一种低噪声电压驱动缓冲器制造技术

本发明专利技术公开了一种低噪声电压驱动缓冲器，包括：为第一级放大模块提供偏置电流的偏置电流提供模块；将输入信号进行放大并输出一次放大后的信号的第一级放大模块；将一次放大后的信号进行放大并输出二次放大后的信号的第二级放大模块；第一级放大模块包括：输入对部分和负载部分，输入对部分分别与负载部分和第二级放大模块连接，其中，输入对部分采用Native器件；负载部分分别与输入对部分和偏置电流提供模块连接，偏置电流提供模块为负载部分提供偏置电流，使得输入对部分工作在饱和区或亚阈值区。本发明专利技术有效地减小了输入对和负载部分的噪声，同时避免了输入对部分进入线性区，提高了数据转换器的噪声性能。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声电压驱动缓冲器
本专利技术属于电子设备领域，更具体地，涉及一种低噪声电压驱动缓冲器。
技术介绍
低噪声电压参考缓冲器是电路设计中经常采用的，主要用于驱动模数转换器(ADC)，数模转换器(DAC)等。它的噪声直接决定了转换器的噪声水平。在高精度低功耗应用中，如脑电波心电图检测等，对参考源的功耗噪声都有比较高的要求。参考源缓冲器有不同的实现方法，如图1所示，是一种实现方式，其本质上是一个电压放大器。输入VIN，输出VOUT＝VIN(1+R2/R1)。图1中的实现方式比较简单，成本较低，缺点主要是噪声源相对较高。放大器的噪声主要来自器件M0，M1，M4，M5。为了降低噪声，输入对M0，M1应该用比较大的面积和W/L。大的面积可以减小闪烁噪声(1/f)，而大的W/L可以降低热噪声(thermal/whitenoise)。负载器件M4，M5需要大的面积和小的W/L，减小噪声。通常Native器件的闪烁噪声明显小于常规的器件，可以用作输入对M0，M1。但是Native器件的VTH很小，甚至小于0。输入对的源极(source)电压就会比较高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低噪声电压驱动缓冲器，其特征在于，包括偏置电流提供模块、第一级放大模块和第二级放大模块；/n所述偏置电流提供模块与所述第一级放大模块连接，为所述第一级放大模块提供偏置电流；/n所述第一级放大模块分别与所述偏置电流提供模块和第二级放大模块连接，将输入信号进行放大并输出一次放大后的信号；/n所述第二级放大模块与所述第一级放大模块连接，所述第二级放大模块将所述一次放大后的信号进行放大并输出二次放大后的信号；/n所述第一级放大模块包括：输入对部分和负载部分，所述输入对部分分别与所述负载部分和第二级放大模块连接，其中，输入对部分采用Native器件；/n所述负载部分分别与输入对部分和偏置电流提供...

【技术特征摘要】
1.一种低噪声电压驱动缓冲器，其特征在于，包括偏置电流提供模块、第一级放大模块和第二级放大模块；
所述偏置电流提供模块与所述第一级放大模块连接，为所述第一级放大模块提供偏置电流；
所述第一级放大模块分别与所述偏置电流提供模块和第二级放大模块连接，将输入信号进行放大并输出一次放大后的信号；
所述第二级放大模块与所述第一级放大模块连接，所述第二级放大模块将所述一次放大后的信号进行放大并输出二次放大后的信号；
所述第一级放大模块包括：输入对部分和负载部分，所述输入对部分分别与所述负载部分和第二级放大模块连接，其中，输入对部分采用Native器件；
所述负载部分分别与输入对部分和偏置电流提供模块连接，所述偏置电流提供模块为所述负载部分提供偏置电流，使得输入对部分工作在饱和区或亚阈值区。


2.根据权利要求1所述的低噪声电压驱动缓冲器，其特征在于，所述缓冲器还包括电源，所述输入对部分包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述负载部分包括第一PMOS管和第二PMOS管；
所述第一NMOS管的栅极与所述输入信号连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；
所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的、栅极漏极连接；
所述第一PMOS管的源极与所述电源的正极连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极、漏极和所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接；
所述第二PMOS管的源极与所述电源的正极连接，所述第二PMOS管的栅极分别与其漏极、所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极连接。


3.根据权利要求2所述的低噪声电压驱动缓冲器，其特征在于，所述第一级放大模块还包括第三NMOS管和第四NMOS管；
所述第一NMOS管的栅极与所述输入信号连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接；
所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接；
所述第三NMOS管的栅极分别与偏置电压和所述第四NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；
所述第四NMOS管的栅极分别与偏置电压和所述第三NMOS管的栅极连接，所述第四NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的漏极分别与所述第二PMOS管的漏极、栅极连接；
所述第一PMOS管的源极与所述电源的正极连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极、漏极和所述第四NMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接；
所述第二PMOS管的源极与所述电源的正极连接，所述第二PMOS管的栅极分别与其漏极、所述第一PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的漏极连接。


4.根据权利要求3所述的低噪声电压驱动缓冲器，其特征在于，所述偏置电流提供模块包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第七NMOS管；
所述第四PMOS管的源极与所述电源的正极...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢立柱，
申请(专利权)人：苏州领慧立芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32