一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法技术

本申请涉及一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，包括以下步骤：S1，设计纤芯、内包层的折射率结构；S2，使用采用三喷灯气相轴向法工艺进行纤芯层和内包层的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化，再拉制到预定直径的芯棒；S3，使用外气相沉积法工艺进行外包层的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化；其中，纤芯层为掺杂锗的玻璃棒，内包层为掺杂碱金属的玻璃棒，外包层为纯二氧化硅；S4，把光纤预制棒安装在拉丝塔上，送进感应石墨拉丝炉，加热拉丝炉，使光纤预制棒熔化抽成光纤。本发明专利技术使用VAD和OVD法结合生产光纤预制棒的方法，简化了工艺，对设备的要求相对降低，极大的降低了生产成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法


[0001]本申请属于光纤
，尤其是涉及一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法。

技术介绍

[0002]光纤通信是利用光波作载波，以光纤作为传输媒质将信息从一处传至另一处的通信方式，被称之为“有线”光通信。当今，光纤以其传输频带宽、抗干扰性高和信号衰减小，而远优于电缆、微波通信的传输，已成为世界通信中主要传输方式。
[0003]随着光纤入户(FTTH)系统在全球的广泛部署和光纤向接入网更深层次地渗透，服务供应商对光纤的期望也将随之持续提升。接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤具备行业领先的衰减性能、宏弯损耗和偏振模色散(PMD)，为新网络建设和现有网络的升级提供了坚实基础。
[0004]接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤具有行业领先的低衰减性能，其1310nm衰减系数能达到0.32dB/km以下，1550nm衰减系数能达到0.18dB/km以下，10mm弯曲半径1圈，1550nm波长最大弯曲损耗为0.75dB；与当前市场上大多数标准单模光纤的模场直径(G.652.D标准)一致，技术要求为9.2
±
0.4μm；能够满足设计更小更轻的光缆、占用更小空间的管道、空中架设重量更轻，使安装和维护中出现的弯曲导致的重复工作量降至最低。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是：为解决现有技术中接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤生产工艺的不足，从而提供一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法。
[0006]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0007]一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，包括以下步骤：
[0008]S1，设计纤芯、内包层的折射率结构；
[0009]S2，使用采用三喷灯气相轴向法工艺进行纤芯层和内包层的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化，再拉制到预定直径的芯棒；
[0010]S3，预定直径的预制棒芯棒为“靶棒”，使用外气相沉积法工艺进行外包层的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化，完成大模场弯曲损耗不敏感单模光纤预制棒的制造；
[0011]其中，所述纤芯层为掺杂锗的玻璃棒，所述内包层为掺杂碱金属的玻璃棒，所述外包层为纯二氧化硅；
[0012]S4，把所述光纤预制棒安装在拉丝塔上，送进感应石墨拉丝炉，加热所述拉丝炉，使光纤预制棒熔化抽成光纤。
[0013]优选地，本专利技术的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，还包括步骤：S5，所述光纤依次通过保温炉、裸纤测径仪、张力测试仪、涂覆杯、UV固化炉、涂层直径
测试仪、搓钮系统，到达主牵引装置后，收集到光纤收线机上。
[0014]优选地，本专利技术的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，步骤S3中，所述纤芯层为掺杂少量锗的玻璃棒，所述内包层为掺杂少量碱金属的玻璃棒。
[0015]优选地，本专利技术的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，步骤S4中，光纤预制棒熔化抽成直径为125um的光纤。
[0016]优选地，本专利技术的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，步骤S1中，通过调整包层下限环的几何尺寸和位置、设计合适的折射率剖面、均衡光纤的模场直径以及截止波长的技术指标，确定纤芯、内包层的折射率结构。
[0017]优选地，本专利技术的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，纤芯1、内包层2和外包层4的折射率分别为n1、n2和n3，调整n1、n2和n3的大小，使其符合折射率Δ1＝/n1＝0.34％～0.38％；折射率Δ2＝/n2＝
‑
0.16％～
‑
0.28％。
[0018]优选地，本专利技术的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，在步骤S2中，在第一喷灯掺入含氟气体降低纤芯1中的锗浓度，从而降低n1，在第二喷灯掺入碱金属减小内应力，在第三喷灯掺杂CF4使内包层的下限沟槽折射率达到n2，提高光纤的抗弯曲性能。
[0019]优选地，本专利技术的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，纤芯1的直径为7～10um，内包层2的直径为10～20um。
[0020]本专利技术的有益效果是：
[0021]使用VAD和OVD法结合生产光纤预制棒的方法，此方法生产大模场弯曲损耗不敏感单模光纤简化了工艺，对设备的要求相对降低，极大的降低了生产成本。
附图说明
[0022]下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步说明。
[0023]图1为本专利技术的轴向气相法(VAD)三喷灯的沉积示意图；
[0024]图2为本专利技术的外气相沉积法(OVD)的沉积示意图；
[0025]图3为本专利技术的光纤制造工艺所需设备示意图；
[0026]图4为本专利技术的光纤剖面结构示意图；
[0027]图5为本专利技术的光纤折射率示意图。
[0028]图中的附图标记为：
[0029]纤芯1；内包层2；芯棒3；外包层4。
具体实施方式
[0030]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0031]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示
或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0032]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0033]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的技术方案。
[0034]实施例
[0035]本实施例提供一种大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，参见图1，本专利技术的纤芯1和内包层2采用VAD工艺，制造预定折射率结构的芯层和内包层，并且VAD工艺沉积效率高；参见图2，外包层4采用OVD工艺，沉积好的松散体经过烧结、脱水和玻璃化后，得到光纤预制棒；通过预制棒在线直熔工艺可以拉制大模场弯曲损耗不敏感单模光纤，生产过程简化了光纤生产工艺，也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，设计纤芯(1)、内包层(2)的折射率结构；S2，使用采用三喷灯气相轴向法工艺进行纤芯层和内包层的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化，再拉制到预定直径的芯棒(3)；S3，预定直径的预制棒芯棒(3)为“靶棒”，使用外气相沉积法工艺进行外包层(4)的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化，完成大模场弯曲损耗不敏感单模光纤预制棒(5)的制造；其中，所述纤芯层为掺杂锗的玻璃棒，所述内包层为掺杂碱金属的玻璃棒，所述外包层为纯二氧化硅；S4，把所述光纤预制棒(5)安装在拉丝塔上，送进感应石墨拉丝炉(6)，加热所述拉丝炉(6)，使光纤预制棒(5)熔化抽成光纤(7)。2.根据权利要求1所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，还包括步骤：S5，所述光纤依次通过保温炉(8)、裸纤测径仪(9)、张力测试仪(10)、涂覆杯(11)、UV固化炉(12)、涂层直径测试仪(13)、搓钮系统(14)，到达主牵引装置(15)后，收集到光纤收线机(16)上。3.根据权利要求2所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，步骤S3中，所述纤芯层为掺杂少量锗的玻璃棒，所述内包层为掺杂少量碱金属的玻璃棒。4.根据权利要求2所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，步骤S4中，光...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈小平，魏文涛，何炳，祝君，沈杰，白晓明，王樯，
申请(专利权)人：通鼎互联信息股份有限公司，
类型：发明
国别省市：