【技术实现步骤摘要】
用于光电器件的制冷系统及其制作方法
本专利技术涉及量子通信领域,具体涉及一种用于光电器件的制冷系统及其制作方法。
技术介绍
在量子通信领域中,常采用热电制冷器(ThermoElectricCooler,简称TEC)来降低光电器件(比如单光子探测器)工作时的温度,该类器件多为晶体管外形封装形式(TransistorOut-line,简称TO),所以将该类器件统称为TO光电器件。由于TO光电器件的性能与环境温度有很大的关系,温度越低,性能越好。所以,需要实时探测TO光电器件工作时的温度并根据探测的温度实时对TO光电器件工作时的温度进行调控,当该TO光电器件工作时的温度超过一定的数值时,对TO光电器件进行制冷,以保证TO光电器件维持稳定工作状态。如图1所示,目前通常采用将陶瓷热沉与热电制冷器TEC的陶瓷基片烧结为一体的方式对TO光电器件进行制冷,但该方案存在以下缺陷:(1)制作工艺复杂、产能低,由于加工设备的限制导致良品率差且由于陶瓷介质的导热系数低导致其导热效果不佳,导致对TO光电器件的制冷效果较差;(2)目前市场存在的TO光电器件的规格型号较多,对TO光电器件制冷需要的管夹及热沉的种类就多,导致成本高,适用性不强。所以说,如何提供一种稳定性强、适用性强、制冷效果好的用于光电器件的制冷系统成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种用于光电器件的制冷系统及其制作方法,用以解决现有技术存在的制冷效果差、稳定性差、适用性差的缺陷。为了实现上 ...
【技术保护点】
1.一种用于光电器件的制冷系统,包括制冷装置和多个光电器件,其中,所述制冷装置包括N个制冷模块,N为大于2的自然数,其特征在于:/n第一至第N个制冷模块从上至下依次放置在一起;/n所述第一个制冷模块包括第一晶粒阵列(2)和热沉(1),其中,所述第一晶粒阵列(2)通过设置于所述热沉(1)下表面的铜电极阵列(11),固定设置于所述热沉(1)的下表面;/n所述第一晶粒阵列(2)与所述热沉(1)一体成型;/n所述第一晶粒阵列(2)的分布状态与设置于所述铜电极阵列(11)的分布状态一致;/n第二个制冷模块包括第一陶瓷基片(5)、第二晶粒阵列(7),其中,所述第二晶粒阵列(7)固定设置于所述第一陶瓷基片(5)的下表面;/n以此类推,所述第N个制冷模块包括第N-1陶瓷基片、第N晶粒阵列、第N陶瓷基片,其中,所述第N晶粒阵列固定设置于所述第N-1陶瓷基片与所述第N陶瓷基片之间。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于光电器件的制冷系统,包括制冷装置和多个光电器件,其中,所述制冷装置包括N个制冷模块,N为大于2的自然数,其特征在于:
第一至第N个制冷模块从上至下依次放置在一起;
所述第一个制冷模块包括第一晶粒阵列(2)和热沉(1),其中,所述第一晶粒阵列(2)通过设置于所述热沉(1)下表面的铜电极阵列(11),固定设置于所述热沉(1)的下表面;
所述第一晶粒阵列(2)与所述热沉(1)一体成型;
所述第一晶粒阵列(2)的分布状态与设置于所述铜电极阵列(11)的分布状态一致;
第二个制冷模块包括第一陶瓷基片(5)、第二晶粒阵列(7),其中,所述第二晶粒阵列(7)固定设置于所述第一陶瓷基片(5)的下表面;
以此类推,所述第N个制冷模块包括第N-1陶瓷基片、第N晶粒阵列、第N陶瓷基片,其中,所述第N晶粒阵列固定设置于所述第N-1陶瓷基片与所述第N陶瓷基片之间。
2.根据权利要求1所述的一种用于光电器件的制冷系统,其特征在于,所述热沉(1)的内部设置有多个中空且相互对称的加持孔(4),多个所述光电器件分别放置于多个所述加持孔(4)中并与所述热沉(1)紧密接触,其中,一个加持孔(4)对应一个光电器件。
3.根据权利要求2所述的一种用于光电器件的制冷系统,其特征在于,多个所述加持孔的内表面上均设置有通过线切割方式形成的弹性顶压块(3),其中,所述弹性顶压块(3)的一端固定设置于对应加持孔(4)的内表面,其中,一个弹性顶压块(3)对应一个加持孔(4)。
4.根据权利要求3所述的一种用于光电器件的制冷系统,其特征在于,还包括多个螺钉,其中,各个所述螺钉通过所述热沉(1)的外表面设置的多个螺纹孔及所述螺纹孔对应的弹性顶压块(3)分别固定对应的光电器件,其中,一个弹性顶压块(3)对应至少一个螺纹孔。
5.根据权利要求1所述的一种用于光电器件的制冷系统,其特征在于,所述热沉(1)的材质为铝。
6.根据权利要求1所述的一种用于光电器件的制冷系统,其特征在于,各个所述制冷模块均为热电制冷器TEC。
7.根据权利要求1所述的一种用于光电器件的制冷系统,其特征在于,各个所述光电器件均为晶体管外形TO光电器件。
8.一种制作如权利要求1-7中任一项所述的一种用于光电器件的制冷系统的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S101、按需选择面积大小不同的多个陶瓷基片,根据面积从小到大的顺序对各个所述陶瓷基片进行排序,得到N个陶瓷基片,其中,N个所述陶瓷基片包括第一陶瓷基片(5)、第二陶瓷基片(6)…第N陶瓷基片,N为大于2的自然数;
S102、分别在各个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈柳平,张建,付仁清,金燕,万相奎,
申请(专利权)人:国开启科量子技术北京有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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