一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，该方法包括AlGaInP薄膜外延层的生长和N面出光的垂直薄膜结构LED芯片的制造；芯片制造主要包括P面钝化层的制备、P电极制备、外延层由衬底转导电基板的转移、腐蚀截止层去除、n型欧姆接触层的图形化、外延层的图形化、pn结钝化层制备与图形化、N电极制备和表面钝化层的制备与图形化，以及芯片切割。本发明专利技术可用于指示、显示等领域，相对于目前采用光遮挡片实现特定发光图形的方案，本发明专利技术具有更加节能、发光图形效果更好和图案更丰富等优势，且有利于批量生产。另外，本发明专利技术还可以在同一颗LED芯片上实现对多个分离的发光图形的独立控制。的发光图形的独立控制。的发光图形的独立控制。

【技术实现步骤摘要】
一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其是涉及一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]与GaAs晶格匹配的AlGaInP材料可覆盖从560nm到650nm范围的可见光波长，是制备长波长LED的优良材料。目前全彩显示中的红光主要来源于AlGaInP薄膜LED，其在显示、照明领域有着重要应用。
[0003]AlGaInP LED芯片结构有P面出光及N面出光两种。常规P面出光结构的LED芯片，GaAs衬底没有剥离，存在较大的吸光问题。因此，将芯片薄膜从GaAs衬底上剥离并转移到导电、导热性能较好的基板上，制造N面出光的反极性AlGaInP薄膜LED芯片，能够更有效地提高发光效率。因此，本专利技术旨在制造N面出光的AlGaInP薄膜LED芯片。
[0004]除了对高光效、节能减排的需求，随着社会的进步，VR/AR的兴起，对LED发光图形也有了更加多样化的需求，尤其是在特种指示、显示领域中，具有各种形状与文字的发光图形备受青睐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于:具体步骤如下：a)提供衬底，在所述衬底的上面形成LED外延层，所述LED外延层自下而上分别为腐蚀截止层、n型欧姆接触层、n型层、发光层和p型层；b)在所述LED外延层的上面形成P面钝化层，并将P面钝化层进行图形化，露出部分p型层，然后依次制备P电极和粘结保护层；在没有P面钝化层的区域，P电极与p型层相接；制备的P电极或是整面覆盖的，或是图形化的；c)提供支撑基板，并在所述支撑基板的正面形成键合金属层；d)采用晶圆热压键合方法，通过键合金属层和粘结保护层将所述LED外延层与支撑基板绑定在一起；e)去除所述衬底；至此步，LED外延层从衬底转移到了支撑基板上，从上表面至支撑基板依次为腐蚀截止层、n型欧姆接触层、n型层、发光层及p型层；f)去除腐蚀截止层；g)去除设定区域的n型欧姆接触层，使该设定区域的n型层裸露；h)去除部分LED外延层，即图形化的LED外延层，使保留下来的LED外延层为设定图形，该图形对应着LED芯片最终的发光图形；i)在LED外延层的表面制备pn结钝化层，并将pn结钝化层图形化，使n型欧姆接触层露出；使pn结钝化层包裹着LED外延层的边缘和侧壁，或者使pn结钝化层覆盖着除发光图形区域和n型欧姆接触层之外的LED外延层的表面和侧壁，或者使pn结钝化层覆盖着除发光图形区域和n型欧姆接触层之外的整颗芯片的表面和侧壁；j)制备N电极，并将N电极图形化，使发光图形区域没有N电极，N电极不仅覆盖在n型欧姆接触层上用来导电，还覆盖在除发光图形区域以外的LED外延层的上方用来挡光，这样LED外延层发出的光只从设定的发光图形区域出射，从而得到了具有特定发光图形的LED芯片；k)制备表面钝化层以保护裸露的发光图形区域，并将表面钝化层图形化使焊盘露出；l)采用切割工具切割，形成N个独立的LED芯片。2.根据权利要求1所述的具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于：步骤b)中所述的P面钝化层的材料为SiO2或SiN
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。3.根据权利要求1所述的具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶喜霞，廖小琴，吴小明，王光绪，
申请(专利权)人：南昌硅基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：