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本发明公开了一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，该方法包括AlGaInP薄膜外延层的生长和N面出光的垂直薄膜结构LED芯片的制造；芯片制造主要包括P面钝化层的制备、P电极制备、外延层由衬底转导电基板的转移、腐蚀截止...
该专利属于南昌硅基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌硅基半导体科技有限公司授权不得商用。

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