能够供电至阳极的供电体及镀覆装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够供电至阳极的供电体及镀覆装置，在阳极进行溶解时，与现有技术相比能够降低供电体与阳极的接触状态的恶化。供电体能够供电至在镀覆槽内对基板进行镀覆时使用的阳极(5)，该供电体具有：能够配置在阳极(5)的外周的主体部(1)；和配置在主体部(1)且能够在从主体部(1)朝向主体部(1)所包围的区域(80)的方向上对主体部(1)施加第1力(100)的弹簧(82)。

【技术实现步骤摘要】
能够供电至阳极的供电体及镀覆装置本申请是申请号为201710433535.1、申请日为2017年6月9日、专利技术名称为“能够供电至阳极的供电体及镀覆装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及镀覆装置，尤其涉及当在半导体晶片等基板的表面进行镀覆处理时能够供电至阳极的供电带(band)等供电体。
技术介绍
近年来，在半导体电路的布线和凸块形成方法中，逐渐使用进行镀覆处理来在半导体晶片等基板上形成金属膜或有机质膜的方法。例如，在形成有半导体电路和将这些半导体电路连接的微细布线的半导体晶片的表面的规定部位，形成金、银、铜、焊锡、镍、或将这些材料以多层积层而成的布线或凸块(突起状连接电极)。经由该凸块在封装体基板的电极或TAB(TapeAutomatedBonding：卷带式自动接合)电极上连接半导体电路等。作为该布线和凸块的形成方法，具有电镀法、无电解镀覆法、蒸镀法、印刷法等各种方法。随着半导体芯片的I/O数的增加、窄间距化，大多采用能够应对微细化且附膜速度快的电镀法(例如专利文献1)。通过当前被最多使用的电镀而得到的金属膜具有高纯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种供电体，能够供电至在对基板进行镀覆时使用的阳极，其特征在于，具有：/n主体部，其能够配置在所述阳极的外周；和/n加力构件，其配置在所述主体部，能够在从所述主体部朝向所述主体部所包围的区域的方向上对所述主体部施加第1力，/n所述加力构件具有将所述主体部的至少两个部分连结的连结构件，/n所述连结构件在所述区域的外部且横截所述阳极的背面而配置，/n所述连结构件能够作为弹簧发挥作用，并且，能够以使所述至少两个部分相互接近的方式对所述至少两个部分施加所述第1力。/n

【技术特征摘要】
20160610 JP 2016-1161361.一种供电体，能够供电至在对基板进行镀覆时使用的阳极，其特征在于，具有：
主体部，其能够配置在所述阳极的外周；和
加力构件，其配置在所述主体部，能够在从所述主体部朝向所述主体部所包围的区域的方向上对所述主体部施加第1力，
所述加力构件具有将所述主体部的至少两个部分连结的连结构件，
所述连结构件在所述区域的外部且横截所述阳极的背面而配置，
所述连结构件能够作为弹簧发挥作用...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤方淳平，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP