大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构制造技术

本发明专利技术公开了一种大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构。大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，包括：杜瓦冷台；陶瓷结构件，粘接于杜瓦冷台；至少一层陶瓷框架，粘接于陶瓷结构件远离杜瓦冷台的一侧；探测器混成芯片，粘接于至少一层陶瓷框架远离陶瓷结构件的一侧。采用本发明专利技术，通过优化冷头结构，使整个结构的低温应力得到释放，保证探测器芯片的低温可靠性，可以解决大面阵探测器芯片低温下热应力集中，受温度冲击容易产生损伤的问题，同时选择框架作为电学过渡结构，可以保证探测器电学信引出。

【技术实现步骤摘要】
大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构
本专利技术涉及红外探测器领域，尤其涉及一种大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构。
技术介绍
制冷型红外探测器组件广泛应用于红外成像系统中，是各类红外测试系统的核心部件。随着制冷型红外探测器的飞速发展，红外探测器规模也越来越大，从传统的320×256规模不断提高，目前1024×1024、2048×2048等大面阵探测器已经实现工程化，国际上先进探测器生产商也已实现了4096×4096超大面阵探测器的生产和应用。在大面阵探测器研制过程中，红外焦平面探测器面阵规模的扩大，探测器芯片受温度冲击更容易产生损伤，直接影响探测器的性能，甚至导致探测器失效，这已成为大面阵探测器生产工艺急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构，用以解决现有技术中大面阵探测器芯片低温下热应力集中，受温度冲击容易产生损伤的问题。根据本专利技术实施例的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，包括：杜瓦冷台；陶瓷结构件，粘接于所述杜瓦冷台；至少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，包括：/n杜瓦冷台；/n陶瓷结构件，粘接于所述杜瓦冷台；/n至少一层陶瓷框架，粘接于所述陶瓷结构件远离所述杜瓦冷台的一侧；/n探测器混成芯片，粘接于所述至少一层陶瓷框架远离所述陶瓷结构件的一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，包括：
杜瓦冷台；
陶瓷结构件，粘接于所述杜瓦冷台；
至少一层陶瓷框架，粘接于所述陶瓷结构件远离所述杜瓦冷台的一侧；
探测器混成芯片，粘接于所述至少一层陶瓷框架远离所述陶瓷结构件的一侧。


2.如权利要求1所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述至少一层陶瓷框架包括依次层叠设置的第一层陶瓷框架、第二层陶瓷框架、和第三层陶瓷框架，所述第一层陶瓷框架与所述第二层陶瓷框架粘接，所述第二层陶瓷框架与所述第三层陶瓷框架粘接。


3.如权利要求2所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述陶瓷结构件包括主体部和支撑部，所述支撑部呈环形且外套于所述主体部；
所述主体部的下端与所述杜瓦冷台粘接，所述主体部的上端与所述第二层陶瓷框架粘接；
所述第三层陶瓷框架呈环形且外套于所述主体部，所述第三层陶瓷框架的上表面与所述第二层陶瓷框架粘接，所述第三层陶瓷框架的下表面与所述支撑部粘接。


4.如权利要求2所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述探测器混成芯片的面积为16mm×12.8mm。


5.如权利要求2-4中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：付志凯，张磊，吴卿，王成刚，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11