一种含氰废水处理系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种含氰废水处理系统，涉及废水处理领域，包括通过管道顺次连接的含氰废水调节池、第一pH调整池、一级破氰池、第二pH调整池、二级破氰池、第三pH调整池、混凝池、絮凝池、沉淀池、第一中间池、第一预留反应池、第四pH调整池、快混池、第二预留反应池、缓冲沉淀池、第二中间池、MCR膜池和含氰监控池，所述第一pH调整池设置第一氢氧化钠进料管和第一氯气进气管，所述第一氯气进气管的末端设置第一气体分布器，所述第二pH调整池设置第二氢氧化钠进料管和第二氯气进气管。本实用新型专利技术能够解决现有的含氰废水处理系统无法对含氰废水中的重金属离子进行有效处理和对氰根离子的处理效果较差的问题。处理效果较差的问题。处理效果较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种含氰废水处理系统


[0001]本技术涉及废水处理领域，尤其涉及一种含氰废水处理系统。

技术介绍

[0002]在电镀过程中产生的含氰废水对自然环境会产生极大的危害，其中的含氰废水是具有剧毒的一种工业废水，如排放到自然环境中，会给自然生态产生严重的危害。
[0003]含氰废水中的氰根离子具有强烈的毒性，现有的含氰废水处理系统一般针对氰根离子进行处理，而实际含氰废水中还存在大量的铜离子等重金属离子，现有的含氰废水处理系统并未针对这些重金属离子进行有效处理。有的废水处理企业在破氰后设置了一级沉淀装置对重金属离子进行处理，然而一级沉淀装置处理后的含氰废水中的重金属离子浓度仍然超标。
[0004]现有的含氰废水处理系统是直接向废水中投加次氯酸钠与氰根离子反应来去除氰根离子，但由于次氯酸钠稳定性差，尤其在受到日光照射时更容易分解失效，使得对氰根离子的处理效果变差，出水无法满足《电镀污染物排放标准》对于总氰含量小于0.2mg/L的要求。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题是提供一种含氰废水处理系统，解决现有的含氰废水处理系统无法对含氰废水中的重金属离子进行有效处理和对氰根离子的处理效果较差的问题。
[0006]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种含氰废水处理系统，包括通过管道顺次连接的含氰废水调节池、第一pH调整池、一级破氰池、第二pH调整池、二级破氰池、第三pH调整池、混凝池、絮凝池、沉淀池、第一中间池、第一预留反应池、第四PpH调整池、快混池、第二预留反应池、缓冲沉淀池、第二中间池、MCR膜池和含氰监控池，所述第一pH调整池设置第一氢氧化钠进料管和第一氯气进气管，所述第一氯气进气管的末端设置第一气体分布器，所述第二pH调整池设置第二氢氧化钠进料管和第二氯气进气管，所述第二氯气进气管的末端设置第二气体分布器，所述含氰废水调节池和第一pH调整池的连接管道上设置第一泵，所述MCR膜池和含氰监控池的连接管道上设置第二泵，所述含氰监控池的排液端通过第三泵连接三通阀的入口端，所述三通阀的两个出口端分别连接回用原水池和含氰废水应急池，所述含氰废水应急池的排液端与含氰废水调节池的进液端连通，所述沉淀池和缓冲沉淀池的排泥端与含氰污泥池的进泥端连通，所述含氰污泥池的排泥端与含氰压泥机的进泥端连通，所述含氰压泥机的排液端与含氰废水调节池的进液端连通，所述含氰监控池内设置用于监测氰离子含量的监测装置。
[0007]进一步地，所述含氰废水处理系统还包括PLC控制器，所述监测装置与PLC控制器电性连接，所述PLC控制器通过继电器与三通阀电性连接。
[0008]进一步地，所述含氰废水调节池与外部含氰废水收集管网连通。
[0009]进一步地，所述第一泵为提升泵。
[0010]进一步地，所述第二泵为抽吸泵。
[0011]进一步地，所述第三泵为应急回流泵。
[0012]本技术具有如下有益效果：
[0013]本技术的含氰废水处理系统通过对含氰废水经过二级破氰、二级沉淀和一次膜化学反应器MCR的过滤，能够将含氰废水中的总氰含量降低到0.2mg/L以下，同时也将含氰废水中的各种重金属离子浓度降低到符合《电镀污染物排放标准》的标准要求。
[0014]本技术的含氰废水处理系统在pH调整池内设置了氢氧化钠进料管和氯气进气管且在氯气进气管末端设置了气体分布器，处理废水时，操作员工通过氢氧化钠进料管和氯气进气管向pH调整池内投入氢氧化钠和氯气，氯气被气体分布器分布后与氢氧化钠充分发生反应生成次氯酸钠，次氯酸钠在与氰根离子反应前不会分解失效，保证了对氰根离子的处理效果。
