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本发明公开了一种大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构。大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，包括：杜瓦冷台；陶瓷结构件，粘接于杜瓦冷台；至少一层陶瓷框架，粘接于陶瓷结构件远离杜瓦冷台的一侧；探测器混成芯片，粘接于至少一层陶瓷框架远离陶瓷结构...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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