【技术实现步骤摘要】
一种基于FPGA的总线复用型FLASH读写系统
本专利技术涉及一种基于FPGA的总线复用型FLASH读写系统,属于数据读写控制领域。
技术介绍
MICRO公司的MT29F系列FLASH采用数据总线与地址总线复用设计,无法用DSP的EMIF总线或其他通信总线控制,需要DSP软件控制管脚实现读写时序,且单次仅读写一个字节,读写效率低,占用机时长。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是:针对目前现有技术中,无法用DSP的EMIF总线或其他通信总线控制,需要DSP软件控制管脚实现读写时序的问题,提出了一种基于FPGA的总线复用型FLASH读写系统。本专利技术解决上述技术问题是通过如下技术方案予以实现的:一种基于FPGA的总线复用型FLASH读写系统,包括FPGA读写模块、DSP模块、FLASH模块,FPGA读写模块管脚分别与DSP模块的EMIF总线、FLASH模块连接,FPGA读写模块接收DSP模块发送的指令并转换为FLASH模块输入信号,FLASH模块根据输入信号进行存储并供DSP模块读取。 ...
【技术保护点】
1.一种基于FPGA的总线复用型FLASH读写系统,其特征在于:包括FPGA读写模块、DSP模块、FLASH模块,FPGA读写模块管脚分别与DSP模块的EMIF总线、FLASH模块连接,FPGA读写模块接收DSP模块发送的指令并转换为FLASH模块输入信号,FLASH模块根据输入信号进行存储并供DSP模块读取。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于FPGA的总线复用型FLASH读写系统,其特征在于:包括FPGA读写模块、DSP模块、FLASH模块,FPGA读写模块管脚分别与DSP模块的EMIF总线、FLASH模块连接,FPGA读写模块接收DSP模块发送的指令并转换为FLASH模块输入信号,FLASH模块根据输入信号进行存储并供DSP模块读取。
2.根据权利要求1所述的一种基于FPGA的总线复用型FLASH读写系统,其特征在于:
所述DSP模块包含EMIF总线,地址总线大于4位,数据总线为32位;
所述FPGA读写模块点号大于100,内置的逻辑门电路大于1000门;
所述FLASH模块为满足MT29F时序要求的型号。
3.根据权利要求1所述的一种基于FPGA的总线复用型FLASH读写系统,其特征在于:
所述FPGA读写模块能够自动识别读指令、写指令,当DSP模块输入写指令时,具体流程如下:
(1)接收DSP模块写入的写指令;
(2)cs端口清零;
(3)将写指令中16~23bit数据输入数据总线,将27bit数据写入CLE端口,将26bit数据写入ALE端口,将24bit数据写入we端口线;
(4)于10ns后拉高we端口线,并于下一个10ns后清零CLE端口、ALE端口及数据总线;
(5)将写指令的7~0bit数据输入数据总线,将11bit数据写入CLE端口,将10bit数据写入ALE端口,将8bit数据写入we端口线;
(6)于10ns后拉高we端口线,并于下一个10ns后清零CLE端口、ALE端口及数据总线;
(7)拉高cs端口;
(8)终止流程。
4.根据权利要求3所述的一种基于FP...
【专利技术属性】
技术研发人员:李少玮,白明明,李雪,
申请(专利权)人:北京遥测技术研究所,航天长征火箭技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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