一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆制造技术

本发明专利技术公开了一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，本发明专利技术涉及电缆领域，包括电缆本体，所述电缆本体的内腔中安装有七芯绞合银包铜线，电缆本体的外壁安装有梯度绝缘层，梯度绝缘层的外壁安装有复合外导体，复合外导体的外壁安装有多层护套。本发明专利技术所述的一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，通过非对称设置的全贯穿四维渐变槽孔和半贯穿四维渐变槽孔，彻底打破传统漏泄同轴电缆的周期性结构特征，全贯穿四维渐变槽孔和半贯穿四维渐变槽孔在宽度、深度、排列密度上的渐变变化，使得电磁波无法在特定频率上形成驻波和谐振，从根本上切断了互调产物的生成路径，能避免能量在局部区域过度集中，从而显著降低非线性效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电缆领域，特别涉及一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆。

技术介绍

1、漏泄同轴电缆是具有信号传输作用，又具有天线功能，通过对处导体开口的控制，可将受控的电磁波能量沿线路均匀的辐射出去及接收进来，实现对电磁场盲区的覆盖，已达到移动通信畅通的目的。

2、传统漏缆采用周期性对称槽孔结构，导致高频互调产物显著，同时存在三大缺陷：周期性对称排列引发谐振互调；线性槽孔导致电磁场分布不均；单一材料外导体产生非线性效应。

3、因此，提出一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆来解决上述问题很有必要。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，可以有效解决
技术介绍
中的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：

3、一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，包括电缆本体，所述电缆本体的内腔中安装有七芯绞合银包铜线，所述电缆本体的外壁安装有梯度绝缘层，所述梯度绝缘层的外壁安装有复合外导体，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，包括电缆本体(1)，其特征在于：所述电缆本体(1)的内腔中安装有七芯绞合银包铜线(2)，所述电缆本体(1)的外壁安装有梯度绝缘层(3)，所述梯度绝缘层(3)的外壁安装有复合外导体(4)，所述复合外导体(4)的外壁安装有多层护套(5)；

2.根据权利要求1所述的一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，其特征在于：所述梯度绝缘层(3)包括发泡聚乙烯(6)、氟树脂(7)和陶瓷粉体掺杂PE(8)，所述发泡聚乙烯(6)的发泡度80％，ε＝1.3；所述氟树脂(7)ε＝2.1，厚度0.2mm，所述陶瓷粉体掺杂PE(8)ε＝3.4，厚度...

【技术特征摘要】

1.一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，包括电缆本体(1)，其特征在于：所述电缆本体(1)的内腔中安装有七芯绞合银包铜线(2)，所述电缆本体(1)的外壁安装有梯度绝缘层(3)，所述梯度绝缘层(3)的外壁安装有复合外导体(4)，所述复合外导体(4)的外壁安装有多层护套(5)；

2.根据权利要求1所述的一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，其特征在于：所述梯度绝缘层(3)包括发泡聚乙烯(6)、氟树脂(7)和陶瓷粉体掺杂pe(8)，所述发泡聚乙烯(6)的发泡度80％，ε＝1.3；所述氟树脂(7)ε＝2.1，厚度0.2mm，所述陶瓷粉体掺杂pe(8)ε＝3.4，厚度0.15mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，其特征在于：所述复合外导体(4)包括纳米晶层(9)、过渡层(10)和拓扑绝缘层(11)，所述纳米晶层(9)为fe-si-b非晶合金，厚度50μm，晶粒尺寸≤20nm；所述过渡层(10)为ag梯度镀层，ag含量80％→30％；所述拓扑绝缘层(11)为bi2te3和sic复合材料，厚度0.1mm，所述复合外导体(4)的厚度为0.3mm。

4.根据权利要求1所述的一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，其特征在于：所述多层护套(5)包括导电石墨层(12)、电磁屏蔽层(13)和阻燃外层(14)，所述导电石墨层(12)厚度50μm，表面电阻≤1ω/sq；所述电磁屏蔽层(13)为144根镀银铜丝编织而成，编织角45°，覆盖率≥96％，所述阻燃外层(14)为低烟无卤材料，氧指数≥3。

5.根据权利要求1所述的一种基于非对称槽孔设计的低频互调漏泄同轴电缆，其特征在于：所述主螺旋带(15)为左螺旋，所述副螺旋带(16)为右螺旋，所述主螺旋带(15)和副螺旋带(16)相互交叉，所述全贯穿四维渐变槽孔(21)和半贯穿四维渐变槽孔(17)均贯穿复合外导体(4)，所述全贯穿四维渐变槽孔(21)全贯穿复合...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚飞，孙胜军，郭红彪，金舒婷，沈林林，
申请(专利权)人：通鼎互联信息股份有限公司，
类型：发明
国别省市：