一种靶材喷砂后防氧化的方法技术

本发明专利技术提供了一种靶材喷砂后防氧化的方法，所述方法包括以下步骤：将靶材的非溅射面进行喷砂处理，得到喷砂靶材；将喷砂靶材进行清洗，然后采用压缩气体进行吹扫干燥，得到具有干燥喷砂面的靶材。本发明专利技术所述方法通过对靶材非溅射面进行喷砂及清洗处理，再利用喷砂面的特性采用压缩气体对喷砂面进行吹扫，利用高压气流加速靶材表面液体的挥发，干燥速率快，无液体残留，可有效防止靶材喷砂面的氧化，提高靶材生产的合格率；所述方法操作简单，处理速度快，成本较低，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种靶材喷砂后防氧化的方法
本专利技术属于靶材制备
，涉及一种靶材喷砂后防氧化的方法。
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，镀膜材料作为半导体电子器件制造的重要材料，其需求量也日益增加。靶材作为一种重要的镀膜材料，在集成电路、平面显示、太阳能、光学器件等领域具有广泛的应用，其主要制备方法为物理气相沉积法(PVD)，主要包括溅射镀膜、真空蒸镀、等离子体镀膜等，其中最常用的为溅射镀膜法。由于在溅射镀膜过程中靶材一般不是单独使用，而是以靶材组件的形式，靶材组件通常由靶材和背板通过焊接构成，为提高焊接强度，需要对靶材和背板的待焊接面进行提前处理，其中经常采用的方式是喷砂处理，提高其表面粗糙度，然而由于喷砂面的特性，经过清洗处理后的喷砂面上往往会有清洗液残留，且在干燥过程中容易使其发生氧化，影响靶材的表观性能及后续使用，造成靶材产品不良率的提高。CN105331938A公开了一种靶材组件的制作方法，包括：提供靶材，所述靶材为钨硅材料；对所述靶材的待焊接面进行喷砂处理；在喷砂处理后，对所述靶材进行冲洗处理；在对所述靶材进行冲洗处理之后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种靶材喷砂后防氧化的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n(1)将靶材的非溅射面进行喷砂处理，得到喷砂靶材；/n(2)将步骤(1)得到的喷砂靶材进行清洗，然后采用压缩气体进行吹扫干燥，得到具有干燥喷砂面的靶材。/n

【技术特征摘要】
1.一种靶材喷砂后防氧化的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将靶材的非溅射面进行喷砂处理，得到喷砂靶材；
(2)将步骤(1)得到的喷砂靶材进行清洗，然后采用压缩气体进行吹扫干燥，得到具有干燥喷砂面的靶材。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述靶材包括金属靶材、合金靶材或陶瓷靶材中任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述靶材的非溅射面包括待焊接面。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述喷砂处理前，采用保护板对靶材的溅射面进行遮蔽保护；
优选地，所述保护板贴合到靶材的溅射面上，其尺寸与靶材的溅射面的尺寸相同；
优选地，所述保护板的材质包括金属或塑料。


4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述喷砂处理所用的砂料包括刚玉类砂料；
优选地，所述砂料的粒径范围为40～60目；
优选地，步骤(1)所述喷砂处理的压力为5～8MPa。


5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述清洗为依次采用有机溶剂和水进行清洗；
优选地，所述有机溶剂包括异丙醇、乙醇或煤油中任意一种或至少两种的组合。


6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述清洗包括超声清洗和/或喷射清洗；
优选地，步骤(2)所述清洗的温度为18～26℃；
优选地，步骤(2)所述清洗的时间为25～45min。

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，窦兴贤，王学泽，王青松，胡全，
申请(专利权)人：合肥江丰电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34