半导体制程废气处理设备制造技术

本发明专利技术涉及泛半导体技术领域，提供一种半导体制程废气处理设备，包括：处理容器、第一进气管和第二进气管，处理容器限制出处理腔；第一进气管与处理腔连通并用于向处理腔内通入待处理气体；第二进气管套设于第一进气管的外侧并连接于处理容器，第二进气管设置气体进口，第二进气管与第一进气管之间形成进气夹层，进气夹层与处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于待处理气体。本发明专利技术提出的半导体制程废气处理设备，解决第一进气管的出口端粉尘堆积而易造成堵塞的问题，延长清理保养周期，减小清理的劳动强度，降低设备清洁及维护保养成本，有助于提升生产效率和降低生产成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
半导体制程废气处理设备


[0001]本专利技术涉及泛半导体
，尤其涉及半导体制程废气处理设备。

技术介绍

[0002]泛半导体行业生产过程中，大量使用化学品和特殊气体，生产环节持续产生大量有毒有害气体的工艺废气。工艺废气需要与生产工艺同步进行收集、治理和排放，废气处理系统及设备是客户生产工艺不可分割的组成部分，其安全稳定性直接关系到客户的产能利用率、产品良率、员工职业健康及生态环境。故在生产线上(尤其8英寸、12英寸晶圆)都已经用电子废气处理设备(local scrubber)来处理生产线中各个工艺产生的废气。
[0003]在半导体工艺中，如化学气相淀积(CVD)工艺中的硼磷硅玻璃(BPSG)制程、HARP制程、SiN制程，蚀刻(ETCH)中的金属刻蚀(Metal ETCH)制程，扩散(Diffusion)工艺中的原子层淀积(ALD)制程、TSN制程等，尤其是多粉尘、金属制程工艺，有大量的SiO2粉尘需要进行处理，从而致使废气处理设备进气口和腔体流动不畅、粉尘堆积、甚至堵塞，同时，进气口处或墙体内的反应生成物也会造成堆积堵塞，导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制程废气处理设备，其特征在于，包括：处理容器，限制出处理腔；第一进气管，与所述处理腔连通并用于向所述处理腔内通入待处理气体；第二进气管，套设于所述第一进气管的外侧并连接于所述处理容器，所述第二进气管设置气体进口，所述第二进气管与所述第一进气管之间形成进气夹层，所述进气夹层与所述处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，所述第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于所述待处理气体。2.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述盖体限制出气壁夹层，所述气壁夹层位于所述处理腔内并与所述处理腔连通，所述盖体构造有与所述气壁夹层连通并用于向所述气壁夹层内通入第二辅助气体的第一连通口，所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述处理腔的第二连通口。3.根据权利要求2所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述气壁夹层环绕于多个所述第一进气管的外周。4.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述容器本体包括第一容器和套设于所述第一容器外侧的第二容器，所述第二容器密封连接于所述盖体，所述第一容器限制出第一腔体，所述第一进气管的出口端对应于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁腾飞，杨春水，章文军，张坤，陈彦岗，杨春涛，王继飞，席涛涛，何磊，闫潇，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：