一种多晶硅锭杂质层截除装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多晶硅锭杂质层截除装置，属于多晶硅锭除杂技术领域，其技术方案要点是，包括夹具，用于夹持多晶硅锭；切割机构，用于对多晶硅锭上的杂质层进行切割；夹具可拆卸设置在切割机构的一侧，且夹具可沿着切割机构的前后方向进行滑动；其中，夹具包括有立板，立板的中部设有开口，立板靠近切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有可沿竖直方向进行伸缩活动的伸缩机构，伸缩机构的伸缩活动端上安装有压板，立板远离切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有顶板，立板的底部支撑设置有底座。该种多晶硅锭杂质层截除装置十分便于多晶硅锭的上下料，整个过程方便省力，无需借助额外的搬运抬升工具，且安全性高。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅锭杂质层截除装置
本专利技术涉及多晶硅锭除杂
，具体为一种多晶硅锭杂质层截除装置。
技术介绍
太阳能光伏产业作为一种高新技术产业在近些年发展迅速，在各类太阳能电池中，晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池占有极其重要的地位，目前占据了光伏市场75％以上的份额。太阳能光伏产业的发展依赖于对多晶硅原料的提纯。在对多晶硅原料进行提纯的过程中，存在一个关键的、必不可少的环节，就是对多晶硅原料进行定向凝固提纯，所用到的定向凝固技术广泛应用于冶金提纯领域。利用多晶硅原料中硅与杂质之间的分凝系数存在较大差异的这一特点，在凝固过程中，坩埚底端的硅液首先开始凝固，为达到分凝平衡，分凝系数小的杂质从凝固的硅中向液态不断扩散分离出来而聚集在液态，随着凝固不断进行，杂质在液态中的浓度越来越高，最后凝固成型为一个包含多晶硅层和杂质层的多晶硅锭，其中杂质层凝固在多晶硅层的顶端，凝固完成后在较高温度下保温一段时间，使各成分充分扩散以达到分凝平衡，最后将杂质层切除，得到提纯的多晶硅。多晶硅锭凝固成型之后，需要将其从坩埚中取出，再对其杂质层进行截除，由于多晶硅锭的质量往本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅锭杂质层截除装置，其特征在于，所述多晶硅锭杂质层截除装置用于截除多晶硅锭(11)上的杂质层(12)，包括：/n夹具，用于夹持所述多晶硅锭(11)；/n切割机构，用于对所述多晶硅锭(11)上的所述杂质层(12)进行切割；/n所述夹具可拆卸设置在所述切割机构的一侧，且所述夹具可沿着所述切割机构的前后方向进行滑动；/n其中，所述夹具包括有立板(1)，所述立板(1)的中部设有开口，所述立板(1)靠近所述切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有可沿竖直方向进行伸缩活动的伸缩机构(2)，所述伸缩机构(2)的伸缩活动端上安装有压板(3)，所述立板(1)远离所述切割机构一侧且位于其开口上方的位置...

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅锭杂质层截除装置，其特征在于，所述多晶硅锭杂质层截除装置用于截除多晶硅锭(11)上的杂质层(12)，包括：
夹具，用于夹持所述多晶硅锭(11)；
切割机构，用于对所述多晶硅锭(11)上的所述杂质层(12)进行切割；
所述夹具可拆卸设置在所述切割机构的一侧，且所述夹具可沿着所述切割机构的前后方向进行滑动；
其中，所述夹具包括有立板(1)，所述立板(1)的中部设有开口，所述立板(1)靠近所述切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有可沿竖直方向进行伸缩活动的伸缩机构(2)，所述伸缩机构(2)的伸缩活动端上安装有压板(3)，所述立板(1)远离所述切割机构一侧且位于其开口上方的位置处设有顶板(4)，所述立板(1)的底部支撑设置有底座(8)，所述底座(8)与所述顶板(4)之间设有丝杆传动机构(6)，所述丝杆传动机构(6)上活动设置有用于承放所述多晶硅锭(11)的承板(7)，所述承板(7)通过所述丝杆传动机构(6)的驱动可进行升降运动，所述承板(7)远离所述丝杆传动机构(6)的一端从所述立板(1)的开口内穿过，所述承板(7)与所述压板(3)挤压配合。


2.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭杂质层截除装置，其特征在于：所述夹具还包括有第一把手(5)和第一行进机构(9)，所述第一把手(5)设在所述顶板(4)上，所述第一行进机构(9)设在所述底座(8)的底部。


3.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭杂质层截除装置，其特征在于：所述切割机构包括有切割台(13)，所述切割台(13)顶部远离所述夹具的一侧设有限位凸起(14)，所述限位凸起(14)顶部的一端设有安装架(15)，所述安装架(15)上设有切割线(16)，所述夹具与所述切割机构组合在一起之后，所述承板(7)放置在所述切割台(13)的顶部，且所述承板(7)的端部与所述限位凸起(...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶森林，熊含梦，张发云，罗玉峰，王发辉，胡云，何亮，邹贵付，谢宇，
申请(专利权)人：新余学院，
类型：发明
国别省市：江西;36