具有光酸活性的光刻胶树脂及光刻胶制造技术

本发明专利技术公开了具有光酸活性的光刻胶树脂及光刻胶，光刻胶树脂包括含氟树脂以及酸活性树脂；酸活性树脂至少包含一个极性侧链及一个非极性侧链；含氟树脂至少包括一个极性侧链、一个非极性侧链及一个含氟侧链；酸活性树脂包含的极性侧链与含氟树脂包含的极性侧链相同；酸活性树脂包含的非极性侧链与所述含氟树脂包含的非极性侧链相同，含氟树脂的非极性侧链具有光酸活性，光刻胶中包含上述光刻胶树脂。上述的光刻胶树脂中含氟树脂的酸活性功能基团与酸活性树脂的酸活性功能基团匹配度较高，以保证在曝光区和非曝光区产生足够的显影液溶解性差异，从而提高光刻胶树脂进行光刻曝光的质量。的质量。的质量。

【技术实现步骤摘要】
具有光酸活性的光刻胶树脂及光刻胶


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，尤其涉及一种具有光酸活性的光刻胶树脂及光刻胶。

技术介绍

[0002]半导体芯片性能不断提升，伴随着集成电路的集成度指数型增加，集成电路中的图形不断缩小。为了制作更小尺寸的图形，根据瑞利方程式，在光刻工艺中需要使用更短波长的光源。光刻工艺的光源波长从365纳米(I
‑
线)发展到 248纳米(KrF)、193纳米(ArF)、13纳米(EUV)。为提高光刻胶的灵敏度，KrF、ArF、EUV光刻胶采用了化学放大型光敏树脂。所谓“化学放大”是指一个光解产酸剂PAG分解后产生的酸分子引发一系列化学反应，这些反应能增强光刻胶材料曝光前后的溶解能力的差异。
[0003]在光刻工艺进入40纳米技术节点之后，现有的ArF干法光刻工艺不能提供足够的分辨率，需要使用浸没式光刻技术。在浸没式光刻机中，水替代了原来在光学镜片与光刻胶之间的空气介质。由于水与光刻胶直接接触，水会渗入光刻胶中，使光刻胶中的小分子物质(光敏剂、酸抑制剂、光酸等)析出。析出的物质不但会污染光学镜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有光酸活性的光刻胶树脂，其特征在于，所述光刻胶树脂含有如下按重量百分比计的组分：20
‑
65％含氟树脂以及35％
‑
80％酸活性树脂；所述酸活性树脂至少包含一个极性侧链及一个非极性侧链；所述含氟树脂至少包括一个极性侧链、一个非极性侧链及一个含氟侧链；所述酸活性树脂包含的极性侧链与所述含氟树脂包含的极性侧链相同；所述酸活性树脂包含的非极性侧链与所述含氟树脂包含的非极性侧链相同；所述含氟树脂的非极性侧链具有光酸活性；所述含氟树脂的非极性侧链在酸环境下发生分解并转化成与所述非极性侧链对应的极性侧链。2.根据权利要求1所述的具有光酸活性的光刻胶树脂，其特征在于，所述酸活性树脂包含的极性侧链与非极性侧链的摩尔比值与所述含氟树脂包含的极性侧链与非极性侧链的摩尔比值相等。3.根据权利要求2所述的具有光酸活性的光刻胶树脂，其特征在于，所述含氟树脂的极性侧链为端部具有含碳原子的极性键
‑
C
‑
X、
‑
C＝X或
‑
C≡X的侧链，其中X为N、P、O或S原子。4.根据权利要求3所述的具有光酸活性的光刻胶树脂，其特征在于，所述含氟树脂的极性侧链为端部仅具有碳碳键或碳氢键的侧链，其中，碳碳键为C
‑
C、C＝C或C≡C，碳氢键为C
‑
H。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的具有光酸活性的光刻胶树脂，其特征在于，所述含氟树脂含有按重量百分比计的如下组分：23
‑
65％极性单体、23
‑
65％非极性单体、25
‑
55％含氟单体；所述极性单体进行聚合后形成所述含氟树脂的极性侧链，所述非极性单体进行聚合后形成所述含氟树脂的非极性侧链，所述含氟单体进行聚合后形成所述含氟树脂的含氟侧链；所述极性单体与所述非极性单体的摩尔百分比为(30
‑
70％):(70
‑
30％)。6.根据权利要求5所述的具有光酸活性的光刻胶树脂，其特征在于，所述酸活性树脂含有按重量百分比计的如下组分：2...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾大公，许东升，余绍山，齐国强，岳力挽，马潇，李珊珊，毛智彪，许从应，
申请(专利权)人：宁波南大光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：