显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层。所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度。所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
本申请涉及显示
，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
量子点是一种重要的荧光纳米材料。在显示领域，将量子点作为显示设备的发光层材料，越来越受到关注。目前量子点显示设备存在电子和空穴注入不平衡的问题，影响量子点显示设备的器件效率和使用寿命。
技术实现思路
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板。所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层；所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。在一个实施例中，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm；和/或，所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm。在一个实施例中，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm；和/或，所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm。在一个实施例中，所述第一量子点发光层中的量子点及所述第二量子点发光层中的量子点分别包括核壳结构，所述核壳结构的材料包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnSZnS、InP/ZnS/ZnO、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS及ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一种。在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm；所述第二量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm。在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点的材料与所述第二量子点发光层中量子点的材料相同或不同；和/或，所述第一量子点发光层中量子点的尺寸与所述第二量子点发光层中量子点的尺寸相同或不同。在一个实施例中，所述发光器件层还包括电子传输层和空穴传输层；所述发光器件层为多电子体系，所述电子传输层位于所述第二量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述电子传输层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第二量子点发光层与所述阳极层之间。根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成发光器件层；所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。在一个实施例中，在所述衬底上形成发光器件层，包括：形成所述阳极层、形成所述阴极层、形成所述第一量子点发光层以及形成所述第二量子点发光层；形成所述第一量子点发光层，包括：采用自组装量子点溶液来形成第一量子点发光层。根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的显示基板。根据本申请实施例的第四方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。本申请实施例所达到的主要技术效果是：本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置，发光器件层中第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于第二量子点发光层中量子点排列的紧密度，则第一量子点发光层对空穴和电子的传输性能优于第二量子点发光层；发光器件层为多电子体系时，通过设置所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间，可限制电子注入量，从而有助于调节发光器件层中电子和空穴注入速率实现平衡；发光器件层为多空穴体系时，通过设置所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间，可限制空穴注入量，从而有助于发光器件层达到电子和空穴注入的平衡。因而，本申请实施例提供的显示基板，可通过设置第一量子点发光层和第二量子点发光层的位置，来实现发光器件层中电子和空穴注入的平衡，从而有助于提升显示基板的器件效率及使用寿命。并且，第一量子点发光层和第二量子点发光层的厚度可调节，更有助于达到空穴与电子注入的平衡。附图说明图1是本申请一示例性实施例提供的显示基板的结构示意图；图2是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的结构示意图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。本申请实施例提供了一种显示基板。参见图1与图2，所述显示基板100包括衬底10及形成于所述衬底10上的发光器件层20。所述发光器件层20包括阳极层21、阴极层22、以及位于所述阳极层21与所述阴极层22之间的第一量子点发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层；/n所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；/n所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层；
所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；
所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。


2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。


3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm；和/或，
所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm。


4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm；和/或，
所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm。


5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层中的量子点及所述第二量子点发光层中的量子点分别包括核壳结构，所述核壳结构的材料包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnSZnS、InP/ZnS/ZnO、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS及ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一种。


6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm；所述第二量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm。


7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯靖雯，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11