安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路制造技术

安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，异常监测与输出自锁保护电路分别与第一继电器输出回路和第二继电器输出回路电性相连，第一继电器输出回路还与第二继电器输出回路电性相连；异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，第一继电器输出回路和第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断负载的供电回路。

【技术实现步骤摘要】
安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路
本技术涉及安全光栅电源控制器
，具体涉及安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路。
技术介绍
当安全光栅电源控制器的主控芯片MCU因软件设计缺陷或者电磁干扰而造成程序跑飞时，或者因5V电源故障造成主控芯片MCU硬件永久性损坏时，在这种情况下，必须强制将连接负载的两路继电器输出回路关断，以免造成生产安全事故发生。
技术实现思路
本技术的目的是提供安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，当主控芯片MCU无法正常工作时，强制将连接负载的两路继电器输出回路关断，以避免造成生产事故。为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案是：提供安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，所述异常监测与输出自锁保护电路分别与所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路电性相连，所述第一继电器输出回路还与所述第二继电器输出回路电性相连；所述异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断负载的供电回路。进一步地，所述异常监测与输出自锁保护电路包括MOS管Q15、Q16、Q17、Q18、Q21，电容C9、C10，二极管D12、D13、D14、D15、D16，电阻R50、R51、R52、R54、R55；其中，所述电阻R54、所述MOS管Q17、所述电阻R50、所述电容C10、所述二极管D15以及所述MOS管Q15组成高电平监测电路，所述电阻R55、所述MOS管Q21、所述电阻R52、所述MOS管Q18、所述电容C9、所述电阻R51、所述二极管D16以及所述MOS管Q16组成低电平监测电路；所述电阻R54的一端和所述电阻R55的一端的连接点连接所述主控芯片MCU的WDI控制脚，所述电阻R54的另一端连接所述MOS管Q17的栅极，所述MOS管Q17的源极接地，所述MOS管Q17的漏极分别连接所述电阻R50的一端、所述二极管D15的正极、所述电容C10的一端，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R50的另一端接5V，所述二极管D15的负极连接所述MOS管Q15的栅极，所述MOS管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述二极管D12的负极，所述二极管D12的负极还与所述二极管D13的负极和所述二极管D14的负极连接后连接所述MOS管Q16的漏极，所述MOS管Q16的源极接地，所述MOS管Q16的栅极连接所述二极管D16的负极，所述二极管D16的正极分别连接所述电阻R51的一端、所述MOS管Q18的源极以及所述电容C9的一端，所述电阻R51的另一端连接5V，所述电容C9的另一端接地，所述MOS管Q18的源极接地，所述MOS管Q18的栅极分别连接所述电阻R52的一端和所述MOS管Q21的漏极，所述MOS管Q21的源极接地，所述MOS管Q21的栅极连接所述电阻R55的另一端，所述二极管D12的正极为所述第一继电器输出回路的控制开关RELAY1_OS，所述二极管D13的正极为所述第二继电器输出回路的控制开关RELAY2_OS，所述二极管D14的正极为所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路的总控制开关RELAY_OS。进一步地，所述第一继电器输出回路包括继电器K1，熔断器P3，三极管Q1和Q19，电容C7，隧道二极管DZ1，二极管D5，电阻R24、R41、R56、R57；所述继电器K1的引脚3连接负载的控制端C2，所述继电器K1的引脚5连接所述熔断器P3的引脚1，所述熔断器P3的引脚1还连接所述第二继电器输出回路，所述继电器K1的引脚7分别连接所述二极管D5的正极、所述三极管Q1的集电极和所述电容C7的一端，所述继电器K1的引脚8分别连接所述二极管D5的负极和24V，所述电容C7的另一端连接所述隧道二极管DZ1的负极，所述隧道二极管DZ1的正极接地，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q19的集电极，所述三极管Q19的发射极接地，所述三极管Q1的基极分别连接所述电阻R24的一端和所述电阻R41的一端，所述电阻R41的另一端接地，所述三极管Q19的基极分别连接所述电阻R56的一端和所述电阻R57的一端，所述电阻R57的另一端接地，所述电阻R24的另一端连接所述二极管D12的正极；所述电阻R56的另一端分别连接所述第二继电器输出回路和所述二极管D14的正极。进一步地，所述第二继电器输出回路包括继电器K2，熔断器P4，三极管Q2和Q20，电容C8，隧道二极管DZ2，二极管D6，电阻R25、R42、R58、R59；所述继电器K2的引脚4分别连接负载的控制端C1和所述熔断器P3的引脚2，所述继电器K2的引脚6连接所述熔断器P4的引脚2，所述熔断器P4的引脚1还连接所述熔断器P3的引脚1，所述继电器K2的引脚8分别连接所述二极管D6的正极、所述三极管Q2的集电极和所述电容C8的一端，所述继电器K2的引脚8分别连接所述二极管D6的负极和24V，所述电容C8的另一端连接所述隧道二极管DZ2的负极，所述隧道二极管DZ2的正极接地，所述三极管Q2的发射极连接所述三极管Q20的集电极，所述三极管Q20的发射极接地，所述三极管Q2的基极分别连接所述电阻R25的一端和所述电阻R42的一端，所述电阻R42的另一端接地，所述三极管Q20的基极分别连接所述电阻R58的一端和所述电阻R59的一端，所述电阻R59的另一端接地，所述电阻R25的另一端连接所述二极管D13的正极；所述电阻R58的另一端分别连接所述电阻R56的另一端和所述二极管D14的正极。进一步地，所述二极管D12、D13、D14、D15、D16为贴片开关二极管。进一步地，所述二极管D5和D6为肖特基二极管。进一步地，所述三极管Q1、Q19、Q2、Q20为NPN型三极管。进一步地，所述MOS管Q15、Q16、Q17、Q18以及Q21为N沟道增强型MOS管。进一步地，所述继电器K1和所述继电器K2的型号为JQX-13F。进一步地，所述RELAY_OS在所述主控芯片MCU正常工作状态时保持高电平，所述RELAY1_OS和所述RELAY2_OS的开关状态由光栅的通光状态决定。与现有技术相比较，本技术的有益效果在于，本技术提供的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，异常监测与输出自锁保护电路分别与第一继电器输出回路和第二继电器输出回路电性相连，第一继电器输出回路还与第二继电器输出回路电性相连；异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，第一继电器输出回路和第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断光栅的供电回路；从而当主控芯片MCU无法正常工作时，异常监本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，所述异常监测与输出自锁保护电路分别与所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路电性相连，所述第一继电器输出回路还与所述第二继电器输出回路电性相连；所述异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断负载的供电回路。/n

