交变磁场传感器及电子设备制造技术

本申请公开了一种交变磁场传感器及电子设备，该交变磁场传感器包括压电层和至少两个磁致变形件；所述磁致变形件上设置有凸起结构，所述至少两个磁致变形件均通过所述凸起结构与所述压电层固定，所述磁致变形件用于挤压所述压电层，并使所述压电层产生电信号。本申请通过至少两个磁致变形件感应交变磁场，并通过凸起结构作用到压电层上，增加了交变磁场传感器的灵敏度。感器的灵敏度。感器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
交变磁场传感器及电子设备


[0001]本申请属于传感器
，具体涉及一种交变磁场传感器及电子设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，随着传感器技术的发展，为了避免电子设备中的元器件受到交变磁场的干扰，通常在电子设备内设置霍尔传感器、磁电传感器或磁阻传感器。
[0003]霍尔传感器是被动型传感器，需要外加电源才能够正常工作，霍尔传感器的功耗高，一致性不好，灵敏度低，温度特性差。现有磁电传感器的灵敏度低。磁阻传感器的量程范围小，容易对高强度的磁场饱和。
[0004]在实现本申请过程中，申请人发现现有技术中至少存在如下问题：现有技术中的传感器对于交变磁场传感器的灵敏度低，量程范围小。

技术实现思路

[0005]本申请旨在提供一种交变磁场传感器，至少解决现有技术中的传感器对于交变磁场传感器的灵敏度低，量程范围小的问题之一。
[0006]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0007]第一方面，本申请实施例提出了一种交变磁场传感器，该交变磁场传感器包括压电层和至少两个磁致变形件；
[0008]所述磁致变形件上设置有凸起结构，所述至少两个磁致变形件均通过所述凸起结构与所述压电层固定，所述磁致变形件用于挤压所述压电层，并使所述压电层产生电信号。
[0009]第二方面，本申请实施例提出了一种电子设备，该电子设备包括如上所述的交变磁场传感器。
[0010]本申请通过至少两个磁致变形件感应交变磁场，并通过凸起结构作用到压电层上，增加了交变磁场传感器的灵敏度。
[0011]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0012]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0013]图1是根据本申请实施例的交流磁场传感器的结构示意图之一；
[0014]图2是根据本申请实施例的交流磁场传感器上设置弯折式支座的结构示意图；
[0015]图3是根据本申请实施例的交流磁场传感器上的磁致变形件的厚度呈梯度变化的结构示意图；
[0016]图4是根据本申请实施例的交流磁场传感器上设置的凸起结构为球形凸起的结构示意图；
[0017]图5是根据本申请实施例的球形支座的结构示意图；
[0018]图6是根据本申请实施例的交流磁场传感器的结构示意图之二。
[0019]附图标记：
[0020]1‑
压电层，2
‑
磁致变形件，21
‑
凸起结构，3
‑
弯折式支座，4
‑
球形支座，41
‑
弹性杆，42
‑
球形结构。
具体实施方式
[0021]下面将详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0023]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0024]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0025]下面结合图1
‑
图6描述根据本申请实施例的交变磁场传感器。
[0026]如图1所示，根据本申请一些实施例的一种交变磁场传感器，该交变磁场传感器包括压电层1和至少两个磁致变形件2。
[0027]所述磁致变形件2上设置有凸起结构21，所述至少两个磁致变形件2均通过所述凸起结构21与所述压电层1固定，所述磁致变形件2用于挤压所述压电层1，并使所述压电层1产生电信号。
[0028]磁致变形件2在受到交变磁场变化的影响下，能够产生与交变磁场频率相同的机械振动。压电层1具有力电耦合性，能够将机械能转化为电能。该交变磁场传感器通过磁致变形件2能够感知交变磁场，并通过压电层1转化为电信号，以将交变磁场的信息通过电信号输出。
[0029]在该实施例中，在磁致变形件2上设置凸起结构21，并通过凸起结构21将磁致变形件2与压电层1固定在一起。凸起结构21能够使磁致变形件2上产生的机械振动以更大的强度作用在压电层1上，从而提高在交变磁场的影响下压电层1输出的电信号的强度，进而提
高了交变磁场传感器的灵敏度。
[0030]至少两个磁致变形件2增加了由磁致变形件2产生的机械振动的强度，从而增加了影响到压电层1的机械振动。这样也就是增加了由交变磁场影响而使磁致变形件2对压电层1产生的挤压的强度，受到挤压的压电层1产生强度更大的电信号。这样能够进一步增加压电层1输出的电信号的强度，提高了交变磁场传感器的灵敏度。
[0031]至少两个磁致变形件2包括两个或两个以上的磁致变形件2。例如，至少两个磁致变形件2在交变磁场的作用下均发生机械振动，能够增加作用到压电层1上的机械振动，以增加压电层1受到机械振动作用输出的电信号，从而增加了该交变磁场传感器的灵敏度。
[0032]例如，压电层1和磁致变形件2均为片层结构，以形成压电层1的层结构和磁致变形件2的层结构，至少两层的磁致变形件2通过凸起结构21固定在压电层1上。例如，凸起结构21设置在磁致变形件2的表面，压电层1的表面与凸起结构21贴合固定。磁致变形件2在受到交变磁场的影响下，机械振动使磁致变形件2变形，并通过凸起结构21将振动变形传输至压电层1，这样能够进一步提高每个磁致变形件2对压电层1的影响，进一步提高了交变磁场传感器的灵敏度。
[0033]可选地，每个磁致变形件2上设置有至少两个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交变磁场传感器，其特征在于，包括压电层和至少两个磁致变形件；所述磁致变形件上设置有凸起结构，所述至少两个磁致变形件均通过所述凸起结构与所述压电层固定，所述磁致变形件用于挤压所述压电层，并使所述压电层产生电信号。2.根据权利要求1所述的交变磁场传感器，其特征在于，所述至少两个磁致变形件对称设置于所述压电层的两侧，所述凸起结构为齿状结构。3.根据权利要求2所述的交变磁场传感器，其特征在于，所述压电层每侧设置至少两个所述磁致变形件；在所述压电层的厚度方向上，每侧中的每个所述磁致变形件的尺寸不同。4.根据权利要求2所述的交变磁场传感器，其特征在于，在位于所述压电层的两侧且相互对称的两个所述磁致变形件中，一个所述磁致变形件上的所述齿状结构与另一个磁致变形件上的所述齿状结构相互错开。5.根据权利要求1所述的交变磁场传感器，其特征在于，所述至少两个磁致变形件对称设置于所述压电层的两侧，所述凸起结构包括多个球形凸起。6.根据权利要求5所述的交变磁场传感器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖学军，余强模，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：