【技术实现步骤摘要】
直接键合有吸气剂材料的薄密封层的制造检测装置的方法
本专利技术的领域是用于检测电磁辐射的装置，特别是检测红外或太赫兹辐射的装置，其包括至少一个封装在密封腔中的热检测器，在该密封腔中还放置有吸气剂材料。本专利技术尤其适用于红外成像和热成像领域。
技术介绍
用于检测电磁辐射的装置，例如检测红外或太赫兹辐射的装置可以包括热检测器的阵列，每个热检测器包括用于吸收待检测的电磁辐射的吸收(absorbent)部分。为了给热检测器提供绝热，吸收部分通常采用通过锚固柱悬置在衬底上方的膜的形式，并通过支撑绝热臂与衬底绝热。通过将悬置的膜电连接到通常定位在衬底中的读取电路，这些锚固柱和绝热臂也具有电气功能。读取电路通常采用CMOS电路的形式。它可以用于向热检测器施加控制信号，以及用于读取检测器响应于对待检测的电磁辐射的吸收而产生的检测信号。读取电路包括由金属线形成的不同级别的电互连，金属线通过被称为金属间层的介电层彼此分开。读取电路的至少一个电连接块定位在衬底上，以此方式使得其能够从检测装置的外部被接触到。文献EP323...
【技术保护点】
1.一种制造用于检测电磁辐射的装置(1)的方法，包括以下步骤：/no形成第一堆叠件(10)，包括：/n·第一衬底(11)，/n·至少一个热检测器(20)，其放置在所述第一衬底(11)上，旨在用于检测电磁辐射，并且覆盖有至少一个由矿物材料制成的矿物牺牲层(15)，所述矿物牺牲层能够通过化学蚀刻来消除，和/n·薄封装层(16)，其在所述热检测器(20)上方延伸并有助于腔(2)的界定，所述热检测器(20)位于所述腔中，所述薄封装层包括放置在所述矿物牺牲层(15)上的上部(16.1)；/no形成至少一个被称为横向进出口(17.1)的进出口，所述进出口延伸穿过所述薄封装层(16)，并...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20191127 FR 19133251.一种制造用于检测电磁辐射的装置(1)的方法，包括以下步骤：
o形成第一堆叠件(10)，包括：
·第一衬底(11)，
·至少一个热检测器(20)，其放置在所述第一衬底(11)上，旨在用于检测电磁辐射，并且覆盖有至少一个由矿物材料制成的矿物牺牲层(15)，所述矿物牺牲层能够通过化学蚀刻来消除，和
·薄封装层(16)，其在所述热检测器(20)上方延伸并有助于腔(2)的界定，所述热检测器(20)位于所述腔中，所述薄封装层包括放置在所述矿物牺牲层(15)上的上部(16.1)；
o形成至少一个被称为横向进出口(17.1)的进出口，所述进出口延伸穿过所述薄封装层(16)，并且在与所述第一衬底(11)的平面平行的平面中与所述热检测器(20)相距一定距离；
o通过化学蚀刻消除所述牺牲薄层(15)，所述牺牲薄层通过所述横向进出口(17.1)排出；
其特征在于，所述方法包括以下步骤：
o形成第二堆叠件(30)，包括：
·支撑衬底(31、32)，
·称为密封层(33)的薄层，其对电磁辐射是透明的，以及
·至少一个吸气剂部分(34)，其定位在所述薄密封层(33)上并且部分覆盖所述薄密封层；
o在消除步骤之后，通过使所述薄密封层与所述薄封装层的上部接触并使其与之直接键合来组装所述第一堆叠件和第二堆叠件(10、30)，从而使所述吸气剂部分(34)位于横向进出口(17.1)中，然后所述横向进出口由所述薄密封层(33)堵塞。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过直接键合的组装的步骤在环境温度下在小于或等于10-5Pa的真空压力下进行。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一堆叠件(10)包括位于所述腔(2)中的热检测器(20)的阵列，包括形成多个第二释放进出口(17.2)的步骤，所述薄密封层(33)还堵塞所述第二释放进出口(17.2)。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述薄密封层(16)是硅基的，并且所述薄密封层(33)能够是硅基的或锗基的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述薄封装层(16)能够具有由硅制成的接触表面，并且所述薄密封层(33)能够具有由硅或锗制成的接触表面，并且其中，通过直接键合的组装的步骤包括通过局部离子束蚀刻和真空键合来激活所述接触表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述薄封装层(16)的上部(16.1)通过由硅制成的子层(18)和第一金属子层(19)形成，所述薄密封层(33)由硅基或锗基的子层(35)和第二金属子层(36)形成，所述两个金属子层(19、36)对待检测的电磁辐射是透明的，并且其中，通过直接键合的组装的步骤包括使所述两个金属子层(19、36)在真空下彼此接触。
技术研发人员：塞巴斯蒂安·贝克尔，弗兰克·富尔内尔，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。