一种表面裂纹走向的双激励检测方法技术

本发明专利技术涉及一种表面裂纹走向的双激励检测方法，利用双激励传感器在待测件表面形成随时间旋转的电涡流场，沿着固定的检测路径扫查经过待测件缺陷位置，提取待测件表面XY两轴磁场畸变信息，利用表面磁场畸变幅值大小判断裂纹的走向。本发明专利技术所述检测方法解决了单一检测磁场传感器二维栅格扫查与阵列探头扫查相比检测时间倍增的问题，实现了一次性扫查完成裂纹检测及走向判断，大大提高了检测效率。

【技术实现步骤摘要】
一种表面裂纹走向的双激励检测方法
本专利技术涉及无损检测
，尤其涉及一种表面裂纹走向判定的双激励检测方法，用于非铁磁性导电材料表面任意方向裂纹的检测和方向的识别。
技术介绍
交流电磁场检测技术(Alternatingcurrentfieldmeasurement,ACFM)具有缺陷定量不校核、对检测环境要求不高的优点。现有技术采用旋转交流电磁场的检测方法，通过控制正交双激励的幅值和相位，在待测件表面形成任意方向的感应电流，确保任意方向裂纹的检测灵敏度。Hamia等[1]利用十字交叉的导线做激励源，形成方向可控的伪旋转磁场，在磁场最大畸变幅值状态下的感应电流方向推断裂纹的走向，该方法需要手动调节激励幅值，形成“伪”旋转磁场，利用最大畸变状态下的涡流方向反推裂纹方向，降低了检测效率。YangGuang等[2]在旋转交流电磁场激励下，利用单一巨磁阻(GiantMagnetoResistance,GMR)接收磁场传感器进行二维栅格扫查，根据C扫图像中波峰波谷连线与扫查路径的夹角判断裂纹的走向，由于生成C扫图像必须做二维栅格扫查，故检测时间成倍增加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面裂纹走向的双激励检测方法，利用双激励传感器在待测件表面形成随时间旋转的涡流场，利用表面磁场畸变幅值大小判断裂纹的走向，其特征在于：/n在待测件表面建立二维直角坐标系，双激励传感器的扫查路径始终沿着X轴正向，提取待测件表面XY两轴磁场畸变信息ΔB

【技术特征摘要】
1.一种表面裂纹走向的双激励检测方法，利用双激励传感器在待测件表面形成随时间旋转的涡流场，利用表面磁场畸变幅值大小判断裂纹的走向，其特征在于：
在待测件表面建立二维直角坐标系，双激励传感器的扫查路径始终沿着X轴正向，提取待测件表面XY两轴磁场畸变信息ΔBxm、ΔBym，旋转磁场下裂纹方向为：
β＝arctan(ΔBym/ΔBxm)
其中，β为裂纹与X轴正向夹角，ΔBxm＝Bxmin-B0，ΔBym＝Bymin-B0，B0为不存在裂纹时的磁场信号幅值，Bxmin、Bymin为对应坐标分量的磁场波谷信号最小幅值。


2.如权利要求1所述的一种表面裂纹走向的双激励检测方法，其特征在于，所述提取待测件表面XY两轴磁场畸变信息ΔBxm、ΔBym，为提取所述待测试件表面上方提离为1mm处的磁场幅值变化信息。


3.如权利要求1所述的一种表面裂纹走向的双激励检测方法，其特征在于，所述检测方法适用于不锈钢待测件。


4.如权利要求2所述的一种表面裂纹走向的双激励检测方法，其特征在于，所述方法适用于长度小于等于20mm的裂纹的走向检测。


5.如权利要求1-4任一所述的一种表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡斌，闫梁，
申请(专利权)人：中国特种设备检测研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11