【技术实现步骤摘要】
灰度值有效性分析方法、装置、电子设备以及存储介质
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种灰度值有效性分析方法、装置、电子设备以及存储介质。
技术介绍
在集成电路产业链中，集成电路测试是贯穿集成电路生产与应用全过程的重要步骤。一片晶圆在生产周期中，大约要经过数十甚至上百道不同工序，在整个制造过程中任何一个工艺步骤上的偏差都将会对成品率造成影响，为保证裸芯片的良品率，可对裸芯片进行晶圆测试，并对测试结果进行分析，进而对生产工艺进行调整。对晶圆进行测试的过程中，包括对晶圆上待测点的电学测量，用灰度值来表示对应待测点的电学测量结果，在现有技术中，通常有两种方法来分析晶圆上待测点的灰色值：1)直接比较待测点的灰度值与给定规范，如果该灰度值大于给定规范，则待测点将被视为ON，如果该灰度值小于给定规范，则待测点将被视为OFF。2)通过晶圆与晶圆之间的比较，即对比不同晶圆上同一个待测点的灰度值，以实现晶圆上待测点的灰度值进行分析。但是，现有技术中，得到的灰度值易受到环境、设备等的影响，进而使得灰度值分析...
【技术保护点】
1.一种灰度值有效性分析方法，其特征在于，包括：/n获取目标灰度图，所述目标灰度图中包括多个参考区块与多个目标区块；其中：所述参考区块的灰度表征了裸片对应位置的参考测试点接受到电子束照射时的实际扫描结果；所述目标区块的灰度表征了裸片对应位置的目标测试点接受到电子束照射时的实际扫描结果；其中的至少部分参考区块为GND参考区块，所述GND参考区块对应的参考测试点为GND点；所述实际扫描结果用于描述对应测试点实测的电连接状态；/n根据离散的N个GND参考区块的灰度，模拟GND参考区块的灰度随位置的连续变化，得到GND灰度模拟信息；其中的N大于1；所述GND灰度模拟信息表征了GND...
【技术特征摘要】
1.一种灰度值有效性分析方法，其特征在于，包括：
获取目标灰度图，所述目标灰度图中包括多个参考区块与多个目标区块；其中：所述参考区块的灰度表征了裸片对应位置的参考测试点接受到电子束照射时的实际扫描结果；所述目标区块的灰度表征了裸片对应位置的目标测试点接受到电子束照射时的实际扫描结果；其中的至少部分参考区块为GND参考区块，所述GND参考区块对应的参考测试点为GND点；所述实际扫描结果用于描述对应测试点实测的电连接状态；
根据离散的N个GND参考区块的灰度，模拟GND参考区块的灰度随位置的连续变化，得到GND灰度模拟信息；其中的N大于1；所述GND灰度模拟信息表征了GND模拟灰度与位置的量化关系；
根据所述GND灰度模拟信息，确定所述目标区块的灰度相对于匹配位置的GND模拟灰度的差异，得到目标差异信息；
根据所述目标差异信息，确定所述目标测试点的电连接状态。
2.根据权利要求1所述的灰度值有效性分析方法，其特征在于，根据离散的N个参考区块的灰度，模拟参考区块的灰度随位置的连续变化，得到灰度模拟信息之前，还包括：
在所述多个参考区块中，筛除处于所述目标灰度图中边缘位置的参考区块，得到剩余的M个参考区块，其中的M大于或等于N；
在所述M个参考区块中，确定所述N个参考区块。
3.根据权利要求2所述的灰度值有效性分析方法，其特征在于，在所述M个参考区块中，确定所述N个参考区块，包括：
在所述M个参考区块中，去除灰度异常值的参考区块，得到所述N个参考区块。
4.根据权利要求3所述的灰度值有效性分析方法，其特征在于，在所述M个参考区块中，去除灰度异常值的参考区块，得到所述N个参考区块，包括：
采用局部离群因子法，去除灰度异常值的参考区块，得到所述N个参考区块。
5.根据权利要求1所述的灰度值有效性分析方法，其特征在于，所述GND灰度模拟信息是通过目标回归模型表征的；
根据离散的N个GND参考区块的灰度，模拟GND参考区块的灰度随位置的连续变化，得到GND灰度模拟信息，包括：
根据离散的所述N个GND参考区块的灰度，确定所述目标回归模型的参数。
6.根据权利要求5所述的灰度值有效性分析方法，其特征在于，所述目标回归模型表征为：
G(x,y)＝a0*x3+a1*y3+a2*x2*y+a3*y2*x+a4*x2+a5*y2+a6*x*y+a7*x+a8*y
其中，
自变量x，y表示了所述目标灰度图的图像坐标系下对应的位置；
因变量G(x,y)表示了对应位置的GND模拟灰度；
a0、a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8为...
【专利技术属性】
技术研发人员：李承启，张海琼，托马斯·扎农，拉克什·瓦利舍伊，毛宏坤，杨一鸣，
申请(专利权)人：普迪飞半导体技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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