一种晶体生长炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶体生长炉，包括炉体，所述炉体外依次设置有水冷层和隔热防震层，所述隔热防震层内填充有气凝胶颗粒，所述隔热防震层外侧设置有感应加热线圈，所述炉体的两端分别安装有上盖和下盖。通过在炉体水冷层外设置有隔热防震层，隔热防震层内的气凝胶颗粒具有隔热、防弹高弹性、高孔隙率和防振等特性，炉体中使用气凝胶颗粒作为填充层，可以很好的起到隔热的作用，杜绝炉体内外热量的交换，保证炉体内外环境的稳定性，同时气凝胶颗粒的高孔隙率，可以有效避免外界振动对腔体内的影响，保证晶体生长始终处于一个稳定的环境下进行，保证了晶体生长的稳定性。保证了晶体生长的稳定性。保证了晶体生长的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长炉


[0001]本技术涉及一种晶体生长炉，属于长晶设备的


技术介绍

[0002]PVT法生长碳化硅晶体在密闭的石墨坩埚中进行，坩埚放置在炉体中；通过利用炉体外的感应加热线圈对坩埚进行加热。感应加热线圈对坩埚进行加热，使得坩埚升温，坩埚内的原料温度达到2000℃左右，同时坩埚也会向外散发热量，一般在炉体外周连通通冷却水对炉体进行降温，但是冷却水吸收热量有限，还是会有些热量向外散发出去，对炉体外的结构及操作人员造成影响，且外界的温度环境，有时也会对炉体内的温度造成波动，而且外界的振动也会对炉体内环境造成影响。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本技术提供了一种晶体生长炉，通过在炉体水冷外设置隔热防震层，隔热防震层内填充有气凝胶颗粒，以很好的阻断炉体内外的热量交换及有效外界振动对炉体内环境造成影响，保证了炉体内部温度的稳定性。
[0004]本申请采用的技术方案如下：
[0005]本申请提供了一种晶体生长炉，包括炉体，所述炉体外依次设置有水冷层和隔热防震层，所述隔热防震层内填充有气凝胶颗粒，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉，其特征在于，包括炉体，所述炉体外依次设置有水冷层和隔热防震层，所述隔热防震层内填充有气凝胶颗粒，所述隔热防震层外侧设置有感应加热线圈，所述炉体的两端分别安装有上盖和下盖。2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述气凝胶颗粒为三维网状纳米结构，所述气凝胶颗粒的孔隙率为80～99％，所述气凝胶颗的孔径尺寸为10～50nm。3.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述水冷层的厚度为15～20mm，所述隔热防震层的厚度为15～25mm。4.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述上盖和/或下盖内部填充有气凝胶颗粒。5.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述炉体包括由内向外嵌套设置的第一石英管、第二石英管和第三石英管，第一石英管内部形成炉体腔室，第一石英管与第二石英管之间形成水冷层，第二石英管与第三石英管之间形成隔热防震层。6.根据权利要求5所述的晶体生长炉，其特征在于，所述炉体的上端通过第一法兰盘与上盖连接，所述水冷层和隔热防震层的顶端与所述第一法兰盘的底壁贴合；所述炉体的下端通过第二法兰盘与下盖连接，所述水冷层和隔热防震层的底端与所述第二法兰盘的顶壁贴合。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，宋金鑫，丁峰，刘先哲，郑荣庆，高立志，刘伟，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：