[0015]其中，膜化学反应器（MCR）由多根超滤膜毛细管集合而成，膜的孔径范围为0.1
‑
0.001μm之间，针对不同性质的废水可选用不同孔径的滤膜。使用时膜组件被浸没在原水池中；水分子在产水泵抽提下由外向内透过毛细管膜，毛细管膜内的纯化水经纯化水集水管汇聚成纯化水流；污染物被截留在毛细管膜外部的原水池内。毛细管膜的外壁可以通过池内曝气、水流反洗或化学清洗等程序得到清洗，因而具有较强的抗污染能力。
附图说明
[0016]图1为本技术含氰废水处理系统各结构部件连接示意图；
[0017]图2为第一pH调整池结构示意图；
[0018]图3为第二pH调整池结构示意图。
具体实施方式
[0019]实施例1：
[0020]如图1
‑
3所示，一种含氰废水处理系统，包括通过管道顺次连接的含氰废水调节池1、第一pH调整池4、一级破氰池5、第二pH调整池6、二级破氰池7、第三pH调整池8、混凝池9、絮凝池10、沉淀池11、第一中间池12、第一预留反应池13、第四pH调整池14、快混池15、第二预留反应池16、缓冲沉淀池17、第二中间池18、MCR膜池19和含氰监控池20，所述第一pH调整池4设置第一氢氧化钠进料管41和第一氯气进气管42，所述第一氯气进气管42的末端设置第一气体分布器43，所述第二pH调整池6设置第二氢氧化钠进料管61和第二氯气进气管62，所述第二氯气进气管62的末端设置第二气体分布器63，所述含氰废水调节池1和第一pH调整池4的连接管道上设置第一泵3，所述MCR膜池19和含氰监控池20的连接管道上设置第二泵26，所述含氰监控池20的排液端通过第三泵21连接三通阀22的入口端，所述三通阀22的两个出口端分别连接回用原水池23和含氰废水应急池2，所述含氰废水应急池2的排液端与含氰废水调节池1的进液端连通，所述沉淀池11和缓冲沉淀池17的排泥端与含氰污泥池24的进泥端连通，所述含氰污泥池24的排泥端与含氰压泥机25的进泥端连通，所述含氰压泥机25的排液端与含氰废水调节池1的进液端连通，所述含氰监控池20内设置用于监测氰离子含量的监测装置。
[0021]本技术的含氰废水处理系统通过对含氰废水经过二级破氰、二级沉淀和一次膜化学反应器MCR的过滤，能够将含氰废水中的总氰含量降低到0.2mg/L以下，同时也将含氰废水中的各种重金属离子浓度降低到符合《电镀污染物排放标准》的标准要求。
[0022]本技术的含氰废水处理系统在pH调整池内设置了氢氧化钠进料管和氯气进气管且在氯气进气管末端设置了气体分布器，处理废水时，操作员工通过氢氧化钠进料管和氯气进气管向pH调整池内投入氢氧化钠和氯气，氯气被气体分布器分布后与氢氧化钠充分发生反应生成次氯酸钠，次氯酸钠在与氰根离子反应前不会分解失效，保证了对氰根离子的处理效果。
[0023]其中，膜化学反应器MCR由多根超滤膜毛细管集合而成，膜的孔径范围为0.1
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0.001μm之间，针对不同性质的废水可选用不同孔径的滤膜。使用时膜组件被浸没在原水池中；水分子在产水泵抽提下由外向内透过毛细管膜，毛细管膜内的纯化水经纯化水集水管汇聚成纯化水流；污染物被截留在毛细管膜外部的原水池内。毛细管膜的外壁可以通过池内曝气、水流反洗或化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氰废水处理系统，其特征在于，包括通过管道顺次连接的含氰废水调节池（1）、第一pH调整池（4）、一级破氰池（5）、第二pH调整池（6）、二级破氰池（7）、第三pH调整池（8）、混凝池（9）、絮凝池（10）、沉淀池（11）、第一中间池（12）、第一预留反应池（13）、第四pH调整池（14）、快混池（15）、第二预留反应池（16）、缓冲沉淀池（17）、第二中间池（18）、MCR膜池（19）和含氰监控池（20），所述第一pH调整池（4）设置第一氢氧化钠进料管（41）和第一氯气进气管（42），所述第一氯气进气管（42）的末端设置第一气体分布器（43），所述第二pH调整池（6）设置第二氢氧化钠进料管（61）和第二氯气进气管（62），所述第二氯气进气管（62）的末端设置第二气体分布器（63），所述含氰废水调节池（1）和第一pH调整池（4）的连接管道上设置第一泵（3），所述MCR膜池（19）和含氰监控池（20）的连接管道上设置第二泵（26），所述含氰监控池（20）的排液端通过第三泵（21）连接三通阀（22）的入口端，所述三通阀（22）的两个出...

【专利技术属性】
技术研发人员：林森，
申请(专利权)人：池州得奇环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：