一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法技术

一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法，涉及一种陶瓷与金属的连接方法。本发明专利技术是要解决目前多孔氮化硅陶瓷/Invar合金天线罩接头残余应力较高的技术问题。本发明专利技术通过天线罩的结构设计解决了目前多孔氮化硅陶瓷/Invar合金天线罩接头残余应力较高的问题，使环形天线罩连接后无明显微裂纹。本发明专利技术的中间连接层的设计，其由上层钎料、软性中间层和下层钎料组成。其中上层钎料为AgCuTi钎料箔；软性中间层为Cu泡沫、Cu瓦楞或泡沫镍；下层钎料为AgCu钎料箔。本发明专利技术应用于焊接领域。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法
本专利技术涉及一种陶瓷与金属的连接方法。
技术介绍
天线罩是飞行器重要结构部分，其需要具备介电性能优良、抗热震性能好、热膨胀系数低等特性。多孔Si3N4陶瓷作为天线罩体能够满足上述要求，然而多孔Si3N4陶瓷材料的脆性较大，难以直接与飞行器其他部分进行装配，因此，需要在天线罩端部连接金属环，通过金属环实现与飞行器其他部分的装配。有专利介绍了采用有机胶连接天线罩与金属环，但其强度低，耐高温性不好。因此，采用陶瓷-金属钎焊技术将极大提高连接结构的强度及耐高温性能。Invar合金具备热膨胀系数低的优点，因此常被选做金属连接环。一方面大尺寸结构件连接面积大，残余应力随构件尺寸增大而急剧上升，另一方面由于多孔Si3N4陶瓷易破碎，钎焊过程极易因残余应力过大导致多孔Si3N4陶瓷断裂。因此，需要对天线罩连接部分进行结构设计，通过优化结构降低连接件的残余应力。
技术实现思路
本专利技术是要解决目前多孔氮化硅陶瓷/Invar合金天线罩接头残余应力较高的技术问题，而提供一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法，其特征在于陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法是按以下步骤进行的：/n一、将Invar合金连接环依次用无水乙醇和丙酮进行清洗；/n所述的Invar合金连接环的中心为通孔，Invar合金连接环的上部为空心圆台结构，上端的直径小于下端的直径；Invar合金连接环的下部为空心圆柱体结构；Invar合金连接环上部的底端的外径小于Invar合金连接环下部的外径；/n二、将多孔Si

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法，其特征在于陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法是按以下步骤进行的：
一、将Invar合金连接环依次用无水乙醇和丙酮进行清洗；
所述的Invar合金连接环的中心为通孔，Invar合金连接环的上部为空心圆台结构，上端的直径小于下端的直径；Invar合金连接环的下部为空心圆柱体结构；Invar合金连接环上部的底端的外径小于Invar合金连接环下部的外径；
二、将多孔Si3N4陶瓷天线罩用棉花擦拭表面；所述的多孔Si3N4陶瓷天线罩为空心圆环结构，且内壁的形状与Invar合金连接环的上部的外壁形状相同；
三、将里层钎料、软性中间层钎料和外层钎料加工成与Invar合金连接环的上部外壁形状相同的环形结构，然后将里层钎料、软性中间层钎料和外层钎料放入无水乙醇中超声清洗2min～3min，放入烘箱中烘干；
所述的里层钎料为AgCu钎料箔；
所述的软性中间层钎料为泡沫铜、Cu瓦楞或泡沫镍；
所述的外层钎料为AgCuTi钎料箔；
四、在Invar合金连接环上部的外表面依次套上里层钎料、软性中间层和外层钎料，各个相邻的层之间用502胶粘住，然后在上层钎料的外壁套上多孔Si3N4陶瓷天线罩，各层之间紧密配合；
五、将步骤四中装配好的待焊工件放入真空加热炉中，在真空条件下，先以10℃/min～15℃/min将温度从室温升到300℃～350℃，在300℃～350℃保温30min～40min；随后以10℃/min～15/min的升温速率从300℃～350℃升温至850℃～900℃，在850℃～900℃保温10min～15min，然后以5℃/min～10℃/min降温至300℃～350℃，然后自然冷却至室温，完成陶瓷与金属的钎焊。


2.根据权利要求1所述的一种陶瓷天线罩与金属连接环的连...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，文粤，刘春凤，孙良博，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23