一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯制造技术

本实用新型专利技术涉及磁芯设备技术领域，且公开了一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，包括复合非晶磁芯装置，所述复合非晶磁芯装置的顶部固定安装有固定条块，所述复合非晶磁芯装置的外表面缠绕安装有线圈，所述复合非晶磁芯装置包括磁芯顶盖，所述磁芯顶盖的底部活动安装有磁芯底盒，所述磁芯底盒内腔的底部固定安装有外磁芯块，该抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯,通过将磁芯顶盖的顶盖卡块与底盒卡块接触，并转动磁芯顶盖，顶盖卡块与底盒卡块相卡接，完成对磁芯顶盖和磁芯底盒的高效率卡接安装，同时提高了复合非晶磁芯安装生产的效率，减少了复合非晶磁芯连接安装时所使用的连接胶体，降低了复合非晶磁芯安装的难度。降低了复合非晶磁芯安装的难度。降低了复合非晶磁芯安装的难度。

【技术实现步骤摘要】
一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯


[0001]本技术涉及磁芯设备
，具体为一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯。

技术介绍

[0002]磁芯是指由各种氧化铁混合物组成的一种烧结磁性金属氧化物。例如，锰
‑
锌铁氧体和镍
‑
锌铁氧体是典型的磁芯体材料。锰
‑
锌铁氧体具有高磁导率和高磁通密度的特点，且具有较低损耗的特性。镍
‑
锌铁氧体具有极高的阻抗率、不到几百的低磁导率等特性。
[0003]现有的复合非晶磁芯在进行使用时，复合非晶磁芯安装生产效率较低，复合非晶磁芯连接安装时所使用的连接胶体较多，复合非晶磁芯安装的难度较高，高磁导率环块的生产与安装的难度较高。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，具备可以完成对磁芯顶盖和磁芯底盒的高效率卡接安装，提高复合非晶磁芯安装生产的效率，减少复合非晶磁芯连接安装时所使用的连接胶体，降低复合非晶磁芯安装的难度，降低复合非晶磁芯安装的难度等优点，解决了复合非晶磁芯安装生产效率较低，复合非晶磁芯连接安装时所使用的连接胶体较多，复合非晶磁芯安装的难度较高，高磁导率环块的生产与安装的难度较高的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案：一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，包括复合非晶磁芯装置，所述复合非晶磁芯装置的顶部固定安装有固定条块，所述复合非晶磁芯装置的外表面缠绕安装有线圈，所述复合非晶磁芯装置包括磁芯顶盖，所述磁芯顶盖的底部活动安装有磁芯底盒，所述磁芯底盒内腔的底部固定安装有外磁芯块，所述磁芯底盒内腔的底部固定安装有高磁导率底盒环块，所述磁芯底盒内腔的底部固定安装有内磁芯块，所述磁芯底盒顶部的两侧均固定安装有底盒卡块，所述磁芯顶盖内腔的两侧均固定安装有顶盖卡块，所述磁芯顶盖内腔的顶部固定安装有高磁导率顶盖环块，所述高磁导率顶盖环块底部的正面与背面均开设有连接凹槽。
[0008]优选的，所述底盒卡块的外表面与顶盖卡块的内表面相卡接，所述高磁导率顶盖环块的底部与高磁导率底盒环块的顶部活动连接。
[0009]优选的，所述高磁导率顶盖环块的外表面均与外磁芯块和内磁芯块的内表面活动连接，所述外磁芯块的内表面与高磁导率底盒环块的外表面固定连接。
[0010]优选的，所述高磁导率底盒环块的内表面与内磁芯块的外表面固定连接，所述内磁芯块的内表面与磁芯顶盖的内壁活动连接。
[0011]优选的，所述底盒卡块的形状为Z型，所述顶盖卡块的形状为L型。
[0012]优选的，所述外磁芯块和内磁芯块均贯穿磁芯底盒并延伸至磁芯底盒的外部，所述高磁导率底盒环块和高磁导率顶盖环块的材质均为非晶态合金。
[0013](三)有益效果
[0014]与现有技术相比，本技术提供了一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，具备以下有益效果：该抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯可通过将外磁芯块、高磁导率底盒环块和内磁芯块固定安装在磁芯底盒的内部，再将磁芯顶盖通过顶盖卡块与底盒卡块相卡接，高磁导率顶盖环块与外磁芯块和内磁芯块相卡接，使用人员再将线圈缠绕至复合非晶磁芯装置外表面完成对复合非晶磁芯装置的安装。
