【技术实现步骤摘要】
电磁特性测量装置与系统以及电磁特性测量方法
本专利技术涉及一种电磁特性测量装置、电磁特性测量系统以及电磁特性测量方法。
技术介绍
随着通讯、半导体技术的高速发展，组件、内存等相关装置朝着小型化、薄型化、超宽带、可调控损耗等技术方向开发，进而磁性材料于电子装置、电路装置、内存等的使用越来越多，比如在电感器、传感器、干扰抑制器、高密度磁记录再生磁头、磁性内存、电磁波干扰(EMI)防护、智能型表面、组件封装、先进驾驶辅助系统、收发天线等磁性装置应用，开发应用这些磁性材料的前提是准确知道磁性材料的基本电磁相关特性，才能有效进行模拟设计与开发，因此，能够在宽屏下准确测量磁性材料的电磁特性具有重要意义。现行电磁特性测量方法包括同轴法、波导管法与共振腔微扰法等，在检测上都有样品大小的非常严格限制，因此需将材料重制为特定大小样品，而样品的电磁特性通常与实际应用大小相关，因此重制的材料样品与实际应用材料特性不同，所以目前方法所测量到的电磁特性与实际应用不同，以至于容易材料特性误判，无法有效地进行模拟设计，并且现行技术并无法进行大面积测...
【技术保护点】
1.一种电磁特性测量装置，其特征在于，包括：/n导磁结构，包括面向待测样品的第一侧以及相对于所述第一侧的第二侧，其中所述第一侧具有磁隙；/n线圈，环绕所述导磁结构，以与所述导磁结构产生磁场；以及/n散射参数测量器，设置于所述第一侧并位于所述磁场的范围内。/n
【技术特征摘要】
20191218 US 62/949,4581.一种电磁特性测量装置，其特征在于，包括：
导磁结构，包括面向待测样品的第一侧以及相对于所述第一侧的第二侧，其中所述第一侧具有磁隙；
线圈，环绕所述导磁结构，以与所述导磁结构产生磁场；以及
散射参数测量器，设置于所述第一侧并位于所述磁场的范围内。
2.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，其特征在于，所述电磁特性测量装置用以沿着所述待测样品的表面移动。
3.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，其中所述导磁结构包括彼此平行且连接所述第一侧以及所述第二侧的多个导磁柱、于所述第一侧连接所述多个导磁柱的第一导磁体以及于所述第二侧连接所述多个导磁柱的第二导磁体，所述线圈分别环绕所述多个导磁柱，且所述第一导磁体包括所述磁隙。
4.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，其中输入至所述线圈的电流为0至30安培。
5.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，其中当所述待测样品的导磁率等于1时，所对应的磁场的强度为临界磁场强度，所述线圈与所述导磁结构所产生的所述磁场的强度为0至所述临界磁场强度。
6.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，其中所述磁隙的距离介于0.1至12毫米之间。
7.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，还包括支架，设置于所述第二侧并往所述第一侧延伸至所述磁隙上方。
8.根据权利要求7所述的电磁特性测量装置，其中所述散射参数测量器设置于所述支架上。
9.根据权利要求7所述的电磁特性测量装置，其中所述支架的材料为非导磁材料。
10.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，其中所述线圈包括单芯金属线、多芯金属线、单层金属管或多层金属管。
11.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，其中所述散射参数测量器包括彼此交叠的导线层与介电层。
12.根据权利要求1所述的电磁特性测量装置，其中所述散射参数测...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊斌，汤士源，唐敏注，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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