【技术特征摘要】
1.安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，所述异常监测与输出自锁保护电路分别与所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路电性相连，所述第一继电器输出回路还与所述第二继电器输出回路电性相连；所述异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断负载的供电回路。


2.根据权利要求1所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述异常监测与输出自锁保护电路包括MOS管Q15、Q16、Q17、Q18、Q21，电容C9、C10，二极管D12、D13、D14、D15、D16，电阻R50、R51、R52、R54、R55；其中，所述电阻R54、所述MOS管Q17、所述电阻R50、所述电容C10、所述二极管D15以及所述MOS管Q15组成高电平监测电路，所述电阻R55、所述MOS管Q21、所述电阻R52、所述MOS管Q18、所述电容C9、所述电阻R51、所述二极管D16以及所述MOS管Q16组成低电平监测电路；所述电阻R54的一端和所述电阻R55的一端的连接点连接所述主控芯片MCU的WDI控制脚，所述电阻R54的另一端连接所述MOS管Q17的栅极，所述MOS管Q17的源极接地，所述MOS管Q17的漏极分别连接所述电阻R50的一端、所述二极管D15的正极、所述电容C10的一端，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R50的另一端接5V，所述二极管D15的负极连接所述MOS管Q15的栅极，所述MOS管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述二极管D12的负极，所述二极管D12的负极还与所述二极管D13的负极和所述二极管D14的负极连接后连接所述MOS管Q16的漏极，所述MOS管Q16的源极接地，所述MOS管Q16的栅极连接所述二极管D16的负极，所述二极管D16的正极分别连接所述电阻R51的一端、所述MOS管Q18的源极以及所述电容C9的一端，所述电阻R51的另一端连接5V，所述电容C9的另一端接地，所述MOS管Q18的源极接地，所述MOS管Q18的栅极分别连接所述电阻R52的一端和所述MOS管Q21的漏极，所述MOS管Q21的源极接地，所述MOS管Q21的栅极连接所述电阻R55的另一端，所述二极管D12的正极为所述第一继电器输出回路的控制开关RELAY1_OS，所述二极管D13的正极为所述第二继电器输出回路的控制开关RELAY2_OS，所述二极管D14的正极为所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路的总控制开关RELAY_OS。


3.根据权利要求2所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述第一继电器输出回路包括继电器K1，熔断器P3，三极管Q1和Q19，电容C7，隧道二极管DZ1，二极管D5，电阻R24、R41、R56、R57；所述继电器K1的引脚3连接负载的控制端C2，所述继电器K1的引脚5连接所述熔断器P3的引脚1，所述熔断器P3的引脚1还连接所述第二继电器输出回路，所述继电器K...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪海平，
申请(专利权)人：深圳市施特安邦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44