一种C波段低杂散低相噪三通道收发组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种C波段低杂散低相噪三通道收发组件，属于微波混合集成电路技术领域。本实用新型专利技术包括第一接收通道、第二接收通道和一个发射通道，第一接收通道、第二接收通道和发射通道均经过两次变频，发射通道通过两次上变频将中频信号上变频到射频信号并发射出去，第一接收通道和第二接收通道通过两次下变频将接收到的射频信号下变频到中频信号输出，本实用新型专利技术的收发本振部分节省了大量的滤波器，体积减小的同时调试量也大大减少，提高了产品的可靠性，成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种C波段低杂散低相噪三通道收发组件


[0001]本技术属于微波混合集成电路领域，具体涉及一种C波段低杂散低相噪三通道收发组件。

技术介绍

[0002]收发组件的作用是将天线及前端的微弱信号从各种复杂电磁环境中接收下来，并通过滤波、放大、变频解调处理后送中频处理单元；另一面将基带信号进行上变频、放大、滤波到制定频段通过天线发射出去。但是现有技术中通常将收发组件的接收和发射部分做成一个模块，本振部分单独做成一个模块，这样模块所占空间体积大，功耗偏高，散热困难，因此如何规划收发组件的方案就比较有实用价值。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种体积小、成本低、调试难度小、控制精度和可靠性高的低杂散低相噪的C波段三通道收发组件。
[0004]本技术所采取的技术方案是：一种C波段低杂散低相噪三通道收发组件：包括第一接收通道、第二接收通道和发射通道，所述第一接收通道和第二接收通道的包括依次连接的射频接收部分、混频器1、第一中频部分、混频器2和第二中频部分；所述第一接收通道和第二接收通道的锁相环1和锁相环2的输出端连接混频器1的本振输入端；所述第一接收通道和第二接收通道的锁相环3的输出端连接混频器2的本振输入端；
[0005]所述发射通道包括依次连接的基带中频部分、混频器3、发射中频部分、混频器4和发射射频部分；所述发射通道的锁相环1输出端连接混频器3的本振输入端；所述发射通道的锁相环2和锁相环3输出端连接混频器4的本振输入端。
[0006]进一步地，所述第一接收通道和第二接收通道的射频接收部分均包括依次连接的射频选通滤波器、射频衰减器和射频低噪声放大器，所述第一接收通道和第二接收通道的第一中频部分均包括依次连接的射频第一中频滤波器和射频放大器，所述第一接收通道和第二接收通道的第二中频部分均包括依次连接的第二中频滤波器、中频放大器和低通滤波器。
[0007]进一步地，所述第一接收通道和第二接收通道的带宽均为20M，所述第一接收通道的输入中心频率为5023MHz，输出中心频率为143MHz，所述第二接收通道的输入中心频率为3812MHz，输出中心频率为143MHz。
[0008]进一步地，所述发射通道的基带中频部分包括依次连接的中频滤波器、中频衰减器和低噪声放大器，所述发射通道的发射中频部分包括依次连接的第一中频滤波器和射频放大器，所述发射通道的发射射频部分均包括依次连接的射频滤波器、射频放大器和低通滤波器。
[0009]进一步地，所述发射通道的带宽为40M，所述发射通道的输入中心频率为140MHz，输出中心频率为6041MHz。
[0010]采用上述技术方案，本技术的有益效果是：本技术的第一接收通道、第二接收通道和发射通道部分节省了大量的滤波器，体积相应大大减小，成本低，同时本装置的调试量也大大减少，提高了产品的可靠性，本装置的集成度高、结构简单、性能可靠。
附图说明
[0011]图1为本技术的收发组件原理框图；
[0012]图2为本技术的第一接收通道的结构图；
[0013]图3为本技术的发射通道的结构图；
[0014]图4为本技术的第二接收通道的结构图。
具体实施方式
[0015]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术,以下结合附图对本技术进行详细说明。
[0016]实施例1
[0017]参见图1，本实施例提供一种C波段低杂散低相噪三通道收发组件，第一接收通道、第二接收通道和发射通道，第一接收通道和第二接收通道的射频接收组件的输出端连接混频器1的输入端，第一接收通道和第二接收通道的锁相环1和锁相环2的输出端连接混频器1的输入端，混频器1的输出端连接第一中频组件的输入端，第一中频组件的输出端连接混频器2的输入端，第一接收通道和第二接收通道的锁相环3的输出端连接混频器2的输入端，所述混频器2的输出端连接第二中频组件；
