半导体制程废气处理设备制造技术

本发明专利技术涉及泛半导体技术领域，提供一种半导体制程废气处理设备，包括：处理容器、第一进气管和第二进气管，处理容器限制出处理腔；第一进气管与处理腔连通并用于向处理腔内通入待处理气体；第二进气管套设于第一进气管的外侧并连接于处理容器，第二进气管设置气体进口，第二进气管与第一进气管之间形成进气夹层，进气夹层与处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于待处理气体。本发明专利技术提出的半导体制程废气处理设备，解决第一进气管的出口端粉尘堆积而易造成堵塞的问题，延长清理保养周期，减小清理的劳动强度，降低设备清洁及维护保养成本，有助于提升生产效率和降低生产成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
半导体制程废气处理设备


[0001]本专利技术涉及泛半导体
，尤其涉及半导体制程废气处理设备。

技术介绍

[0002]泛半导体行业生产过程中，大量使用化学品和特殊气体，生产环节持续产生大量有毒有害气体的工艺废气。工艺废气需要与生产工艺同步进行收集、治理和排放，废气处理系统及设备是客户生产工艺不可分割的组成部分，其安全稳定性直接关系到客户的产能利用率、产品良率、员工职业健康及生态环境。故在生产线上(尤其8英寸、12英寸晶圆)都已经用电子废气处理设备(local scrubber)来处理生产线中各个工艺产生的废气。
[0003]在半导体工艺中，如化学气相淀积(CVD)工艺中的硼磷硅玻璃(BPSG)制程、HARP制程、SiN制程，蚀刻(ETCH)中的金属刻蚀(Metal ETCH)制程，扩散(Diffusion)工艺中的原子层淀积(ALD)制程、TSN制程等，尤其是多粉尘、金属制程工艺，有大量的SiO2粉尘需要进行处理，从而致使废气处理设备进气口和腔体流动不畅、粉尘堆积、甚至堵塞，同时，进气口处或墙体内的反应生成物也会造成堆积堵塞，导致设备需要停机进行维护。其中，一般为不光滑或者拐弯死角等部位发生粉尘堆积和堵塞。一般1天到10天就得进行清理，需要投入大量人力物力，影响生产效率和生产成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种半导体制程废气处理设备，解决第一进气管的出口端粉尘堆积而易造成堵塞的问题，促使处理腔处于通畅状态，减缓第一进气管和处理腔堵塞，延长清理保养周期，减小清理的劳动强度，降低设备清洁及维护保养成本，有助于提升生产效率和降低生产成本。
[0005]根据本专利技术实施例的一种半导体制程废气处理设备，包括：
[0006]处理容器，限制出处理腔；
[0007]第一进气管，与所述处理腔连通并用于向所述处理腔内通入待处理气体；
[0008]第二进气管，套设于所述第一进气管的外侧并连接于所述处理容器，所述第二进气管设置气体进口，所述第二进气管与所述第一进气管之间形成进气夹层，所述进气夹层与所述处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，所述第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于所述待处理气体。
[0009]根据本专利技术的一个实施例，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述盖体限制出气壁夹层，所述气壁夹层位于所述处理腔内并与所述处理腔连通，所述盖体构造有与所述气壁夹层连通并用于向所述气壁夹层内通入第二辅助气体的第一连通口，所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述处理腔的第二连通口。
[0010]根据本专利技术的一个实施例，所述气壁夹层环绕于多个所述第一进气管的外周。
[0011]根据本专利技术的一个实施例，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述容器本体包括第一容器和套设于所述第一容器外侧的第二容器，所述第二容器
密封连接于所述盖体，所述第一容器限制出第一腔体，所述第一进气管的出口端对应于所述第一腔体，所述第二容器在所述第一容器的外侧限制出第二腔体，所述第一容器与所述盖体之间设有连通所述第一腔体与所述第二腔体的第一间隙。
[0012]根据本专利技术的一个实施例，所述处理容器内设有刮刀，所述刮刀连接于驱动件，所述驱动件适于驱动所述刮刀沿所述第一容器的周向转动。
[0013]根据本专利技术的一个实施例，所述刮刀包括内刀部、外刀部和连接所述内刀部与所述外刀部的连接部，所述连接部与所述第一容器朝向所述盖体的表面相贴合或设有第二间隙，所述内刀部与所述第一容器的内壁面之间相贴合或设有第三间隙，所述外刀部与所述第一容器的外壁面之间相贴合或设有第四间隙。
