一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：模块基板(91)，具有主面(91b)；凸块电极(150a)，配置于主面(91b)，作为高频模块(1)的外部连接端子发挥功能；半导体IC(20)，配置于主面(91b)，内置放大高频接收信号的低噪声放大器(21)；底部填充构件(93)，填充在半导体IC(20)与主面(91b)之间；电感器(411)，配置于主面(91b)上的凸块电极(150a)与半导体IC(20)之间，俯视模块基板(91)时，底部填充构件(93)的外缘位于电感器(411)的同凸块电极(150a)相向的边缘部(411a)与半导体IC(20)的同凸块电极(150a)相向的边缘部(201)之间。(150a)相向的边缘部(201)之间。(150a)相向的边缘部(201)之间。
【技术实现步骤摘要】
高频模块和通信装置
[0001]本专利技术涉及一种高频模块和通信装置。
技术介绍
[0002]在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。
[0003]在专利文献1中，公开了一种能够对底部填充构件在部件与封装基板之间的扩散进行控制的双面安装的高频模块。在专利文献1中，例如，底部填充构件的流出被封装基板上的围坝(dam)所限制。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：美国专利申请公开第2018/0226271号说明书
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的问题
[0008]然而，在上述以往技术中，需要追加在封装基板形成围坝以控制底部填充构件的扩散的工序，制造工序增加。
[0009]因此，本专利技术提供一种能够在抑制制造工序的增加的同时控制底部填充构件的扩散的高频模块和通信装置。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本专利技术的一个方式所涉及的高频模块具备：基板，其具有第一主面；第一凸块电极，其配置于所述第一主面，作为所述高频模块的外部连接端子来发挥功能；半导体集成电路，其配置于所述第一主面，内置放大高频接收信号的低噪声放大器；底部填充构件，其被填充在所述半导体集成电路与所述第一主面之间；以及表面安装器件，其配置于所述第一主面上的、所述第一凸块电极与所述半导体集成电路之间，其中，在俯视所述基板时，所述底部填充构件的外缘位于所述表面安装器件的同所述第一凸块电极相向的第一边缘部与所述半导体集成电路的同所述第一凸块电极相向的边缘部之间。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本专利技术的一个方式所涉及的高频模块，能够在抑制制造工序的增加的同时控制底部填充构件的扩散。
附图说明
[0014]图1是实施方式所涉及的通信装置的电路结构图。
[0015]图2是实施方式所涉及的匹配电路的电路结构图。
[0016]图3是实施方式所涉及的高频模块的俯视图。
[0017]图4是实施方式所涉及的高频模块的放大俯视图。
[0018]图5是实施方式所涉及的高频模块的截面图。
[0019]附图标记说明
[0020]1：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5：通信装置；11：功率放大器；20：半导体IC(半导体集成电路)；21：低噪声放大器；31、41：匹配电路；51、52、53：开关；61、62：双工器；61R、62R：接收滤波器；61T、62T：发送滤波器；91：模块基板；91a、91b：主面；92：树脂构件；93：底部填充构件；100：天线连接端子；110：发送输入端子；120：接收输出端子；150、150a、150b、150c、150d：凸块电极；201、411a、411b：边缘部；411、413：电感器；412：电容器；931：溢出部。
具体实施方式
[0021]下面，使用附图来详细说明本专利技术的实施方式及其变形例。此外，下面说明的实施方式及其变形例均示出总括性或具体性的例子。下面的实施方式及其变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本专利技术。
[0022]此外，各图是为了表示本专利技术而适当进行了强调、省略、或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系以及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
[0023]在下面的各图中，X轴和Y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，Z轴是与模块基板的主面垂直的轴，Z轴的正方向表示向上方向，Z轴的负方向表示向下方向。
[0024]另外，本专利技术中的用语的含义如下。
[0025]·“连接”不仅包括通过连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，也包括经由其它电路元件来电连接的情况。
[0026]·“直接连接”是指：不经由其它电路元件而通过连接端子和/或布线导体来直接连接。
[0027]·“平行”及“垂直”等表示要素之间的关系性的用语、“矩形”等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。
[0028]·“俯视基板”是指从Z轴正侧将物体正投影到XY平面来进行观察。
[0029]·“在俯视基板时，C位于A与B之间”是指在俯视基板时将A内的任意的点与B内的任意的点连结的线段通过C。
[0030](实施方式)
[0031]参照图1～图5来说明实施方式。
[0032][1.1高频模块1和通信装置5的电路结构][0033]说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。图1是实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
[0034][1.1.1通信装置5的电路结构][0035]首先，参照图1来具体说明通信装置5的电路结构。如图1所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RFIC 3以及BBIC 4。
[0036]高频模块1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1的详细电路结构在后面叙述。
[0037]天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
[0038]RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收信号路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。
[0039]BBIC 4是使用频率比由高频模块1传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
[0040]另外，RFIC 3基于所使用的通信频段来控制高频模块1所具有的开关51～53的连接。另外，RFIC 3将用于调整高频模块1的功率放大器11的增益等的控制信号传递到高频模块1。
[0041]此外，本实施方式所涉及的通信装置5也可以不具备天线2和BBIC 4。也就是说，天线2和BBIC 4不是本专利技术所涉及的通信装置所必需的结构要素。
[0042][1.1.2高频模块1的电路结构][0043]接着，参照图1来具体说明高频模块1的电路结构。如图1所示，高频模块1具备功率放大器11、低噪声放大器21、匹配电路31及41、开关51～53、双工器61及62、天线连接端子100、发送输入端子110、以及接收输出端子120。
[0044]功率放大器11对从发送输入端子110输入的高频发送信号进行放大。例如，功率放大器11对通信本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高频模块，具备：基板，其具有第一主面；第一凸块电极，其配置于所述第一主面，作为所述高频模块的外部连接端子来发挥功能；半导体集成电路，其配置于所述第一主面，内置放大高频接收信号的低噪声放大器；底部填充构件，其被填充在所述半导体集成电路与所述第一主面之间；以及表面安装器件，其配置于所述第一主面上的、所述第一凸块电极与所述半导体集成电路之间，其中，在俯视所述基板时，所述底部填充构件的外缘位于所述表面安装器件的同所述第一凸块电极相向的第一边缘部与所述半导体集成电路的同所述第一凸块电极相向的边缘部之间。2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，在俯视所述基板时，所述底部填充构件的外缘位于所述表面安装器件的所述第一边缘部与所述表面安装器件的同所述半导体集成电路相向的第二边缘部之间。3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，所述高频模块还具备第二凸块电极，所述第二凸块电极配置于所述第一主面，作为所述高频模块的外部连接端子来发挥功能，在所述第一主面上的、所述第二凸...
【专利技术属性】
技术研发人员：花冈邦俊，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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