新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统技术方案

本实用新型专利技术公开了质谱仪技术领域的新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，包括屏蔽罩、打拿极固定座、打拿极、电子倍增器、倍增器固定座和信号接收极，所述打拿极固定座固定于所述屏蔽罩的内腔底部，所述打拿极固定于所述打拿极固定座的顶部，所述倍增器固定座固定于所述屏蔽罩的内腔顶部，所述电子倍增器固定于所述倍增器固定座的底部，所述打拿极位于所述电子倍增器的正上方，所述屏蔽罩的外部设有栅网层，采用栅网屏蔽层来代替传统2‑10mm狭缝，保持屏蔽效果的同时，大大增强了离子通过率；采用打拿极和倍增器结构，利用打拿极，进一步增强离子信号。

【技术实现步骤摘要】
新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统
本技术涉及质谱仪
，具体为新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统。
技术介绍
质谱仪作为现代分析仪器的代表，在医学、化学、环境生物分析等领域有着广泛的应用，质谱仪主要是利用离子源将待检测的中性样品电离，进而利用电磁场分析样品离子质荷比的工具。质谱仪作为现代分析仪器的代表，在医学、化学、环境生物分析等领域有着广泛的应用，质谱仪由真空系统、离子源系统、质量分析器系统组成，检测器系统作为将质谱电离离子检测放大单元，对质谱仪性能影响重大。现有离子阱检测器，要么不加屏蔽罩，要么采用带2-10mm狭缝屏蔽罩。不加屏蔽罩，离子阱射频会对检测器产生干扰，增加本底噪音；采用带2-10mm狭缝屏蔽罩结构，由于狭缝的阻挡，会影响离子进入检测器，进而影响检测灵敏度。基于此，本技术设计了新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，在不影响离子进入检测器的情况下，增加一栅网屏蔽系统，同时增加一打拿极结构，进一步增强检测灵敏度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，以解决上述提到的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，包括屏蔽罩、打拿极固定座、打拿极、电子倍增器、倍增器固定座和信号接收极，所述打拿极固定座固定于所述屏蔽罩的内腔底部，所述打拿极固定于所述打拿极固定座的顶部，所述倍增器固定座固定于所述屏蔽罩的内腔顶部，所述电子倍增器固定于所述倍增器固定座的底部，所述打拿极位于所述电子倍增器的正上方，所述屏蔽罩的外部设有栅网层。优选的，所述屏蔽罩采用金属材质。优选的，所述栅网层作为检测器离子入口，采用金属栅网或者带圆孔的金属层。优选的，所述打拿极固定座采用PEEK绝缘材质。优选的，所述打拿极为一圆环电极，中间设有电子激发面。优选的，所述电子倍增器的中间设有电子打击面，所述电子打击面与电子激发面相对设置。优选的，所述倍增器固定座采用PEEK绝缘材质。优选的，所述信号接收极外接有采集电学信号并上传的采集卡。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术采用栅网屏蔽层来代替传统2-10mm狭缝，保持屏蔽效果的同时，大大增强了离子通过率；采用打拿极和倍增器结构，利用打拿极，进一步增强离子信号。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术结构示意图；图2为本技术屏蔽罩结构示意图；图3为本技术打拿极固定座结构示意图；图4为本技术打拿极结构示意图；图5为本技术电子倍增器结构示意图；图6为本技术倍增器固定座结构示意图；图7为本技术信号接收极结构示意图。附图中，各标号所代表的部件列表如下：1、屏蔽罩；2、打拿极固定座；3、打拿极；4、电子倍增器；5、倍增器固定座；6、信号接收极；7、栅网层；8、电子激发面；9、电子打击面。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-7，本技术提供一种技术方案：新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，包括屏蔽罩1、打拿极固定座2、打拿极3、电子倍增器4、倍增器固定座5和信号接收极6，打拿极固定座2固定于屏蔽罩1的内腔底部，打拿极3固定于打拿极固定座2的顶部，倍增器固定座5固定于屏蔽罩1的内腔顶部，电子倍增器4固定于倍增器固定座5的底部，打拿极3位于电子倍增器4的正上方，屏蔽罩1的外部设有栅网层7。其中，屏蔽罩1采用金属材质，也可为不锈钢、铝合金等材料，用于检测系统的屏蔽与固定。其中，栅网层7采用金属栅网或者带圆孔的金属层，用于离子引入和检测器系统屏蔽，作为检测器离子入口，在保证屏蔽效果的同时，增大离子进入量。其中，打拿极固定座2采用PEEK绝缘材质，用于打拿极3的安装与固定。其中，打拿极3为一圆环电极，中间设有电子激发面8，打拿极3上施加一定的高压(当检测正离子时，施加负高压；当检测负离子时，施加正高压)，离子束通过栅网层后，在高压电场作用下，打击在电子激发面8上，激发大量二次电子，从而增强仪器信号强度。其中，电子倍增器4的中间设有电子打击面9，电子打击面9与电子激发面8相对设置，离子束打击在电子激发面8上后，会激发出大量二次电子，电子束在电场作用下，运动到电子打击面9上，进一步激发电子，从而完成对电子束的放大。其中，倍增器固定座5采用PEEK绝缘材质，用来安装固定电子倍增器4。其中，信号接收极6用来接收电子倍增器4放大后产生的二次电子束，其后接采集卡等将电学信号采集并上传。具体工作原理如下：待检测离子束通过屏蔽罩1上的栅网层7后，打拿极3上施加一定的高压(当检测正离子时，施加负高压；当检测负离子时，施加正高压)，离子束在高压作用下，打击在打拿极3上，产生大量的二级电子。二级电子随后在电场作用下，打击在电子倍增器4上，在电子倍增器4的作用下，进一步放大电子信号，最终被信号接收极6接收，进入采集卡采集。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。以上公开的本技术优选实施例只是用于帮助阐述本技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本技术。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，其特征在于：包括屏蔽罩(1)、打拿极固定座(2)、打拿极(3)、电子倍增器(4)、倍增器固定座(5)和信号接收极(6)，所述打拿极固定座(2)固定于所述屏蔽罩(1)的内腔底部，所述打拿极(3)固定于所述打拿极固定座(2)的顶部，所述倍增器固定座(5)固定于所述屏蔽罩(1)的内腔顶部，所述电子倍增器(4)固定于所述倍增器固定座(5)的底部，所述打拿极(3)位于所述电子倍增器(4)的正上方，所述屏蔽罩(1)的外部设有栅网层(7)。/n

【技术特征摘要】
1.新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，其特征在于：包括屏蔽罩(1)、打拿极固定座(2)、打拿极(3)、电子倍增器(4)、倍增器固定座(5)和信号接收极(6)，所述打拿极固定座(2)固定于所述屏蔽罩(1)的内腔底部，所述打拿极(3)固定于所述打拿极固定座(2)的顶部，所述倍增器固定座(5)固定于所述屏蔽罩(1)的内腔顶部，所述电子倍增器(4)固定于所述倍增器固定座(5)的底部，所述打拿极(3)位于所述电子倍增器(4)的正上方，所述屏蔽罩(1)的外部设有栅网层(7)。


2.根据权利要求1所述的新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，其特征在于：所述屏蔽罩(1)采用金属材质。


3.根据权利要求1所述的新型离子阱栅网屏蔽离子检测器系统，其特征在于：所述栅网层(7)作为检测器离子入口，采用金属栅网或者带圆孔的金属层。

【专利技术属性】
技术研发人员：赵高升，施月娥，
申请(专利权)人：杭州蔚领知谱检测技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33