用于全局列修复的数据压缩制造技术

技术编号:28945313 阅读:13 留言:0更新日期:2021-06-18 21:57
本申请案涉及用于全局列修复的数据压缩。在一些情况下,测试装置可执行第一内部读取操作以识别与一或多个列平面上相关联的错误。可存储指示在测试每一列平面时是否发生错误的值(例如,位)。所述测试装置可在相同列表面上或在存储器单元的不同存储体的列平面上执行第二内部读取操作。指示错误是否在所述第一内部读取操作期间发生的所述值(例如,位)及指示错误是否在所述第二内部读取操作期间发生的所述值可被组合并存储在寄存器中。存储值可被读出(例如,作为突发)以修复缺陷列平面。

【技术实现步骤摘要】
用于全局列修复的数据压缩交叉参考本专利申请案主张由约翰逊(Johnson)在2019年12月16日申请的标题为“用于全局列修复的数据压缩(DATACOMPRESSIONFORGLOBALCOLUMNREPAIR)”的第16/716,366号美国专利申请案的优先权,所述申请案转让给其受让人并且所述申请案的全部内容以引用的方式明确并入本文中。

涉及用于全局列修复的数据压缩。
技术介绍
下文大体上涉及一或多个存储器系统,并且更具体来说,涉及用于全局列修复的数据压缩。存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者)中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说,二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者,通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中,单个存储器单元可支持两个以上状态,可存储所述状态中的任一者。为存取所存储信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一种所存储状态。为存储信息,组件可在存储器装置中写入或编程状态。存在各种类型的存储器装置及存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如,FeRAM)即使在不存在外部电源的情况下也可维持其存储的逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如DRAM)会在与外部电源断开连接时丢失其存储状态。
技术实现思路
描述了一种方法。在一些实例中,所述方法包含使用第一读取操作产生第一数据以识别与存储器装置的第一多个列平面的存储器单元相关联的一或多个错误,所述第一数据包括关于所述第一多个列平面中的每一列平面是否包含所述一或多个错误的第一多个指示符;使用第二读取操作产生第二数据以识别与所述存储器装置的第二多个列平面的存储器单元相关联的一或多个错误,所述第二数据包括关于所述第二多个列平面中的每一列平面是否包含所述一或多个错误的第二多个指示符;将所述第一数据及所述第二数据组合成包括关于所述第一多个列平面及所述第二多个列平面是否包含一或多个错误的第三多个指示符的第三数据;及通过所述存储器装置传达包含通过组合所述第一数据及所述第二数据形成的所述第三数据的消息。描述了一种设备。在一些实例中,所述设备可包含存储器阵列,其包括第一多个列平面及第二多个列平面;及测试器,其与所述存储器阵列耦合,并且所述测试器经配置以致使所述设备:产生第一数据以识别与所述第一多个列平面的存储器单元相关联的一或多个错误;产生第二数据以识别与所述存储装置的第二多个列平面的存储器单元相关联的一或多个错误;将所述第一数据及所述第二数据组合成包括关于所述第一多个列平面及所述第二多个列平面是否包含一或多个错误的第三多个指示符的第三数据;及传达包含通过组合所述第一数据及所述第二数据形成的所述第三数据的消息。描述了一种设备。在一些实例中,所述设备可包含存储器阵列,其包括多个存储器单元,所述多个存储器单元包括第一多个列平面及第二多个列平面;数据产生组件,其经配置以产生第一数据以识别与所述第一多个列平面相关联的一或多个错误,且产生第二数据以识别与所述第二多个列平面相关联的一或多个错误;数据组合组件,其经配置以将所述第一数据与所述第二数据组合成包括关于所述第一多个列平面及所述第二多个列平面是否包含一或多个错误的多个指示符的第三数据;及传输组件,其经配置以传输包含通过组合所述第一数据及所述第二数据形成的所述第三数据的消息。附图说明图1说明根据本文揭示的实例的支持用于全局列修复的数据压缩的系统的实例。图2说明根据本文揭示的实例的支持用于全局列修复的数据压缩的测试设置的实例。图3说明根据本文揭示的实例的支持用于全局列修复的数据压缩的存储器阵列的修复区的实例。图4说明根据本文揭示的实例的支持用于全局列修复的数据压缩的存储器装置的实例寄存器。图5说明根据本文揭示的实例的存储到支持用于全局列修复的数据压缩的存储器装置的寄存器的实例数据。图6展示根据本文揭示的实例的支持用于全局列修复的数据压缩的存储器装置的框图。图7展示说明根据本文揭示的实例的支持用于全局列修复的数据压缩的方法的流程图。具体实施方式存储器装置的设计者及制造者可例如出于质量控制目的或作为设计过程的部分来测试存储器装置的方面是否存在电缺陷,例如意外的导电路径(例如,短路或泄漏)或断开连接(例如,开路)。测试电缺陷可用以验证或完善装置设计或装置制造工艺。用于测试电缺陷的一些技术可使用额外存储装置(例如,额外存储器阵列)来存储测试数据。随着存储器单元阵列的大小增加,由测试产生的数据量也增加。随后可从测试单元读出数据,以便确定是否发生与对应存储器单元相关联的错误。在此测试配置中,随着存储器阵列的大小及密度增长,用以进行测试的测试器的存储器量也可增加。此外,归因于存储在测试单元中的数据量相对较大,用以从测试单元读出数据的时间(例如,执行测试操作所需的时间)可能不合意地长。因此,可能希望减少在用于存储数据的测试程序期间使用的测试器的存储器量。本文描述一种存储器系统,其经配置以使用压缩数据来测试存储器装置的方面。存储系统可包含布置在存储体中的多个存储器单元。每一存储体可包含一或多个列平面,并且每一列平面可包含个别存储器单元的行及列。列平面可指可在任何一个测试操作期间被测试的一组存储器单元。在全局列修复操作期间,可从任何列平面读取数据。因为列平面包含多个存储器单元,所以通常可从列平面读出多个数据位。然而,如本文所描述,数据可被压缩(例如,成单个数据位),其指示在测试相关联联存储器单元时是否发生错误。基于错误的发生,可修复个别列平面。从列平面读出的数据可被存储到存储器阵列的一部分(例如,寄存器)。在测试后续列平面时,可将相关联数据(例如,相关联数据位)存储在寄存器中。在测试列平面时,可用已经存储在寄存器中的数据来压缩相关联数据。因此,如果列平面随后失效(即,如果在后续测试期间在列平面中发生错误),那么可更新存储到寄存器的数据。因此,与每一列平面相关联的指示最近测试结果的一个数据位可被存储到寄存器。归因于来自多个测试的数据的压缩,与每一列平面相关联的相对少量的数据可被存储到存储器装置。此数据压缩可减少在测试操作期间传达到测试器且由测试器存储的信息量。此信息减少可减少执行测试操作的时间,并且可减少由测试器使用的存储器量(且借此避免在测试器处的存储器溢出)。首先,在如参考图1及2描述的存储器系统及测试设置的上下文中描述本专利技术的特征。在存储器装置的修复区及存储在如参考图3到5描述的相关联寄存器中的数据的上下文中描述本专利技术的特征。通过与用于如参考图6及7描述的全局列修复的数据压缩相关的设备图及流程图来进本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种方法,其包括:/n使用第一读取操作产生第一数据以识别与存储器装置的第一多个列平面的存储器单元相关联的一或多个错误,所述第一数据包括关于所述第一多个列平面中的每一列平面是否包含所述一或多个错误的第一多个指示符;/n使用第二读取操作产生第二数据以识别与所述存储器装置的第二多个列平面的存储器单元相关联的一或多个错误,所述第二数据包括关于所述第二多个列平面中的每一列平面是否包含所述一或多个错误的第二多个指示符;/n将所述第一数据及所述第二数据组合成包括关于所述第一多个列平面及所述第二多个列平面是否包含一或多个错误的第三多个指示符的第三数据;及/n通过所述存储器装置传达包含通过组合所述第一数据及所述第二数据形成的所述第三数据的消息。/n

