成有电容电阻、放大器、转换器等其他器件，实现不了系统级封装。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提供一种射频模组系统级封装结构，旨在提高射频模组集成度的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的射频模组系统级封装结构包括：
[0005]基板，所述基板具有第一表面；
[0006]滤波器芯片，所述滤波器芯片设于所述第一表面，并与所述第一表面之间形成有第一空隙；
[0007]被动元件，所述被动元件设于所述第一表面，并与所述滤波器芯片间隔设置；
[0008]柔性塑封膜，所述柔性塑封膜贴设于所述第一表面、所述滤波器芯片及所述被动元件的表面，并与所述滤波器芯片围合形成第一空腔；及
[0009]塑封层，所述塑封层覆盖所述柔性塑封膜。
[0010]可选地，所述柔性塑封膜的材质为半固态树脂；和/或，
[0011]所述柔性塑封膜的厚度为40μm～50μm。
[0012]可选地，所述第一空隙的数值范围为20μm～40μm。
[0013]可选地，还包括放大器芯片和/或转换器芯片，所述放大器芯片和/或所述转换器芯片设于所述第一表面与所述塑封层之间，并分别与所述滤波器芯片和被动元件间隔设置。
[0014]可选地，所述第一表面设有第一锡膏球，所述柔性塑封膜开设有裸露所述第一锡膏球的避让孔，所述放大器芯片和/或转换器芯片通过所述避让孔与所述第一锡膏球固定连接。
[0015]可选地，所述基板包括本体和设于所述本体表面的阻焊层，所述本体内部形成有内部线路，所述内部线路连接有若干第二锡膏球，所述第二锡膏球裸露于所述阻焊层，用于与所述滤波器芯片和被动元件连接。
[0016]可选地，所述射频模组系统级封装结构还包括屏蔽层，所述屏蔽层覆盖于所述塑封层的表面。
[0017]可选地，所述基板还包括与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第二表面设有外接焊盘。
[0018]根据本专利技术的另一方面，还提出一种电子设备，包括壳体和设于所述壳体内的射频模组系统级封装结构，所述射频模组系统级封装结构为如上所述的组合式传感器。
[0019]根据本专利技术的又一方面，又提出一种射频模组系统级封装结构的制作方法，包括以下步骤：
[0020]提供一基板，预先在所述基板的第一表面印刷若干间隔的锡膏球；
[0021]将滤波器芯片贴设于所述锡膏球中的至少一个，所述滤波器芯片与所述第一表面形成第一空隙；
[0022]对第一表面进行薄膜塑封，形成覆盖第一表面和滤波器芯片的柔性塑封膜，所述柔性塑封膜、所述滤波器芯片及第一表面围合形成第一空腔；
[0023]对柔性塑封膜进行开槽，裸露出未连接的锡膏球，将被动元件贴装于所述基板上；
[0024]进行第二次塑封，形成覆盖所述柔性塑封膜和所述被动元件的塑封层。
[0025]可选地，在所述进行第二次塑封，形成覆盖所述柔性塑封膜和所述被动元件的塑封层的步骤之后，还包括：
[0026]进行金属溅镀，形成覆盖所述塑封层的屏蔽层。
[0027]本专利技术技术方案的射频模组系统级封装结构包括基板和设于基板上的滤波器芯片以及被动元件，还包括覆盖滤波器芯片和被动元件的柔性塑封膜和塑封层，该柔性塑封膜相比于现有的硬质封装材料，可与基板有较好的贴合度，从而能够适应各种不同尺寸的芯片或被动元件，将其封装到同一基板上，有效提高射频模组的集成度，并节约空间，降低成本。同时，塑封层能够进一步保证滤波器芯片和被动元件的封装稳定性。该射频模组系统级封装结构使滤波器芯片能够与被动元件在一个封装结构内进行电路适配，结构简单，有效降低射频信号的损耗，从而提高射频的效率。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术射频模组系统级封装结构一实施例的剖视图；
[0030]图2为本专利技术射频模组系统级封装结构另一实施例的剖视图；
[0031]图3为本专利技术射频模组系统级封装结构的制作方法一实施例的流程图；
[0032]图4～图8为图3中所示射频模组系统级封装结构的制作方法在制作过程中的结构剖视图；
[0033]图9～图12为本专利技术射频模组系统级封装结构另一实施例制作过程中的剖视图；
[0034]附图标号说明：
[0035][0036][0037]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0038]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0040]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0041]另外，在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0042]本专利技术提出一种射频模组系统级封装结构100。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频模组系统级封装结构，其特征在于，所述射频模组系统级封装结构包括：基板，所述基板具有第一表面；滤波器芯片，所述滤波器芯片设于所述第一表面，并与所述第一表面之间形成有第一空隙；被动元件，所述被动元件设于所述第一表面，并与所述滤波器芯片间隔设置；柔性塑封膜，所述柔性塑封膜贴设于所述第一表面、所述滤波器芯片及所述被动元件的表面，并与所述滤波器芯片围合形成第一空腔；及塑封层，所述塑封层覆盖所述柔性塑封膜。2.如权利要求1所述的射频模组系统级封装结构，其特征在于，所述柔性塑封膜的材质为半固态树脂；和/或，所述柔性塑封膜的厚度为40μm～50μm。3.如权利要求1所述的射频模组系统级封装结构，其特征在于，所述第一空隙的数值范围为20μm～40μm。4.如权利要求1所述的射频模组系统级封装结构，其特征在于，还包括放大器芯片和/或转换器芯片，所述放大器芯片和/或所述转换器芯片设于所述第一表面与所述塑封层之间，并分别与所述滤波器芯片和被动元件间隔设置。5.如权利要求4所述的射频模组系统级封装结构，其特征在于，所述第一表面设有第一锡膏球，所述柔性塑封膜开设有裸露所述第一锡膏球的避让孔，所述放大器芯片和/或转换器芯片通过所述避让孔与所述第一锡膏球固定连接。6.如权利要求1至5中任一项所述的射频模组系统级封装结构，其特征在于，所述基板包括本体和设于所述本体表面的阻焊层，所述本体内部形成有内部线路，所述内部线路连接有若干第二锡膏...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆春荣，
申请(专利权)人：青岛歌尔智能传感器有限公司，
类型：发明
国别省市：