[0015]1、该抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，通过将磁芯顶盖的顶盖卡块与底盒卡块接触，并转动磁芯顶盖，顶盖卡块与底盒卡块相卡接，完成对磁芯顶盖和磁芯底盒的高效率卡接安装，同时提高了复合非晶磁芯安装生产的效率，减少了复合非晶磁芯连接安装时所使用的连接胶体，降低了复合非晶磁芯安装的难度，高磁导率顶盖环块与外磁芯块和内磁芯块相卡接，高磁导率顶盖环块与高磁导率底盒环块之间通过连接块与连接凹槽之间进行卡接，实现了复合非晶磁芯内部有效组合安装。
[0016]2、该抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，通过高磁导率顶盖环块与高磁导率底盒环块之间通过连接块与连接凹槽之间进行卡接，高磁导率顶盖环块配合高磁导率底盒环块可以实现内磁芯块和外磁芯块的高磁导率和低损耗，同时分割的高磁导率顶盖环块配合高磁导率底盒环块可以降低高磁导率环块的生产与安装的难度，同时可以有效保证高磁导率环块的使用效果。
附图说明
[0017]图1为本技术的复合非晶磁芯装置外部结构爆炸图。
[0018]图2为本技术的外部结构俯视图。
[0019]图3为本技术的磁芯顶盖结构仰视图。
[0020]图中：1、复合非晶磁芯装置；101、磁芯顶盖；102、磁芯底盒；103、外磁芯块；104、高磁导率底盒环块；105、内磁芯块；106、底盒卡块；107、顶盖卡块；108、高磁导率顶盖环块；109、连接凹槽；2、固定条块；3、线圈。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1
‑
3，一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，包括复合非晶磁芯装置1，复合非晶磁芯装置1的顶部固定安装有固定条块2，复合非晶磁芯装置1的外表面缠绕安装有线圈3，复合非晶磁芯装置1包括磁芯顶盖101，磁芯顶盖101的底部活动安装有磁芯底盒102，磁芯底盒102内腔的底部固定安装有外磁芯块103，磁芯底盒102内腔的底部固定安装有高磁导率底盒环块104，磁芯底盒102内腔的底部固定安装有内磁芯块105，磁芯底盒102顶部的两侧均固定安装有底盒卡块106，磁芯顶盖101内腔的两侧均固定安装有顶盖卡块
107，磁芯顶盖101内腔的顶部固定安装有高磁导率顶盖环块108，高磁导率顶盖环块108底部的正面与背面均开设有连接凹槽109，底盒卡块106的外表面与顶盖卡块107的内表面相卡接，高磁导率顶盖环块108的底部与高磁导率底盒环块104的顶部活动连接，高磁导率顶盖环块108的外表面均与外磁芯块103和内磁芯块105的内表面活动连接，外磁芯块103的内表面与高磁导率底盒环块104的外表面固定连接，高磁导率底盒环块104的内表面与内磁芯块105的外表面固定连接，内磁芯块105的内表面与磁芯顶盖101的内壁活动连接，底盒卡块106的形状为Z型，顶盖卡块107的形状为L型，外磁芯块103和内磁芯块105均贯穿磁芯底盒102并延伸至磁芯底盒102的外部，高磁导率底盒环块104和高磁导率顶盖环块108的材质均为非晶态合金。
[0023]工作原理：首先使用人员将外磁芯块103、高磁导率底盒环块104和内磁芯块105固定安装在磁芯底盒102的内部，再将磁芯顶盖101通过顶盖卡块107与底盒卡块106接触，并转动磁芯顶盖101，顶盖卡块107与底盒卡块106相卡接，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，包括复合非晶磁芯装置(1)，所述复合非晶磁芯装置(1)的顶部固定安装有固定条块(2)，其特征在于：所述复合非晶磁芯装置(1)的外表面缠绕安装有线圈(3)，所述复合非晶磁芯装置(1)包括磁芯顶盖(101)，所述磁芯顶盖(101)的底部活动安装有磁芯底盒(102)，所述磁芯底盒(102)内腔的底部固定安装有外磁芯块(103)，所述磁芯底盒(102)内腔的底部固定安装有高磁导率底盒环块(104)，所述磁芯底盒(102)内腔的底部固定安装有内磁芯块(105)，所述磁芯底盒(102)顶部的两侧均固定安装有底盒卡块(106)，所述磁芯顶盖(101)内腔的两侧均固定安装有顶盖卡块(107)，所述磁芯顶盖(101)内腔的顶部固定安装有高磁导率顶盖环块(108)，所述高磁导率顶盖环块(108)底部的正面与背面均开设有连接凹槽(109)。2.根据权利要求1所述的一种抗直流滤波高导磁率复合非晶磁芯，其特征在于：所述底盒卡块(106)的外表面与顶盖卡块(107)的内表面相卡接，所述高磁导率顶盖环块(...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟军发，
申请(专利权)人：深圳市安姆磁电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：