一种旋风分离器用短接结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种旋风分离器用短接结构，属于多晶硅生产技术领域，包括外管和内衬，内衬和外管之间设有合成胶，内衬包括碳化硅环垫和碳化硅直管，外管包括第一法兰、外管直管段和第二法兰，第一法兰上端设有第一垫圈槽和垫环槽，第一法兰下端与外管直管段上端相连，外管直管段下端与第二法兰上端相连，第二法兰下端设置有第二垫圈槽，碳化硅直管插入第一法兰、外管直管段和第二法兰内，碳化硅环垫放置在环垫槽内。本实用新型专利技术有效减少管道磨损，节省成本。

【技术实现步骤摘要】
一种旋风分离器用短接结构
本技术涉及多晶硅生产
，具体涉及一种旋风分离器用短接结构。
技术介绍
多晶硅被广泛应用于半导体和光伏产业。近年来随着光伏产业的迅猛发展，全世界对多晶硅的需求量快速增长，2012年多晶硅产量达17万吨，其中光伏产业消耗占比高达85％。多晶硅生产技术是光伏产业链中最重要的一环，而环保和能耗问题一直是多晶硅产业的瓶颈。目前国际上生产多晶硅的主要工艺是改良西门子法，其产能约占世界总产能的80％。改良西门子法又称闭环式三氯氢硅氢还原法，是通过工业硅粉与气态氯化氢的合成反应，生成由三氯氢硅、四氯化硅和二氯氢硅及其他杂质组成的混合物，经精馏提纯后得到高纯度的精制三氯氢硅，精制三氯氢硅在还原炉内进行化学气相沉积(CVD)反应生产高纯多晶硅。改良西门子法具有技术成熟、操作相对安全和产品纯度高等优点，但也存在能耗高、效率低下和生成成本高等缺点。相较于改良西门子法的钟罩式反应器，流化床反应器(FBR)具有传质传热速率快、沉积表面积大、结构简单、能耗低和适于大规模连续化生产等优点，得到的粒状多晶硅也能直接用于直拉单晶，减少了产品后处理过程，符合当今时代强调节能减排的理念，已逐渐成为化学气相沉积制备多晶硅的主流反应器。流化床反应器中旋风分离器下端的短接在硅粉的冲刷下容易发生破损。
技术实现思路
本技术旨在解决现有技术中存在的问题，提供一种旋风分离器用短接结构，外管与内衬之间设置有耐高温且具有弹性的合成胶填充，碳化硅环垫放置在第一法兰上的环垫槽内，安装时第一法兰与旋风分离器下端，硅粉直接从碳化硅环垫处进入碳化硅直管后，硅粉避免了与外管接触，有效减少了外管磨损。本技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种旋风分离器用短接结构，其特征在于：包括外管和内衬，所述内衬和外管之间设置有合成胶，所述内衬包括碳化硅环垫和碳化硅直管，所述外管包括第一法兰、外管直管段和第二法兰，所述第一法兰上端设置有第一垫圈槽和垫环槽，所述第一法兰下端与外管直管段上端相连，所述外管直管段下端与第二法兰上端相连，所述第二法兰下端设置有第二垫圈槽，所述碳化硅直管插入第一法兰、外管直管段和第二法兰内，所述碳化硅环垫放置在环垫槽内。优选的，所述碳化硅环垫和碳化硅直管一体成型。优选的，所述碳化硅环垫直径D1为168mm，所述碳化硅环垫厚度D3为10mm；所述碳化硅直管长度L1为325mm，所述碳化硅直管内径D2为97mm，所述碳化硅直管厚度D4为8mm。优选的，所述第一法兰、外管直管段和第二法兰从上到下依次焊接而成。优选的，所述第一法兰长度L2为125mm，所述外管直管段长度L3为100mm，所述第二法兰长度L4为110mm。优选的，所述垫环槽直径D5为170mm，所述垫环槽长度L5为10.5mm。优选的，所述第一法兰为DN150异型法兰，所述第二法兰为DN100RJ标准法兰。优选的，所述合成胶采用耐高温且具有弹性的合成胶。优选的，所述第一法兰、外管直管段和第二法兰采用不锈钢316材质。本技术方案的有益效果如下：外管与内衬之间设置有耐高温且具有弹性的合成胶填充，碳化硅环垫放置在第一法兰上的环垫槽内，安装时第一法兰与旋风分离器下端，硅粉直接从碳化硅环垫处进入碳化硅直管后，硅粉避免了与外管接触，有效减少了外管磨损。碳化硅环垫直接放置在环垫槽内，防止内衬与外管脱离。本技术有效减少管道磨损，节省成本。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术内衬的结构示意图；图3为本技术外管的结构示意图；其中：1、内衬；2、外管；3、合成胶；4、碳化硅环垫；5、碳化硅直管；6、第一法兰；7、外管直管段；8、第二法兰；9、第一垫圈槽；10、垫环槽；11、第二垫圈槽。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例1作为本技术一种最基本的实施方案，本实施例公开了一种旋风分离器用短接结构，如图1—图3所示，包括外管2和内衬1，所述内衬1和外管2之间设置有合成胶3，所述内衬1包括碳化硅环垫4和碳化硅直管5，所述外管2包括第一法兰6、外管直管段7和第二法兰8，所述第一法兰6上端设置有第一垫圈槽9和垫环槽10，所述第一法兰6下端与外管直管段7上端相连，所述外管直管段7下端与第二法兰8上端相连，所述第二法兰8下端设置有第二垫圈槽11，所述碳化硅直管5插入第一法兰6、外管直管段7和第二法兰8内，所述碳化硅环垫4放置在环垫槽内。实施例2作为本技术一种优选的实施方案，本实施例公开了一种旋风分离器用短接结构，如图1—图3所示，包括外管2和内衬1，所述内衬1和外管2之间设置有合成胶3，所述内衬1包括碳化硅环垫4和碳化硅直管5，所述外管2包括第一法兰6、外管直管段7和第二法兰8，所述第一法兰6上端设置有第一垫圈槽9和垫环槽10，所述第一法兰6下端与外管直管段7上端相连，所述外管直管段7下端与第二法兰8上端相连，所述第二法兰8下端设置有第二垫圈槽11，所述碳化硅直管5插入第一法兰6、外管直管段7和第二法兰8内，所述碳化硅环垫4放置在环垫槽内。优选的，所述碳化硅环垫4和碳化硅直管5一体成型。优选的，所述碳化硅环垫4直径D1为168mm，所述碳化硅环垫4厚度D3为10mm；所述碳化硅直管5长度L1为325mm，所述碳化硅直管5内径D2为97mm，所述碳化硅直管5厚度D4为8mm。实施例3作为本技术一种优选的实施方案，本实施例公开了一种旋风分离器用短接结构，如图1—图3所示，包括外管2和内衬1，所述内衬1和外管2之间设置有合成胶3，所述内衬1包括碳化硅环垫4和碳化硅直管5，所述外管2包括第一法兰6、外管直管段7和第二法兰8，所述第一法兰6上端设置有第一垫圈槽9和垫环槽10，所述第一法兰6下端与外管直管段7上端相连，所述外管直管段7下端与第二法兰8上端相连，所述第二法兰8下端设置有第二垫圈槽11，所述碳化硅直管5插入第一法兰6、外管直管段7和第二法兰8内，所述碳化硅环垫4放置在环垫槽内。优选的，所述碳化硅环垫4和碳化硅直管5一体成型。优选的，所述碳化硅环垫4直径D1为168mm，所述碳化硅环垫4厚度D3为10mm；所述碳化硅直管5长度L1为325mm，所述碳化硅直管5内径D2为97mm，所述碳化硅直管5厚度D4为8mm。优选的，所述第一法兰6、外管直管段7和第二法兰8从上到下依次焊接而成。优选的，所述第一法兰6长度L2为125mm，所述外管直管段7长度L3为100mm，所述第二法兰8长度L4为110mm。优选的，所述垫环槽10直径D5为170mm，所述垫环槽10长度L5为10.5mm。优选的，所述第一法兰6为DN150异型法兰，所述第二法兰8为DN100RJ标准法兰。优选的，所述合成胶3采用耐高温且具有弹性的合成胶3。优选的，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种旋风分离器用短接结构，其特征在于：包括外管（2）和内衬（1），所述内衬（1）和外管（2）之间设置有合成胶（3），所述内衬（1）包括碳化硅环垫（4）和碳化硅直管（5），所述外管（2）包括第一法兰（6）、外管直管段（7）和第二法兰（8），所述第一法兰（6）上端设置有第一垫圈槽（9）和垫环槽（10），所述第一法兰（6）下端与外管直管段（7）上端相连，所述外管直管段（7）下端与第二法兰（8）上端相连，所述第二法兰（8）下端设置有第二垫圈槽（11），所述碳化硅直管（5）插入第一法兰（6）、外管直管段（7）和第二法兰（8）内，所述碳化硅环垫（4）放置在环垫槽内。/n