[0014]根据本专利技术的一个实施例，所述盖体限制出气壁夹层，所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述第一腔体的第二连通口，所述第二连通口对应于所述第一容器的内壁面。
[0015]根据本专利技术的一个实施例，所述第二容器远离所述盖体的一端设有溢流进口。
[0016]根据本专利技术的一个实施例，所述第一进气管为直管。
[0017]根据本专利技术的一个实施例，所述进气夹层与氮气管路连接。
[0018]本专利技术实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果之一：
[0019]本专利技术实施例的半导体制程废气处理设备，包括处理容器、第一进气管和第二进气管，第一进气管用于向处理容器的处理腔内通入待处理气体，第二进气管套设在第一进气管的外侧，第二进气管设置气体进口，气体进口向第一进气管与第二进气管之间的进气夹层通入第一辅助气体，第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于待处理气体，进气夹层与处理腔连通；当第一辅助气体的温度高于待处理气体的温度，则第一辅助气体通过进气夹层内对待处理气体起到加热和保温的作用，解决待处理气体进入设备温度降低而形成结晶的问题，减小待处理气体形成的结晶；当第一辅助气体的流速高于待处理气体的流速，第一辅助气体相对于待处理气体为高速流动，高速流动的流体可沿进气夹层的切向进入进气夹层，第一进气管与第二进气管形成文丘里管结构，第一进气管的出口端附近会产生低压，从而产生吸附作用，促进待处理气体进入处理腔内，解决气体流动不畅、粉尘堆积等情况而造成的堵塞问题；通过通入第一辅助气体的方式，促使处理腔处于通畅状态，减缓第一进气管和处理腔堵塞，延长清理保养周期，减小清理的劳动强度，降低设备清洁及维护保养成本，有助于提升生产效率和降低生产成本。
[0020]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本专利技术实施例提供的半导体制程废气处理设备的立体结构示意图；
[0023]图2是本专利技术实施例提供的半导体制程废气处理设备的正视结构示意图；
[0024]图3是本专利技术实施例提供的半导体制程废气处理设备的侧视结构示意图；
[0025]图4是图3中A
‑
A的剖视结构示意图；图中实线实心箭头表示待处理气体流动方向；虚线实心箭头表示第一辅助气体的流动方向；实线空心箭头表示第二辅助气体的流动方向；双线划线实心箭头表示溢流液体流动方向；
[0026]图5是图4中B部位的局部放大结构示意图；图中实线实心箭头表示待处理气体流动方向；虚线实心箭头表示第一辅助气体的流动方向；实线空心箭头表示第二辅助气体的流动方向；双线划线实心箭头表示溢流液体流动方向；
[0027]图6是本专利技术实施例提供的半导体制程废气处理设备的俯视结构示意图；
[0028]图7是本专利技术实施例提供的半导体制程废气处理设备的刮刀在第一容器内的立体结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制程废气处理设备，其特征在于，包括：处理容器，限制出处理腔；第一进气管，与所述处理腔连通并用于向所述处理腔内通入待处理气体；第二进气管，套设于所述第一进气管的外侧并连接于所述处理容器，所述第二进气管设置气体进口，所述第二进气管与所述第一进气管之间形成进气夹层，所述进气夹层与所述处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，所述第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于所述待处理气体。2.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述盖体限制出气壁夹层，所述气壁夹层位于所述处理腔内并与所述处理腔连通，所述盖体构造有与所述气壁夹层连通并用于向所述气壁夹层内通入第二辅助气体的第一连通口，所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述处理腔的第二连通口。3.根据权利要求2所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述气壁夹层环绕于多个所述第一进气管的外周。4.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述容器本体包括第一容器和套设于所述第一容器外侧的第二容器，所述第二容器密封连接于所述盖体，所述第一容器限制出第一腔体，所述第一进气管的出口端对应于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁腾飞，杨春水，章文军，张坤，陈彦岗，杨春涛，王继飞，席涛涛，何磊，闫潇，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：