【技术特征摘要】
20191216 US 16/716,3661.一种方法,其包括:
使用第一读取操作产生第一数据以识别与存储器装置的第一多个列平面的存储器单元相关联的一或多个错误,所述第一数据包括关于所述第一多个列平面中的每一列平面是否包含所述一或多个错误的第一多个指示符;
使用第二读取操作产生第二数据以识别与所述存储器装置的第二多个列平面的存储器单元相关联的一或多个错误,所述第二数据包括关于所述第二多个列平面中的每一列平面是否包含所述一或多个错误的第二多个指示符;
将所述第一数据及所述第二数据组合成包括关于所述第一多个列平面及所述第二多个列平面是否包含一或多个错误的第三多个指示符的第三数据;及
通过所述存储器装置传达包含通过组合所述第一数据及所述第二数据形成的所述第三数据的消息。


2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
针对所执行的每一读取操作,产生关于在相应读取操作期间是否识别一或多个错误的指示符,其中所述消息包含用于每一读取操作的所述指示符。


3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:
至少部分基于通过组合所述第一数据及所述第二数据形成的所述第三数据及关于所述一或多个错误是否与相应读取操作相关联的所述指示符来识别所述第一多个列平面或所述第二多个列平面中的第一列平面包含错误。


4.根据权利要求2所述的方法,其中将所述第一数据与所述第二数据组合包括:
识别在第一位索引处的所述第一数据的第一位是第一值;
识别在所述第一位索引处的所述第二数据的第二位是所述第一值;及
至少部分地基于所述第一数据的所述第一位是所述第一值或所述第二数据的所述第二位是所述第一值来产生针对所述第三数据的所述第一位索引的值。


5.根据权利要求4所述的方法,其中产生所述指示符进一步包括:
设置第三位的值以指示所述一或多个错误是否与所述第一读取操作相关联;及
设置第四位的值以指示所述一或多个错误是否与所述第二读取操作相关联。


6.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括:
至少部分基于所述第一位、所述第二位、所述第三位及所述第四位的所述值来识别与所述第一数据及所述第二数据相关联的冲突;及
至少部分基于识别与所述第一数据及所述第二数据相关联的所述冲突,在所述第一多个列平面、所述第二多个列平面或两者上执行单个修复操作。


7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
至少部分基于传达所述消息来确定与所述一或多个错误相关联的列平面的地址;及
至少部分基于确定所述地址来修复所述地址处的所述列平面。


8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
将所述第一数据及所述第二数据存储到第一寄存器,其中将所述第一数据与所述第二数据组合发生在所述第一寄存器处;及
将所述第三数据转移到不同于所述第一寄存器的第二寄存器,其中所述第三数据从所述第二寄存器传达。


9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
接收读出命令,其中传达所述消息是至少部分基于接收所述读出命令。


10.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
根据存储体交错模式来识别用于所述第一读取操作的一或多个存储体及用于所述第二读取操作的一或多个存储体,所述存储体交错模式可操作以减少针对所述第一数据及所述第二数据的类似位索引值发生错误的可能性,其中产生所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·M·约翰逊
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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