【技术特征摘要】
1.一种旋风分离器用短接结构，其特征在于：包括外管（2）和内衬（1），所述内衬（1）和外管（2）之间设置有合成胶（3），所述内衬（1）包括碳化硅环垫（4）和碳化硅直管（5），所述外管（2）包括第一法兰（6）、外管直管段（7）和第二法兰（8），所述第一法兰（6）上端设置有第一垫圈槽（9）和垫环槽（10），所述第一法兰（6）下端与外管直管段（7）上端相连，所述外管直管段（7）下端与第二法兰（8）上端相连，所述第二法兰（8）下端设置有第二垫圈槽（11），所述碳化硅直管（5）插入第一法兰（6）、外管直管段（7）和第二法兰（8）内，所述碳化硅环垫（4）放置在环垫槽内。


2.根据权利要求1所述的一种旋风分离器用短接结构，其特征在于：所述碳化硅环垫（4）和碳化硅直管（5）一体成型。


3.根据权利要求1所述的一种旋风分离器用短接结构，其特征在于：所述碳化硅环垫（4）直径D1为168mm，所述碳化硅环垫（4）厚度D3为10mm；所述碳化硅直管（5）长度L1为325mm，所述碳化硅直管（5）内径D2为97mm，所述碳化硅直管（5）厚度D4为8mm。

【专利技术属性】
技术研发人员：张永胜，张习松，殷万鹏，郭蔡民，
申请(专利权)人：内蒙古通威高纯晶硅有限公司，
类型：新型
国别省市：内蒙古;15