相移反位膜掩模基版的制作方法技术

本发明专利技术提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，制作方法包括步骤：提供透明基板；在透明基板上沉积相移反位膜；在相移反位膜上沉积遮光膜；在遮光膜上沉积防反射膜；相移反位膜、遮光膜及防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现相移反位膜、遮光膜及防反射膜的沉积。本发明专利技术可以精细地控制钼硅及铬沉积量及控制靶材溅射出来的颗粒数，从而大大提高相移反位膜、遮光膜及防反射膜的厚度均匀度，同时能调节相移反位膜的透过率及产生180度相移变化。

【技术实现步骤摘要】
相移反位膜掩模基版的制作方法
本专利技术属于半导体制造领域，特别是涉及一种相移反位膜掩模基版的制作方法。
技术介绍
半导体和平板显示器制造过程中为形成精细的线路图案，通常使用光掩模版和光刻技术形成母模。该光掩模版是在掩模基版上形成精细的线路图案。该掩模基版是在石英基板上形成多层铬薄膜以及在多层铬膜上涂有光刻胶后形成掩模基版的制造。近几年来随着半导体集成电路的高度集成化和设计的细微化，形成图型的光掩膜版路线也趋向高精度、精细化的方向。为了在半导体集成电路中形成更精细的图案，需要高的图案分辨率(resolution)，提高分辨率可以采用缩短光源波长和放大镜头口径的方法。提高分辨率时光源的波长会以g-line(436nm)、i-line(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)逐渐缩短，相对镜头的口径会以0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9的逐渐变大。光源的波长缩短和镜头口径放大的方式会提高图案分辨率，但是镜头的焦点难聚焦的问题会使分辨率具有局限性。所以相移反位膜掩模(PhaseShi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：/n提供透明基板；/n在所述透明基板上沉积相移反位膜；/n在所述相移反位膜上沉积遮光膜；/n在所述遮光膜上沉积防反射膜；/n所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜的沉积。/n

【技术特征摘要】
1.一种相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：
提供透明基板；
在所述透明基板上沉积相移反位膜；
在所述相移反位膜上沉积遮光膜；
在所述遮光膜上沉积防反射膜；
所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜的沉积。


2.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括在防反射膜上涂覆光刻胶的步骤。


3.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述相移反位膜包括氮硅化钼膜，其透过率介于0～50％，相移角为175度～185度。


4.根据权利要求3所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述氮硅化钼膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对钼硅靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述透明基板上形成透过率均匀的相移反位膜。


5.根据权利要求4所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述氮硅化钼膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。


6.根据权利要求5所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述氮硅化钼膜的方法包括磁控溅射工艺，其真空度为1～5mTorr，电力功率为0.5～2KW，所形成的氮硅化钼膜的透过率为0～30％。


7.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：车翰宣，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31