[0018]发射通道包括依次连接的基带中频部分、混频器3、发射中频部分、混频器4和发射射频部分；发射通道的锁相环1输出端连接混频器3的本振输入端；发射通道的锁相环2和锁相环3输出端连接混频器4的本振输入端。
[0019]第一接收通道、第二接收通道和发射通道均经过两次变频，发射通道通过两次上变频将中频信号上变频到射频信号并发射出去，第一接收通道和第二接收通道通过两次下变频将接收到的射频信号下变频到中频信号输出。
[0020]实施例2
[0021]参见图3，本装置的发射通道包括依次连接的中频滤波器、中频衰减器、低噪声放大器、混频器3、第一中频滤波器、射频放大器、混频器4、射频滤波器、射频放大器、低通滤波器；发射通道的锁相环1输出端连接混频器3的本振输入端；发射通道的锁相环2和锁相环3输出端连接混频器4的本振输入端。
[0022]信号经过中频滤波器滤波后，经衰减放大后的信号进入混频器3后，进行第一次上变频，然后经中频滤波器滤波后经射频放大器放大，经过混频器4进行第二次上变频，把中频信号上变频到射频信号后，经第二中频滤波器滤波后，射频放大器放大，低通滤波器滤波后，最终把信号发射出去。
[0023]其中，发射通道的带宽为40M，发射通道的输入中心频率为140MHz，输出中心频率为6041MHz。发射通道的本振信号L01为点频源，发射通道的本振L02为步进1KHz的细步进跳频源，发射通道的本振信号L01来自PLL1集成芯片，发射通道的PLL1为集成VCO的锁相环采
用的型号是HMC830LP6G，发射通道的本振L02信号来自PLL2和PLL3两个集成芯片，本振L02的PLL3为集成VCO的锁相环采用的型号是HMC830LP6G，PLL2为集成VCO的锁相环，采用的型号是LMX2594，发射通道的本振LO1和LO2的杂散小于70dBc，相噪优于
‑
108dBc/Hz@100KHz。
[0024]实施例3
[0025]参见图2和图4，本装置的第一接收通道和第二接收通道均包括依次连接的射频选通滤波器、射频衰减器、射频低噪声放大器、混频器1、第一中频滤波器、射频放大器、混频器2、第二中频滤波器、中频放大器和低通滤波器；第一接收通道和第二接收通道的锁相环1和锁相环2的输出端连接混频器1的本振输入端；第一接收通道和第二接收通道的锁相环3的输出端连接混频器2的本振输入端；
[0026]当天线接收到前端的信号后，信号分别进入收发组件的第一接收通道和第二接收通道，信号经过射频选通滤波器滤除干扰信号，再经过射频衰减器和射频低噪声放大器，信号经衰减放大后进入混频器1，进行第一次下变频，然后经过第一中频滤波器滤波、射频放大器放大后，经过混频器2进行第二次下变频，变频后的信号经中频滤波器滤波、中频放大器放大后经过低通滤波器输出。
[0027]其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种C波段低杂散低相噪三通道收发组件，其特征在于：包括第一接收通道、第二接收通道和发射通道，所述第一接收通道和第二接收通道均包括依次连接的射频接收部分、混频器1、第一中频部分、混频器2和第二中频部分；所述第一接收通道和第二接收通道的锁相环1和锁相环2的输出端连接混频器1的本振输入端；所述第一接收通道和第二接收通道的锁相环3的输出端连接混频器2的本振输入端；所述发射通道包括依次连接的基带中频部分、混频器3、发射中频部分、混频器4和发射射频部分；所述发射通道的锁相环1输出端连接混频器3的本振输入端；所述发射通道的锁相环2和锁相环3输出端连接混频器4的本振输入端。2.根据权利要求1所述的一种C波段低杂散低相噪三通道收发组件，其特征在于：所述第一接收通道和第二接收通道的射频接收部分均包括依次连接的射频选通滤波器、射频衰减器和射频低噪声放大器，所述第一接收通道和第二接收通道的第一中频部分均包括依次连接的射频第一中频滤波器和射频放大器，所述第一接...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐朝辉，阳忠玖，张国红，
申请(专利权)人：成都中科亿信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：